SLC/MLC/TLC、EEPROM/NANDFLASH原理及区别

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

    SLC 利用正、负两种电荷  一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。

    MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命，

    MLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。

    TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。

除了主控芯片和缓存芯片以外，PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash闪存芯片了。NAND Flash闪存芯片又分为SLC（单层单元）和MLC（多层单元）NAND闪存：
1.SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动，所以英特尔固态硬盘速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。
2.MLC全称是多层式储存（Multi Leveled Cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。
3.TLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲，SLC只有两个电平状态，MLC则为4个，TLC则多达8个，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。
由于TLC拥有多达8个电平状态，因此在电位控制上更加复杂，特别是写入速度会大受影响，延迟增加。加之如此多的电平状态，电子一旦溢出变会非常容易导致出错，难以控制，这就是为什么需要更强ECC纠错能力的原因，否则TLC闪存的寿命将会不堪一击。

NAND Flash、NOR flash 和EEPROM 的主要特点和差异：

a. EEPROM：这种rom 的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit 中
写入0 或者1。掉电后数据不丢失，可以保存100 年，可以擦写100 万次。具有较高的可靠
性，但是电路复杂/成本也高，所以容量一般较小；
b. Flash 在擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更
高，降低了成本。Flash 分为Nor Flash 和Nand Flash，Flash 的寿命一般只有10 万次左右；
c. NOR Flash 数据线和地址线分开，可以实现ram 一样的随机寻址功能，可以读取任何
一个字节。但是擦除仍要按块来擦；
d. NAND Flash 同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址，
读取只能按页来读取（NAND Flash 按块来擦除，按页来读，NOR Flash 没有页）；
e. 由于Nand Flash 引脚上复用，因此读取速度比NOR Flash 慢一点，但是擦除和写入速
度比NOR Flash 快很多。NAND Flash 内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。
因此大容量的Flash 都是NAND 型的。小容量的Flash 多是NOR 型的。
f. 使用寿命上，NAND Flash 的擦除次数是NOR 的数倍。而且NAND Flash 可以标记坏块，
从而使软件跳过坏块。NOR Flash 一旦损坏便无法再用。
g. 因为NOR Flash 可以进行字节寻址，所以程序可以在NOR Flash 中运行。嵌入式系统
多用一个小容量的NOR Flash 存储引导代码，用一个大容量的NAND Flash 存放文件系统和内
核。