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论文基本信息：
标题：Edge-guided inverse design of digital metamaterial-based mode multiplexers for high-capacity multi-dimensional optical interconnect
作者：
共同一作：Aolong Sun（复旦大学信息科学与技术学院）；
共同一作：Sizhe Xing（复旦大学信息科学与技术学院）；
Xuyu Deng（复旦大学信息科学与技术学院）；
Ruoyu Shen（复旦大学信息科学与技术学院）；
An Yan（复旦大学信息科学与技术学院）；
Fangchen Hu（张江实验室）；
Yuqin Yuan（复旦大学信息科学与技术学院）；
Boyu Dong（复旦大学信息科学与技术学院）；
Junhao Zhao（复旦大学信息科学与技术学院）；
Ouhan Huang（复旦大学信息科学与技术学院）；
Ziwei Li（复旦大学信息科学与技术学院）；
Jianyang Shi（复旦大学信息科学与技术学院）；
Yingjun Zhou（复旦大学信息科学与技术学院）；
Chao Shen（复旦大学信息科学与技术学院）；
Yiheng Zhao（张江实验室）；
Bingzhou Hong（张江实验室）；
通讯作者 Wei Chu（张江实验室）；
通讯作者 Junwen Zhang（复旦大学信息科学与技术学院）；Haiwen Cai （张江实验室）
通讯作者 Nan Chi（复旦大学信息科学与技术学院）
发表时间：2025年3月10日（2024年9月21日投稿，2025年2月26日接收）
发表期刊：Nature Communications（JCR-Q1，IF=14.7） -
论文快览：
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解决的问题
随着数据中心与高性能计算对超大容量光互连需求的爆发式增长，集成式多维多模式复用技术面临核心瓶颈：传统正向设计方法（如绝热定向耦合器）需级联多个模式转换器，导致器件面积随模式数呈指数增长；现有逆向设计方案虽能缩减尺寸，但受限于数字超材料（DM）的暴力搜索算法与模拟超材料（AM）的微纳加工难度，难以平衡高通道数（>5模）、低插入损耗（❤️ dB）与制造容差（最小特征尺寸>100 nm）之间的矛盾。尤其在多维复用（波长-模式-偏振）场景中，现有方案缺乏对制造误差鲁棒的紧凑型器件设计方法，制约了单芯片Tb/s级互连能力的实现。提出的方法
本研究提出边缘引导的模拟-数字协同优化（EG-ADO）框架，通过三阶段策略实现数字超材料复用器的可扩展逆向设计。首先采用伴随法拓扑优化生成模拟超材料相位分布，通过电磁场正/反演计算迭代优化模式转换效率；随后引入Canny边缘检测算法提取关键结构轮廓，结合最大池化操作将像素尺寸从20 nm扩展至120 nm，满足商用流片工艺的最小特征尺寸要求；最终通过定制化直接二值搜索算法确定边缘像素材料，在保留拓扑优化性能优势的同时消除不规则纳米结构，实现硅基氮化物的高精度蚀刻兼容性。实现的效果
实验验证五模式复用器在C波段（1530-1565 nm）插入损耗低于3.94 dB，串扰<-20.72 dB，单波长模式下实现1.62 Tb/s聚合速率（每模324 Gb/s），多维复用（5模×88波长）下总净速率达38.2 Tb/s，频谱效率8.68 bit/s/Hz。器件面积较传统正向设计缩减一个量级（6×10 μm²），最小特征尺寸120 nm满足紫外光刻工艺要求，验证了万兆级多维光互连可行性。创新点分析
本研究属于算法与工艺协同创新：算法层面，首创边缘检测引导的数字-模拟超材料转换机制，突破传统暴力搜索算法的二次方计算复杂度限制，将六模式设计所需Maxwell方程求解次数从10⁵量级降至线性增长；工艺层面，通过像素尺寸正则化与边缘结构优化，实现高深宽比硅基蚀刻（16:1）与低缺陷率加工（误差±10 nm）。相较于纯理论或硬件创新，该工作通过算法-工艺跨层协同，为高密度光子集成提供了可扩展的逆向设计范式，推动光互连从百Gb/s向Tb/s级跨越。
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论文重要图文：
摘要：算力密集型应用需求的激增迫切要求采用光互连技术突破计算系统扩展瓶颈，需充分利用光在可扩展维度上的固有并行性进行数据加载。本研究实验展示了波长-模式复用与高阶调制格式的协同方案，采用代工兼容硅基光子芯片实现数十太比特每秒级光互连。通过集成高精度与工艺鲁棒性的边缘引导型模数混合优化方法，完成基于数字超构材料波导的模式复用器逆向设计。利用封装后的五模式复用芯片，实现单波长互连容量1.62 Tbit s−1，跨5模式与88波长通道的多维互连容量达创纪录的38.2 Tbit s−1，最高采用8阶脉冲幅度调制（PAM）高阶格式。本工作凸显光互连技术突破电子链路限制的变革潜力，为下一代数据中心与光计算互连奠定基础。
图1 | 片上多维互连架构。(a) 未来光计算互连系统中采用逆向设计数字超构材料实现两XPU芯片间链路示意图。"XPU"为涵盖CPU、GPU、FPGA等计算架构的设备抽象。宽带逆向设计数字超构材料实现波长与模式双维度海量数据通道复用，集成电光（E/O）与光电（O/E）转换模块，信号处理由共封装CMOS电子器件支持。(b) 符号、波长、模式三维互连容量提升策略。本研究展示模分复用（MDM）与密集波分复用（DWDM）协同方案，每个正交模式支持近100个波长通道，各通道高效承载脉冲幅度调制（PAM）高阶信号，显著提升单波导数据容量。© 代工兼容逆向设计数字超构材料，最小特征尺寸120 nm，适合晶圆厂大规模生产。与传统高阶模式复用器（MUX）相比，逆向设计MUX面积缩小一个量级。
图2 | EG-ADO方法及DM基五模式复用器。(a) EG-ADO优化流程：第一阶段迭代中利用各模式前向电场（efor）与伴随场（eadj）计算像素梯度；第二阶段引入膨胀参数D调控数字超构材料转换率；第三阶段逐列遍历待定（TBD）像素，比较硅（LSi）与二氧化硅（LSiO2）配置目标函数确定最终材料。插图(i)(ii)分别展示五模式MUX拓扑优化与数字化阶段折射率分布演化。(b) DM基五模式MUX最终结构，像素边长120 nm。© 1550 nm波长下五通道输出多模波导模式场仿真，附各模式功率转换效率。(d) 1550 nm波长五通道光传播过程仿真。(e) SOI平台DM基模式MUX逆向设计复杂度对比，紫色区域表示传统DBS方法因计算复杂度过高未覆盖区域。(f) EG-ADO方法设计二/四/五模式MUX在1550 nm波长下不同转换率各模式平均透射率，转换率通过膨胀参数D（D=0,2,4）调节，D值增大导致TBD像素增加、转换率降低。
图3 | EG-ADO方法设计四/五模式MUX器件光学性能测试。(a,b) 背靠背四模式(a)与五模式(b)MDM电路显微图像。© 四模式电路透射谱，插图为假色扫描电镜（SEM）图像。(d-h) 五模式电路I1-I5入射透射谱，阴影区为C波段（1530-1565 nm）。
图4 | 高速单波长模分互连。(a) 封装五模式芯片单波长MDM传输方案：输入CW光分五路经调制器（MOD）调制后通过光纤阵列（FA）耦合入芯片，接收端经模式解复用器（deMUX）分离至光电二极管（PD）解调。(b) 封装MDM芯片宏观图像。© 五模式MUX假色SEM图像，精确复现设计图案，对角线点状接触孔表明高精度加工。(d) 五模式通道MDM与单端口传输误码率（BER）测试，FEC阈值设为0.02。(e) 不同速率下MDM传输BER，324 Gb s−1时各通道BER均低于OFEC阈值。(f) 108 GBaud PAM-8信号各通道眼图。
图5 | 超高容量片上多维互连。(a) 多维互连方案：宽带多波长光分五路对应芯片正交模式，各支路经波分解复用（λ deMUX）分离波长通道独立调制后重组，片上5模式×88波长实现440并行信号通道。(b) 发射端DWDM合成光谱，第44通道目标信号调制，邻道由另一MZM驱动，C波段剩余通道填充ASE噪声。© MDM五通道88波长净数据率（左轴）与熵值（右轴）测量，频率范围191.6-195.95 THz。(d) 五模式总信息率（AIR）与净数据率（NDR）。
参考文献：
- Sun, A., Xing, S., Deng, X. et al. Edge-guided inverse design of digital metamaterial-based mode multiplexers for high-capacity multi-dimensional optical interconnect. Nat Commun 16, 2372 (2025).
DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-025-57689-7
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