[超表面论文快讯-124] Science Advances-二维材料中的亚波长光学晶格-马里兰大学

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• 论文基本信息：

  标题：Sub-wavelength optical lattice in 2D materials

  作者：
  Supratik Sarkar（马里兰大学联合量子研究所）；
  Mahmoud Jalali Mehrabad（马里兰大学联合量子研究所）；
  Daniel G. Suárez-Forero（马里兰大学联合量子研究所）；
  Liuxin Gu（马里兰大学材料科学与工程系）；
  Christopher J. Flower（马里兰大学联合量子研究所）；
  Lida Xu（马里兰大学联合量子研究所）；
  Kenji Watanabe（日本国立材料科学研究所）；
  Takashi Taniguchi（日本国立材料科学研究所）；
  Suji Park（布鲁克海文国家实验室功能纳米材料中心）；
  Houk Jang（布鲁克海文国家实验室功能纳米材料中心）；
  通讯作者 You Zhou（马里兰大学材料科学与工程系）；
  通讯作者 Mohammad Hafezi（马里兰大学联合量子研究所）

  发表时间：2025年3月26日（其中2024年12月23日投稿，2025年2月24日返修，2025年3月26日接收）
  发表期刊：Science Advances（JCR-Q1，IF=11.7）

• 论文快览：

  • 解决的问题
    在光诱导量子与拓扑材料非平衡现象的研究中，传统自由空间光学技术受限于衍射极限，导致空间分辨率不足且光-物质相互作用效率低下。现有纳米等离子体器件虽能增强局域场，但传播距离短且功能单一，无法实现亚波长尺度下的非局域泵浦-探测调控。尤其在高功率需求下，传统方案因局部热噪声与泵浦串扰难以精确解析低维材料（如MoSe₂单层）的激子动力学，制约了光晶格效应与非线性现象的研究深度。

    提出的方法
    本研究提出基于超表面等离子体极化激元（MPP）的非局域泵浦-探测架构，通过银纳米槽阵列构建一维亚波长光学晶格。设计周期150 nm、高度160 nm的银纳米槽结构，利用电子束光刻与反应离子刻蚀制备MPP器件，结合hBN封装的MoSe₂单层实现强场局域。泵浦激光通过顶部耦合器激发MPP模式，在距泵浦点3 μm处利用宽带探测光监测激子的AC斯塔克位移。通过有限时域差分法（FDTD）优化MPP的等频轮廓，抑制700-800 nm波段的衍射效应，确保极化激元无衍射传播。

    实现的效果
    实验验证MPP非局域泵浦方案使AC斯塔克位移达0.65 nm，所需泵浦功率（0.33 mW）较传统自由空间方案降低90倍。激子线宽因亚波长电场调制展宽约1 nm（局部泵浦无此效应），与理论模型误差<±0.15 nm。MPP器件在3 μm传播长度下功率传输较二维银基底提升50倍，电场强度局域增强达130倍，成功在4 K低温下实现10 nm空间精度的激子能量调制。

    创新点分析
    本研究的核心突破在于等离子体超表面与非局域光物理的深度融合：理论层面，首次建立MPP等频轮廓与激子动力学的关联模型，通过无衍射传播特性突破传统等离子体器件的空间限制；技术层面，开发晶圆级银纳米槽阵列制备工艺，结合hBN/MoSe₂异质结转移技术，实现光-物质相互作用的亚波长精准操控；系统层面，构建分离式泵浦-探测架构，将热噪声抑制两个数量级，为光致超导、量子霍尔效应等研究提供了高灵敏、低干扰的实验范式。该工作填补了等离子体工程与量子材料调控间的技术鸿沟，推动了芯片兼容型光控器件的发展。

论文重要图文：

摘要：超表面通过亚波长结构精准调控光波振幅、相位与偏振特性，有力推动了量子超全息成像技术发展。然而现有量子全息方法仅能控制成像面振幅或相位单一参数，导致缺乏偏振分布的标量全息术存在成像通道受限问题。本研究实验验证了基于纠缠信号-闲置光子对的向量超全息术，实现远程调控多通道量子成像。通过同步控制成像面两交叉偏振全息图像的振幅比及其相位差，偏振分布随入射偏振态实现动态调控。精准的对应关系确保32种入射偏振态的正确重建，平均保真度达94.78%。该技术使得纠缠闲置光子可远程调控信号光子重建的全息图像，信噪比高达10.78 dB（最大混合量子态下仍保持该性能）。这种基于纠缠态的向量超全息术具备更大的偏振态信息容量，将为小型化量子成像系统与高效量子态层析技术发展提供新路径。

图1 | 激子亚衍射非局域泵浦-探测光谱学。a) 基于银沟槽一维晶格超表面等离子体激元（MPPs）诱导MoSe2单层交流斯塔克位移的方案。泵浦激光（红光束）通过顶部耦合器（TC）激发周期性调制的MPPs模式。该MPP器件设计在700-800 nm波段（接近MoSe2激子共振~750 nm）实现强局域等离子体激元沿晶格y方向传播且衍射可忽略。宽带探测激光（白光）用于激子表征。b) 器件截面示意图：六方氮化硼封装MoSe2位于银沟槽结构上方。晶格周期a=150 nm，高度h=160 nm，宽度w=90 nm。红线显示800 nm泵浦下MoSe2单层处电场强度平方∣E∣²的强空间调制，激子在电场强度峰值处呈现较大蓝移。c) 器件x-z截面归一化电场强度∣E∣²分布，水平虚线标定过渡金属二硫化物（TMD）位置（表面上方10 nm）。d) MPP器件等频线图显示700-800 nm波长范围内衍射抑制特性。e-g) 时域有限差分法（FDTD）仿真对比800 nm下三种结构SPP传播损耗：二维银基底（e）、单沟槽波导（f）、本MPP器件（g）。激发源为表面上方10 nm处偶极子。

图2 | MPP器件加工与表征。a) 加工MPP器件的扫描电镜（SEM）图像。一维沟槽阵列两端设置顶部耦合器（TC）与底部耦合器（BC）实现MPPs的输入与输出。左上插图为TC与沟槽局部放大，左下为沟槽截面透视图。b) MPP器件透射谱（经宽带输入激光谱归一化）显示800 nm泵浦波长附近透射峰。插图为仿真透射谱。c) 输出耦合器在770、796、828 nm波长下的发射空间分布，红色虚线标定泵浦激光位置。d) MoSe2单层堆叠后器件的伪彩色显微图像，虚线框标注TC、BC及MPP器件区域。

图3 | MPP诱导激子能量的非局域调控。a) 亚衍射空间调制MPP泵浦实现非局域交流斯塔克位移测量方案：泵浦光通过TC激发超表面MPPs模式，在距离泵浦点约3微米处探测MoSe2激子。b) 器件D1中非局域交流斯塔克位移随泵浦-探测脉冲延迟变化测量结果，白线为数值拟合提取的激子峰波长。c) 数值拟合获得的激子线宽变化ΔΓ。d) 传统局域交流斯塔克位移测量方案：使用衍射受限高斯光泵浦。e) 器件D2（银基底MoSe2）局域交流斯塔克位移测量结果。f) 局域测量中激子线宽变化ΔΓ，误差棒表示数值拟合参数估计标准差。

参考文献：

• Supratik Sarkar et al.,Sub-wavelength optical lattice in 2D materials.*Sci. Adv.*11,eadv2023(2025).
  DOI:10.1126/sciadv.adv2023

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