本征硅中自由电子和空穴浓度

公式

$$n_i^2=B{T}^3{e}^{-E_G/kT}$$

$n_i$为本征硅中自由电子和空穴的浓度

B为与材料相关的参数，对于硅来说为$5.4\ast 10^{31}$。

$E_G$为能帯隙能量（Bandgap Energy），为破坏共价键，让一个电子从原子挣脱成为可传导电流的自由电子所需要的能量。对于硅为1.12eV，对于锗为0.6eV,对于钻石为2.5eV。eV表示在1V的电压差下取一个电子所需要的能量。

k为玻尔兹曼常量，值为$8.62\ast 10^{-5}eV/K$

室温下(300K)，$n_i=1.5\ast 10^{10}载流子/c{m}^3$，硅晶体大约有$5\ast 10^{22}原子/c{m}^3$，因此室温下只有十亿分之一的原子被电离。

绘图

import math
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt
B=5.4e31
T=np.linspace(1,1000,1000)
Eg=1.12
k=8.62e-5
ni=np.zeros((1000,1))
for i in range(0,len(T)):
    ni[i]=math.sqrt(B*T[i]**3*math.exp(-Eg/k/T[i]))
plt.plot(T,ni)
print(ni[299])

References

[1]AdelS.Sedra, KennethC.Smith, Sedra, Smith, 周玲玲, & 蒋乐天等. (2006). 微电子电路:第5版. 电子工业出版社.