非易失内存NVM一致性（Consistency）问题研究（2）

NVM概述

新型非易失性存储介质，诸如闪存（flash） 、相变内存（phase-change memory， PCM） 、可变电阻式内存（ReRAM）等，可同时提供传统硬盘等外部存储器的数据持久化能力和接近动态随机访问内存（DRAM）等内部存储器的存取性能。非易失性内存介质及其软硬件系统共同构成持久性内存（persistent memory）系统， 可以融合传统易失性内部存储和非易失性外部存储的优良特性，提升上层应用软件和系统整体的性能。

持久性内存系统使得内存数据在系统发生故障时依然得以保留。该特性在减少传统持久化机制带来的性能损耗方面作用显著，但于此同时，也使得发生系统故障时的数据一致性（crash consistency）问题尤为突出。

Crash Consistency 与 Reordering Consistency

持久内存（PM/NVM）的一致性问题可以归结为两种：数据的部分写（partial write）与乱序写（reordering write）。

部分写问题是因为一个需要原子操作的数据写流程因系统故障发生而只写了一部分内容的一致性问题。

乱序写是CPU和内存的固有属性，对于DRAM来说不存在一致性问题。因为一旦掉电或系统故障，DRAM中的数据会全部丢失，没有与原来的数据一不一致这样的说法。但是由于NVM的非易失特性，重启系统程序后数据仍然在内存中，乱序写将可能会导致程序发生执行上的逻辑混乱。
举个简单的例子：