导带电子浓度和价带空穴浓度

凉月松心

已于 2023-04-14 16:41:29 修改

阅读量4k

点赞数 3

分类专栏：半导体物理文章标签：制造单片机 stm32 51单片机物联网

于 2022-10-04 20:11:46 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_52555753/article/details/127165391

版权

半导体物理专栏收录该内容

24 篇文章 24 订阅

订阅专栏

热平衡态非简并半半导体

价带空穴有效状态密度和导带电子有效状态密度的推导

理解

热平衡态非简并半半导体

对热平衡态，在一定的温度下，电子在导带和价带之间跃迁，跃迁和跃迁的反过程，就达到一种平衡热平衡态非简并半半导体：

价带空穴有效状态密度和导带电子有效状态密度的推导

我们以导带电子浓度为例，我们用符号 $\small n_0$ 来表示， $\small n_0=\frac{1}{V}$ , $\small \int _{E_c}^{E_c^{`}}f_{B}(E)g_{c}(E)dE=\frac{1}{V}\int_{E_c}^{E_c^{`}}\frac{1}{exp(\frac{E-E_F}{k_0T})}\cdot \frac{4\pi V}{h^{3}}(2m_n^*)^{\frac{3}{2}}(E-E_c)^{\frac{1}{2}}dE\\ =\frac{4\pi}{h^{3}}(2m_n^*)^{\frac{3}{2}}\int _{E_c}^{E_c^{`}}\frac{(E-E_c)^{\frac{1}{2}}}{exp(\frac{E-E_F}{k_0T})}dE$

$\small =\frac{4 \pi}{h^3}^{\frac{3}{2}}exp(-\frac{E_c-E_F}{k_0T})\int_{E_c}^{E_c^{`}}\frac{(E-E_c)^{\frac{1}{2}}}{exp(\frac{E-E_c}{k_0T})}dE\\ assuming~~~ \frac{E-E_c}{k_0T}=x n_0=\frac{4\pi}{h^3}(2m_n^*)^{\frac{3}{2}}exp(-\frac{E_c-E_F}{k_0T})[\int_0^{x^{`}}x^{\frac{1}{2}}e^{-x}dx](k_0T)^{\frac{3}{2}}\\ \\ \int_0^{\infty}x^{\frac{1}{2}}e^{-x}dx=\frac{\sqrt{\pi}}{2}$

这个积分值肯定比已给积分小，我们可以让他等于已知积分，能量增加，占据高能量的概率急剧衰减，所以这样一来 $\small n_0$ 就出来了

$\small n_0=\frac{2(2\pi m_n^*k_0T)^{\frac{3}{2}}}{h^3}exp(-\frac{E_c-E_F}{K_0T})$ ,看起来是一个系数乘以一个指数项

我们令 $\small N_c=\frac{2(2\pi m_n^*k_0T)^{\frac{3}{2}}}{h^3}$ , $\small n_0=N_cexp(-\frac{E_c-E_F}{k_0T})$

热平衡态非简并半导体导带电子表达式，称 $\small N_c$ 为导带电子有效状态密度，单位 $\small cm^{-3}$

热平衡态非简并半导体的价带空穴浓度 $p$

$\small p_0=\frac{1}{V}\int _{E_v}^{E_v^`}[1-f(E)]g_{v}(E)dE~~~~(E_F-E>>k_0T) \\ =\frac{2(2\pi m_p^*k_0T)^{\frac{3}{2}}}{h^3}exp(\frac{E_v-E_F}{k_0T})$

即 $\small p_0=N_vexp(\frac{E_v-E_F}{k_0T})~~~~~(N_v=\frac{2(2\pi m_p^*k_0T)^{\frac{3}{2}}}{h^3})$

名字叫做价带空穴有效状态密度

Nc与Nv与T有关，更重要的是指数项

第二个是与费米能级有关，费米能级与温度有关，和掺杂有关

半导体当中载流子浓度乘积

$\small n_0p_0=N_cN_vexp(\frac{E_v-E_c}{k_0T})=\frac{2(2 \pi m_n^* k_0T)}{h^3} \frac{2(2 \pi m_p^* k_0T)}{h^3} exp(-\frac{E_g}{k_0T})$

理解

1. 两个的乘积与费米能级的位置无关，如果半导体材料一定（有效质量和Eg一定），那么载流子浓度乘积只和温度有关，与掺杂与否，杂质含量无关

2.温度一定，不同半导体材料 $\small n_0p_0$ 乘积不同，有效质量各不相同

3. $\small n_0p_0$ 表达式不论对本征半导体还是杂质半导体，只要热平衡态非简并，都适用（因为我们计算表达式的时候，是按照分布函数和状态密度积分来做的，分布函数和是否掺杂没关系）

4.热平衡态非简并的时候， $\small n_0p_0$ 恒定，电子和空穴浓度乘积恒定,n0大，p0小，反之亦然

电子的增加是以牺牲空穴为代价换来的

凉月松心

关注

3
点赞
踩
9

收藏

觉得还不错? 一键收藏
打赏
0
评论
导带电子浓度和价带空穴浓度

表达式不论对本征半导体还是杂质半导体，只要热平衡态非简并，都适用（因为我们计算表达式的时候，是按照分布函数和状态密度积分来做的，分布函数和是否掺杂没关系）这个积分值肯定比已给积分小，我们可以让他等于已知积分，能量增加，占据高能量的概率急剧衰减，所以这样一来。对热平衡态，在一定的温度下，电子在导带和价带之间跃迁，跃迁和跃迁的反过程，就达到一种平衡。第二个是与费米能级有关，费米能级与温度有关，和掺杂有关。恒定，电子和空穴浓度乘积恒定,n0大，p0小，反之亦然。我们以导带电子浓度为例，我们用符号。
复制链接

扫一扫