计算机组成原理第三章

1. 存储系统基本概念

        1.1 层次结构

                1> 高速缓存(Cache)

                2> 主存储器(主存,内存)

                3> 辅助存储器(辅存,外存)

        1.2 分类

                1> 按层次结构 : 同上

                2> 按存储介质: 半导体存储器,磁盘表面存储器,光存储器

                3> 按存取方式: 随机存储器(RAM),如内存;顺序存储器(SAM),如磁盘;直接存取存储器(DAM),如磁盘,相联存储器(可按内容访问的存储器,CAM),如快表

                4> 按信息可更改性: 读/写存储器,只读存储器(ROM)

                5> 断电之和信息是否消失: 易失性存储器,如内存,Cache;非易失性存储器,如光盘,磁盘

                6> 信息读出后,原信息是否消失: 破坏性读出,如DRAM芯片;非破坏性读出,如SRAM芯片,磁盘

        1.3 存储性能指标

                1> 存储容量 = 存储字数*字长

                2> 单位成本 = 总成本/总容量

                3> 数据传输率 = 数据的宽度/存储周期

                4> 存储周期 = 存取时间 + 恢复时间

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2. 主存储器的基本组成

        2.1 基本原件

                1> MOS管,作为通电"开关"

                2> 电容,存储电荷(即存储二进制0/1)

        2.2 存储芯片的结构

                1> 译码驱动电路: 译码器将地址信号转化为自选线的高低电平

                2> 存储矩阵(存储体): 由多个存储单元构成,每个存储单元又由多个存储元构成

                3> 读写电路: 每次读/写一个存储器

                4> 地址线,数据线,片选线,读写控制线(2或者1根)

     

  2.3 寻址

                1> 现代计算机通常按字节编址(每个字节),即每个字节对应一个地址

                2> 按字节寻址,按字节寻址,按半字节寻址,按双字节寻址

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3. SRAM 和 DRAM 

        3.1 存储元件不同导致的特性差别

                Dynamic Random Access Memory,就是动态RAM

                Static Ramdom Access Memory,就是静态RAM

                DRAM 用于主存,SRAM用于Cache

                1> DRAM芯片

                

                2>  栅极电容VS双稳态触发器

                

        3.2 DRAM的刷新

        3.3 DRAM的地址线复用计数

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4. 只读存储器ROM

        4.1 掩膜式制度存储器(MROM)

        4.2 一次可编程只读存储器(PROM)

        4.3 可擦除可编程制度存储器(EPROM)

        4.4 闪存(Flash Memory)

        4.5 固态硬盘(Solid State Drives)

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