DRAM的动态刷新问题总结

直接看一个问题：

一个1K x 4位的DRAM芯片，若其内部结构排列成64 x 64形式，且存取周期为0.1us。
1）若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式，即用异步刷新的方法，刷新的信号周期应取多少？
2）若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需要多少时间？死时间率是多少？

这种问题问的都是很直接的，前提要理解这些刷新的工作原理。

对于1）异步刷新，我们只需要计算一个时间间隔即可，这个时间间隔就是：在2ms内，每一行都要刷新到。即为：$2ms / 64 = 31.25us$。

对于2）集中刷新，一行一行刷新，每一次死时间都是64行刷新所用的时间，这里刷新一行用时是0.1us，所以一次集中刷新用时$0.1 * 64 = 6.4us$.同样，多久进行一次集中刷新？仍然是在信息还没掉之前，也即：$2ms内$。
那么，$死时间率 = 6.4us / 2ms = 0.32\%$.

以上。