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AVR单片机内部EEPROM应用方法

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AVR单片机内部集成了EEPROM,但是在GCC写编写EEPROM应用程序的时候,经常会出现读写EEPROM时程序出错,或重启等不正常现象。在软件仿真时也许结果是正确的,但是在片上运行的时候就不正常。困扰很久,终于发现原因在于编译器,已经我们对EEPROM操作说明的理解不正确或不仔细。
      操作EEPROM对时序的要求较高。更加Datasheet里的写操作范例程序:
  while(EECR & (1<<EEWE));    //等待上一次写操作结束
  EEAR = address;             //设置地址和数据寄存器
  EEDR = data;
  EECR |= (1<EMWE);         //置位EEMWE 
  EECR |= (1<<EEWE);          //置位EEWE 以启动写操作
以上代码在GCC中的编译结果,发现  EECR |= (1<<EEMWE);EECR |= (1<<EEWE); 这两句之间的代码间隔超过4条,即超过要求的4个时钟周期,因此该方法写数据会出错。用库函数里面的汇编语句可能会在个别型号上造成系统重启,原因还不清楚。因此我们采用嵌入汇编语句的方式来编写写操作函数,代码如下:
while(EECR & (1<<EEWE));    //等待上一次写操作结束
EEAR = address;             //设置地址和数据寄存器
EEDR = data;
asm volatile("SBI 0x1C,2 \n\t");
asm volatile("SBI 0x1C,1 \n\t"); 
对于读操作,发现采用Datasheet范例程序:
  while(EECR & (1<<EEWE));   //等待上一次写操作结束 
  EEAR = address;            //设置地址寄存器
  EECR |= (1<<EERE);         //设置EERE 以启动读操作
  return EEDR;               //自数据寄存器返回数据 
进行单次操作似乎正常,但是连续操作可能导致程序个别运行不正常,现象象重启,但通过逻辑分析仪跟踪设置启动时序情况看来,又不太象,不知什么原因。采用一下程序段则可以正常运行:
while(EECR & (1<<EEWE));         //等待上一次写操作结束 
EEAR = address;               //设置地址寄存器
asm volatile("SBI 0x1C,0 \n\t"); //设置EERE 以启动读操作
data = EEDR;                     //自数据寄存器返回数据
asm volatile("nop \n\t");
asm volatile("nop \n\t");
asm volatile("nop \n\t");
asm volatile("nop \n\t");
注意,读操作后要空4个系统周期后才可执行下个语句(Datasheet有说明)。
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