STM32的FLASH操作

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时间记录：2024/2/19

一、STM32F103C8T6FLASH介绍

（1）flash大小64K，地址0x08000000-0x08010000
（2）此芯片内存大小属于中容量产品，根据数据手册可知中容量产品一个扇区的大小为1K

（3）我们在这里需要知道的点就是，可以将数据保存在flash中实现掉电保存

二、读写FLASH操作步骤

（1）写数据操作（一种方法）
1.解除写保护，向KEYR寄存器写入KEY1->0x45670123和KEY2->0xCDEF89AB进行解锁，按照顺序写入，否则会锁定FLASH_CR寄存器，直到下一次复位
2.清除状态位（可选），确认未在执行任何FLASH操作
3.清除扇区
4.写入半字16位数据
5.清除状态位（可选）
6.锁定写保护
RDP_Key->0x000000A5
（2）读数据操作（一种方法）
直接读取地址数据即可

三、代码示例（基于标准库实现）

（1）头文件

#ifndef __MYFLASH_H__
#define __MYFLASH_H__
#include <stm32f10x.h>

#define SECTORSIZE              1024                //一个扇区大小定义
#define MAXADDR                 0x08010000          //最大地址
#define LASTSECTORADDR          0x0800FC00          //最后一个扇区的地址

void vFlashWriteData(u32 addr,u8 *data,int data_len);//写数据，按照半字写入，一个扇区最多写入512个数据
void vFlashReadData(u32 addr,u8 *data,int data_len);//读数据

#endif

（2）源文件

#include "my_flash.h"

void vFlashWriteData(u32 addr,u8 *data,int data_len)
{
    if(addr < 0x08000000 || addr >= MAXADDR) return;    //地址校验
    
    u32 sectorBaseAddr = addr/1024*1024;
    
    FLASH_Unlock();//解锁
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR|FLASH_FLAG_OPTERR);//清除标志位，可不要
    FLASH_ErasePage(sectorBaseAddr);//擦除页数据，页的首地址，最后一页
    for(int i=0;i<data_len;i++){
        FLASH_ProgramHalfWord(addr+2*i,data[i]);
    }
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR|FLASH_FLAG_OPTERR);//清除标志位，可不要
    FLASH_Lock();//上锁
}

void vFlashReadData(u32 addr,u8 *data,int data_len)
{
    if(addr < 0x08000000 || addr >= MAXADDR) return;    //地址校验
    
    for(int i=0;i<data_len;i++){
        data[i]=(u8)(*(vu16*)(addr+i*2));
    }
}