计组-#3存储系统-3.2.3DRAM的刷新

        DRAM(动态随机存取储存器)是由电容组成的，由于电容易失电的特性，需要不断刷新，才能保证其里面保存的信息不丢失。

        

在访问存储单元时，需要译码器将地址信号转化为选中存储单元的信号，通过选通线选择存储单元。

1.简单模型

        如：一个n位的地址，对应着2^n个的存储单元，那么就需要2^n条选通线与存储单元相连。

 选通线与存储单元这样一对一的关系使得选通线的数量十分庞大，只在较小的存储设备中使用，难以广泛使用于其它较大的存储器中。

2.行列地址模型

        对于一个n位的地址，采用行列地址地址的形式，将地址拆分为行地址和列地址，通过行列地址查询所需要的存储单元，这样一条行选通线对应着一行，一条列选通线对应着一列，通过如同十字坐标的形式确定存储单元的位置。

 这时选通线的数量变为

行选通线2^n/2，列选通线2^n/2，一共

 相比于简单模型少了非常多的选通线。如：

 左边为简单模型，右边为行列地址模型

所以，使用行列地址可以减少选通线的数量。

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动态RAM共有三种刷新方式：集中刷新，分散刷新，异步刷新

刷新的实质：先将原信息读出，再由刷新放大器形成原信息重新写入的再生成的过程

为什么要进行刷新：存储单元被访问是随机的，有些存储单元可能长时间的不被访问，不进行存储器的读写操作，其存储单元内的原信息就可能会丢失。

刷新是一行行进行的，必须在刷新周期内

刷新周期：对DRAM的所有存储单元恢复一次原状态的时间间隔（通常取2ms）

刷新间隔：两次刷新的起始时间差（某行从第一次刷新到第二次刷新的等待时间）

行刷新间隔：两行刷新的起始时间差

刷新时间：规定的一个周期内刷新的总时间

刷新一行的时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。

集中刷新

集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新（用专门的时间进行全部刷新）
例：对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，存储周期为0.5μs，刷新周期为2ms

2ms的刷新周期，占得存取周期个数为：

2000μs÷0.5μs=4000（个）

共有128行要进行刷新，则刷新占128个存取周期，则刷新的时间为：

128×0.5μs=64μs

读写或维持的时间：

2000μs-64μs=1936μs

读/写或维持的存储周期为：

4000-128=3872（个）

当用64μs进行集中刷新是，此时不能进行任何的读/写操作，故将这64μs称为“死区”或“死时间”

“死时间”所占的比率也称为“死时间率”
则集中刷新的“死时间率为”

128÷4000×100%=3.2%

优点：速度高
缺点：存在死区，死时间长

分散刷新

分散刷新：是指对每行存储单元的刷新分散到每个存储周期内完成（对某一行某芯片进行读写操作后，紧接着刷新）

例：对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，存储周期为0.5μs，

将刷新分散到存储周期内完成 ，则存储周期就包含了刷新时间
此时，存储周期为

t=0.5μs+0.5μs=1μs

刷新（刷新以行算）一行的时间为1μs，全部刷新完的时间为：

128×1μs=128μs

此时比2ms小的多

优点：无死区
缺点：存取周期长，整个系统的速度降低了

异步刷新

异步刷新：前两种方式的结合，缩短了死时间，充分利用了最大刷新间隔为2ms的特点（只要在2ms内对这一行刷新一遍就行）

例：对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，存储周期为0.5μs，刷新周期为2ms

2ms内对每行刷新一遍：

2000μs÷128≈15.6μs

即每隔15.6μs刷新一行，每行的刷新时间仍然为0.5μs。刷新一行就停一个存储周期，“死时间缩短为0.5μs”

这种方案克服了分散刷新许独占0.5μs用于刷新，使存取周期加长且降低系统速度的缺点，又不会出现集中刷新的访问“死区”问题，从根本上提高了工作效率。