目前广泛采用的半导体存储器是MOS半导体存储器。根据存储信息的原理不同,分为静态MOS存储器(SRAM)和动态MOS存储器(DRAM)。
所有的SRAM是用一个锁存器(触发器)作为存储位元。
SRAM包含三组信号:
2、基本RMOS存储器逻辑结构
由存储体(阵列)、地址译码器、IO电路和控制电路组成
地址译码器:将用二进制代码表示的地址转换成输出端的高电位,用来驱动相应的读写电路,以便选择所要访问的存储单元。
地址译码有两种方式:
单译码(单方向译码):只有一个译码器,译码输出选择一个存储字。
N位地址,译码输出2N个状态,对应2N个单元(次方)
15位地址,需215=32K条选通线
双译码:采用X、Y两个方向译码器进行译码。
采用双向译码方式可以减少译码输出选择线的条数。
同样32K个单元,采用256×128阵列形式时,只需要256+128=384条选择线
存储体:存储单元的集合
存储阵列由256行*128列*8位的三维结构。行和列的交叉位置为一个存储单元。通常用X选择线(行线)和Y选择线(列线)的交叉来选择所需要的单元。
I/O电路: 处于数据总线和被选用的单元之间, 控制被选中的单元读出或写入,放大信息。
片选: 在地址选择时,首先要选片,只有当片选信号有效时,此片所连的地址线才有效。
3、读/写周期波形图
读/写周期波形图精确的反映了SRAM工作的时间关系。也反映了数据线、地址线、和控制线在读/写存储器过程中的相互关系。
读周期时间:从地址有效开始到从数据线读出数据的时间。
写周期时间:从地址有效到数据写入存储器的时间。
存取周期:将读周期和写周期取为相同,并称之为存取周期。