11月19日 美国高通公司日前正式发布下一代旗舰处理器骁龙835,之前曝光的一些参数也得到证实,骁龙835将采用三星10nm FinFET制造工艺,重回八核心,令人振奋的是骁龙835还带来Quick Charge 4.0快速充电标准。
据悉,Quick Charge 4.0快速充电相比上一代QC .0充电速度提升20%,充电效率提升了30%。仅需充电5分钟就可以提供长达5小时的电池寿命。
高通表示,骁龙835已经开始生产,预计搭载该处理器的旗舰机在2017年第一季度上市。由于采用了三星10纳米工艺,芯片尺寸获得30%缩小,而实现降低40%功耗,实现27%性能提升。全新的10纳米工艺芯片开创新境界,为手机提供更强“芯动力”。
然而,高通公司还没有提供详细的骁龙835参数,目前根据网络曝光消息,这颗处理器为八核芯片,自研Kryo 200架构,图形处理器(GPU)升级为Adreno 540,内置X16基带,加入LPDDR4X内存,并且最高支持8GB运行内存。
第一批搭载骁龙835新旗舰还是比较令人期待,不出意外的话,三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗舰将用上首批产品,只是按照惯例三星应该还是会优先拿到大部分新处理器。
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