[project X] tiny210(s5pv210)上电启动流程（BL0-BL2）

建议参考文档：

S5PV210-iROM-ApplicationNote-Preliminary-20091126
S5PV210_UM_REV1.1

项目介绍参考
[project X] tiny210 操作说明

===================================================================

零、说明

本文主要以友善之臂的tiny210板子作说明，使用的是s5pv210核心。
主要集中于以下几个问题：
* 支持哪些存储介质？
* 上电之后的启动流程？分成了几个阶段？具体负责什么功能？
* 各个阶段使用的存储介质是什么？原因？
* 各个阶段的运行地址是什么？
* 镜像存放可能存放在几种存储介质中，如何判断要从哪种存储介质中获取镜像？（也就是启动模式）

本文只介绍non secure boot的情况。也就是说不是在secure环境下，无需做签名处理。

一、和启动相关的硬件介绍

1、可运行存储介质

要先理解一点，运行介质都会在CPU的地址空间上，占用地址空间的一部分。CPU可以根据寻址地址从运行介质从读取一条指令或者一条数据，而并不是说直接在运行介质上执行。

• IROM
  ROM（Read Only Memory），唯读记忆体。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。主要用于存放一些固定的不需要修改的代码或者数据。掉电之后，数据还可以保存。
  IROM则是指集成于芯片内部的ROM.
• SRAM
  SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
  
  • 优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。初始化简单。
  • 缺点，集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
• SDRAM
  由General SDRAM and Controller进行控制。
  SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。相对于SRAM来说，体积较小且价格偏移。

三者差异简单归纳如下表：

可运行存储介质	掉电数据保存情况	数据修改	访问速度	动态刷新电路	价格
ROM	掉电数据保存	不易修改	最慢	不需要	最便宜
SRAM	掉电数据丢失	可以修改	最快	不需要	最贵
SDRAM	掉电数据丢失	可以修改	快	需要	便宜

补充说明
综上，因为BL0是上电启动代码，固定不变的，所以将其固化在IROM中运行。
因为SRAM是集成在平台内部，BL0阶段之后可以直接使用，但是size比较小。
而SDRAM需要根据外围DDR进行初始化，BL0之后还无法使用，需要在BL1中进行初始化之后才能使用。
故BL1放在SRAM中运行，BL2放在SDRAM中运行。
后续会继续说明。

2、存储介质

• SD/MMC/eMMC
• nand flash / nor flash / OneNand flash
• eSSD

3、tiny210运行介质和存储介质说明

首先看一下对应s5pv210平台和存储相关的硬件支持

• 64KB的IROM
• 94KB的内部SRAM
• 通用SDRAM控制器，用于控制SDRAM
  需要外部实现SDRAM.
• 4/8位高速SD/MMC控制器，用于控制4-bit SD / 4-bit MMC / 4 or 8-bit eMMC
  需要外部实现SD/MMC/eMMC
• Nand Flash控制器，用于控制nand flash
  需要外部实现nand flash
• OneNand控制器，用于控制OneNand flash。
  需要外部实现OneNand flash
• eSSD控制器，用于控制eSSD
  需要外部实现eSSD
• UART/USB控制器

在s5pv210的基础上，对应tiny210板子上有如下外围硬件：
* 512MB的DDR支持
* 1GB的nand flash支持（K9K8G08U0B）
* SD card接口支持，可以直接支持SD card

综上，tiny210板子上有如下存储介质：

• 64KB的IROM
• 94KB的内部SRAM
• 512MB的DDR
• 512MB的nand flash支持
• SD card（自己插了一个4GB的SD卡）

二、s5pv210 上电启动的几个阶段

注意：以下介绍的启动流程和官方给的启动流程《S5PV210-iROM-ApplicationNote-Preliminary》有所差异，是实际上我在项目中使用的启动流程，也是比较通用的启动流程。
和官方文档中比较大的差异在于，BL2在下面介绍是放在SDRAM中运行，而官方文档《S5PV210-iROM-ApplicationNote-Preliminary》中则是放在IRAM中运行，因为编出来的uboot过大，超过了限制，所以官方文档是不可行的。

1、BL0

运行在IROM上！！！

• 加载说明
  上电后启动的第一个阶段。其代码固化在s5pv210的IROM中，也就是出厂后已经完成，无法进行修改。上电后CPU会直接从IROM上的BL0的代码上开始执行。

• 主要工作有：

  • 初始化系统时钟、特殊设备的控制器、启动设备、看门狗、堆栈、SRAM等等
  • 验证BL1镜像
  • 从存储介质上（比如SD\eMMC\nand flash）或者通过USB加载BL1镜像到对应内部SRAM上
  • 跳转到BL1镜像所在的地址上

2、BL1

运行在内部SRAM上！！！

• 加载说明
  上电后启动的第二个阶段。BL0阶段会将其镜像或者代码从存储介质上（比如SD\eMMC\nand flash）上加载到内部SRAM上.
• 主要工作有：
  
  • 初始化部分时钟（和SDRAM相关）
  • 初始化DDR（外部SDRAM）
  • 从存储介质上（比如SD\eMMC\nand flash）将BL2镜像加载到SDRAM上
  • 验证BL2镜像的合法性
  • 跳转到BL2镜像所在的地址上

3、BL2

运行在外部SDRAM上！！！

• 加载说明
  上电后启动的第三个阶段，BL1阶段会将其镜像或者代码从存储介质上（比如SD\eMMC\nand flash）上加载到外部SDRAM上.
• 主要功能
  BL2就是指传统意义上的bootloader，也就是我们这里的uboot的主体，负责flash操作、uboot命令操作等等，并且最终目标是加载OS和启动OS，如linux。关于uboot的实现，会在后面具体分析，这里不详细说明。

上电到BL2的流程图如下（略过BL2的流程部分）