直接看一个问题:
一个1K x 4位的DRAM芯片,若其内部结构排列成64 x 64形式,且存取周期为0.1us。
1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,即用异步刷新的方法,刷新的信号周期应取多少?
2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需要多少时间?死时间率是多少?
这种问题问的都是很直接的,前提要理解这些刷新的工作原理。
对于1)异步刷新,我们只需要计算一个时间间隔即可,这个时间间隔就是:在2ms内,每一行都要刷新到。即为: 2ms/64=31.25
直接看一个问题:
一个1K x 4位的DRAM芯片,若其内部结构排列成64 x 64形式,且存取周期为0.1us。
1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,即用异步刷新的方法,刷新的信号周期应取多少?
2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需要多少时间?死时间率是多少?
这种问题问的都是很直接的,前提要理解这些刷新的工作原理。
对于1)异步刷新,我们只需要计算一个时间间隔即可,这个时间间隔就是:在2ms内,每一行都要刷新到。即为: 2ms/64=31.25