去耦电容分类与应用概述

目录

0 引言        

1 陶瓷电容

2 钽电解电容

3 铝电解电容

4 总结        

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0 引言        

        去耦电容，其作用之一是为元器件工作提供稳定的续流保障，高速运行的IO端口会不断产生快速变化的电流，导致电源模块无法及时给这些IO端口器件提供稳定的电流，此时，就只能依靠器件附近的电容给予电荷缓冲，以使得工作电压保持稳定，一个生动的比喻：电容可理解为灌满水的小池塘，一旦池塘附近的庄稼缺水，能立刻从池塘得到补充，而无需求助于远方的水厂。

        另一个作用，是为高速器件产生的高频噪声提供一条就近流入地平面的低阻抗路径，以避免这些噪声干扰到其他的电路功能，根据公式：

        当频率越高时，电容表现为越低的阻抗，因此，可将电容作为高频噪声的重要泄放通道。

        旁路电容，其作用是为前级电源噪声提供一条流到地平面的低阻抗路径，以避免这些干扰影响正在工作的高速负载。

        从功能描述来看，去耦电容和旁路电容没有本质的区别，因为，它们在高频下的作用都是提供接地的低阻抗路径，不论是实现何种功能，在实际设计中，常用的电容类型有铝电解电容、钽电解电容、陶瓷电容等，本文将逐一分析这些电容的优缺点。

1 陶瓷电容

        陶瓷电容以陶瓷作为介质，陶瓷的两面喷涂金属作为极板，其优势是体积小、价格低、稳定性好，缺点是容量小，常见的陶瓷电容种类有NPO、X7R、X5R和Y5V，主要区别在于填充介质不同，从而引起温度、电压稳定性的不同，四类电容的具体区别如下：

        1. NPO是温度补偿型电容，是电容量最稳定的一种陶瓷电容，工作温度范围为-55~+125，这个范围内，电容量基本保持不变；

        2. X7R，表示工作温度范围为-55~+125，电容稳定性为±15%的陶瓷电容；

        3. X5R，表示工作温度范围为-55~+85，电容稳定性为±15%的陶瓷电容；

        4. Y5V，表示工作温度范围为-30~+85，电容稳定性为+22~-82%的陶瓷电容；

        具体的分类如下图所示：

        另外，对于电容去耦功能，必须要具有低的等效串联电阻ESR以及低的等效串联电感ESL，如图所示，为各种陶瓷电容的SMT封装典型技术参数值：

        因此，在高速电路设计中，经常推荐使用0603及其以下封装的陶瓷电容，并且不推荐使用Y5V类型。

2 钽电解电容

        钽电容使用金属物质-钽作为介质，具有温度特性好、ESL小、高频滤波性能佳、体积小、容值较大等特点，因此，钽电容一般被应用在需要大容量电容滤波的场合，比如CPU等高耗能器件的滤波，其缺点是耐电压和耐电流的能力较弱，一般场合要求钽电容的工作电压相对于额定电压需降额50%以上，一些极端场合下，甚至需要降额70%以上使用，比如：

        1. 负载呈现较强的感性；

        2. 串联电阻小；

        3. 瞬变电流较大。

        根本原因在于，感性负载或较小的串联电阻会导致较大的瞬变电流，导致金属钽介质容易被击穿，因此，钽电容的失效概率在以下环节中会明显增大：ICT测试、老化测试、系统开机瞬间、热插拔瞬间，并且，容值越大的钽电容，其ESR越小，就更需要电压降额使用，无形中增加成本压力，这些因素都严重制约了钽电容在严苛技术要求下的应用。

        在设计中，往往将若干小容值的钽电容并联使用，一方面有利于提高设计可靠性，一方面也有利于降低成本。

3 铝电解电容

        铝电解电容使用电解液作为介质，外壳的铝制圆筒作为负极，内部插入一块金属板作为正极，其具有电容容量大、耐压高等优点，但也具有温度稳定性差、精度差等缺点，并且，其ESR、ESL普遍都比较大，仅仅适用于低频滤波的电路设计，铝电解电容的电压降额要求至少是20%。

        另外，从产品的长期稳定性考虑，铝电解电容也可能成为隐患，因为随着产品使用时间的增加，其内部的电解液将逐渐干涸，从而导致容量逐渐减小、ESR逐渐增大、滤波效果逐渐减弱。

        因此，在高速电路设计中，不会选择铝电解电容，而固态的钽电解电容比铝电解电容的电感小，可以用在更高的频率，通常在几MHz。

        如下图所示可以发现，上述的三种电容，涵盖了从低频到高频的所有频带，在高速电路设计中，经常需要组合使用。

4 总结        

        当数字逻辑芯片的IO口电平快速转换时，瞬态电源电流通过三种不同的机制产生辐射发射：

        1. 瞬态电源电流绕IC和去耦电容之间的环路流动将产生环路辐射；

        2. 流经地阻抗的瞬态电源电流将产生一个接地噪声电压，这个电压将激励任何与系统相连的电缆，导致电缆产生辐射；

        3. 经过电源总线，VCC对地噪声电压耦合到其他IC，而最终终止于电源和信号电缆，导致电缆产生辐射。

        有效地去耦可以使上述三种辐射机制最小化，对于高速去耦问题的可能解决方法如下：

        1. 减慢上升时间；

        2. 减小瞬态电流；

        3. 减小与电容串联的电感；

        4. 应用多个电容。

        相较而言，前两个方法与高速技术相违背，那么，唯有在后两个方法上多下功夫，实际设计中，会发现很多的改善措施也是与后两个方法相关，总而言之，熟知每种电容的优缺点，可以更好地帮助设计者进行设计的优化。