直到现在,NAND闪存技术的发展,还是遵循传统的内存技术发展的轨迹,如SRAM、DRAM、EEPROM(EEPROM)等,在每个存储单元中存储一个二进制数据,然而这种类型的NAND技术现在被称为Single Level Cell或SLC。
在竞争中,为了追求更高的密度和更低的成本,每个单元存储多个二进制数据的新类型的闪存单元已经出现,这种类型的NAND闪存称为Multi Level Cell或MLC,每个单元存储两个比特。市场上也有每个Cell存储三个比特的Triple Level Cell或TLC颗粒,但TLC的耐久性极低,P/E周期约在300左右,因此,即使在控制器和固件技术的帮助下,TLC NAND不适合用于工业应用。
因此,在这篇文章中,我们将关注SLC与MLC NAND之间的关键区别,以及这两种类型的NAND的技术关键点。
每Bit密度和成本
MLC NAND闪存每单元Cell存储2比特数据,这种较高的存储密度意味着,对于相同数量的存储,MLC设备的存储物理大小要小于SLC设备,较小的存储物理尺寸转换为较小Die尺寸,因此每比特的成本更低。
然而,MLC设备的优势并不是SLC的2倍。原因是MLC需要更复杂的程序和读取电路,从而导致这些电路消耗更大的Die空间。
Device级别的性能
为了在一个MLC NAND闪存单元中存储2位数据,编程电路必须能够在设备的浮动门上放置4个精确的电荷量,还是使用与SLC设备相当的电压阈值窗口。图1显示了SLC与MLC的Vt分布。
要实现对Flash设备的浮动门的精确分配电荷,需要一个更复杂、更耗时的编程算法。因此,MLC NAND Flash的编程时间比SLC NAND闪存要慢4倍。
读取操作也存在类似的性能惩罚,因为读取感知电路需要较长时间才能准确地区分这四个状态。因此,MLC NAND Flash的读取时间要比SLC NAND慢3倍。
系统级别的性能