stm32F103C8T6的Flash读取

一、题目要求

        Flash地址空间的数据读取。stm32f103c8t6只有20KB 内存（RAM）供程序代码和数组变量存放，因此，针对内部Flash的总计64KB存储空间(地址从0x08000000开始），运行一次写入8KB数据，总计复位运行代码8次，将64KB数据写入Flash，并验证写入数据的正确性和读写速率。此外，继续往后续地址写入数据，检验stm32f103c8t6 实际FlashROM是否超过64KB。

二、Flash地址空间的数据读取

1、Flash原理

        不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了 1024K 字节。市面上 STM32F1 开发板使用的芯片是 STM32F103系列，其 FLASH 容量一般为 512K 字节，属于大容量芯片。

        Flash的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1，所以在进行Flash编程前，必须将对应的块擦除，即将该块的每一位都变为1，块内所有字节变为0xFF。

        STM32F1 的闪存（Flash）模块：主存储器、信息块、闪存存储器接口寄存器

        ①主存储器。该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。

        ②信息块。该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 BOOT0 接 V3.3， BOOT1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。

        ③闪存存储器接口寄存器。该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。

        在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

2、使用到的硬件及软件

STM32F103C8T6、STlink
软件：Keil、STM32CubeMX

3、CubeMX工程

SYS

RCC

GPIO

设置堆栈大小

4、Keil代码撰写

工程源码链接（主：flash.h文件需要自己重新加入到路径中）
链接：百度网盘 请输入提取码
提取码：pmvn

将事先准备好的flash.c 及flash.h加入到工程中

在main.c文件中添加部分代码

5.调试

View->memory windows->memory 1打开内存观察窗口，并在地址栏中输入：0x800c000,观察将要修改的flash区间区容：

View->Watch windows->Watch 1打开一个变量观察窗口，将变量FlashWBuff 和 FlashRBuff加入到 Watch 1 观察窗口：

View->Periodic Windows Update开启变量自动更新：

运行前

全速运行程序，可以看到数组FlashRBuff中内容与数组FlashWBuff中内容一样了

在Memory 1窗口中可以看到在FLASH地址0x0800C000区成功写入对应内容。

重复读写入，这里没什么变化。

之后的FF说明数据没有再写入覆盖了。

三、总结

        通过本实验，我掌握了STM32F103C8T6 Flash的基本操作，了解了Flash的读写原理以及如何在STM32中实现数据的存储和读取。在调试过程中，使用Keil的内存窗口和Watch窗口是非常有效的手段，可以帮助我们快速定位问题并验证程序的正确性。实验中，我们成功地验证了64KB的Flash的读写能力。