【吹吹水02】3D-FPGA技术-FPGA的一大发展趋势 #FPGA #芯片制程工艺 #SSI技术 #EMIB技术 #FPGA异构

最新推荐文章于 2024-09-15 07:11:51 发布

绰号张美丽

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文章标签： fpga开发硬件架构智能硬件 fpga 嵌入式硬件

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吹水系列，概括一下FPGA的前沿技术，新时代应用和未来发展趋势，了解一下也好跟同事吹牛皮，其实没啥大用，闲着写写就当开拓思维了

1.传统FPGA架构的缺陷

在制造FPGA芯片时，随着单个硅片面积的增大，其工艺良品率会急速下降，这便是FPGA发想要进一步增加集成度与性能时所面临的问题。

如上一篇文章所言，在制程工艺发展几近极限的今天，各大厂商都转向致力于FPGA芯片架构的创新，以延续摩尔定律；然而无论提出如何新颖的观点，晶体管集成度的增加仍然是FPGA发展的绝对需求；由于单个晶体管的尺寸已经很难减少，增加硅片面积自然就成为了增加芯片集成度的最佳方法。

然而增加芯片面积也会有更高的工艺需求，这就导致硅片上芯片的良品率难以保障。例如，对于早期的芯片工艺，当硅片面积为1.5 $cm^2$ 时，该硅片上的芯片良率大概有22%，可当硅片面积扩充四倍即6 $cm^2$ 时，良率就只剩下0.25%了。也就是说，4个独立的1.5 $cm^2$ 硅片与1个统一的6 $cm^2$ 硅片并不一致，虽然它们的总面积相同，但其能生产出来的合格芯片数量却大相径庭。

因此要想提高FPGA芯片集成度，则既要增加硅片总面积，又要减小单个硅片面积以保证良品率，人们自然想到的办法便是化整为零，将许多小面积硅片互联起来从而提高FPGA芯片集成度，这就是所谓的3D FPGA技术。

2. 3D-FPGA技术

现今的3D-FPGA技术并不是“真3D”，其电路元器件并非是在三维空间中排列，布线也只是局限在一个二维平面之内；这个“3D”并不是几何概念，而是一个集合概念：例如对于传统的2D-FPGA，其芯片上各个元器件均在一个“位面”之内，它们可以通过这个“位面”之内的电线相连接；而对于3D-FPGA来说，FPGA上的元器件可能不在一个“位面”内，它们之间可能需要类似于“虫洞”这样连接不同“位面”的电线相沟通；这里“虫洞”就相当于连接不同硅片的电线。简单示意图如下

如图所示，3D-FPGA技术将FPGA硅片分割成若干份，再使用大量连线将其互相连接。虽然这些连线可以实现片间的沟通，但是为了避免这类通信所带来的延时问题，设计者们也会尽可能的将具备相同功能的FPGA块布置在一个硅片之上，避免片间的频繁通信。

当然这样的“伪3D”技术只是一种过渡，人们对电路元件呈三维空间排列的“真3D”技术也有所建树。例如2019年Intel发布的Foveros封装技术，并已应用于其CPU芯片上，所以“真3D”FPGA的出现也不会太远了。

3.Xilinx的SSI技术

3.1 SSI技术原理

SSI(堆叠硅片互联)是Xilinx(已被AMD收购)的3D-FPGA解决方案。其技术示意图如下：

如图SSI技术在FPGA硅片与基底之间加了一层硅中阶层，再刻蚀电路将不同FPGA块连接起来；由于这一层只需要做简单的连线，因此不需要十分精密的工艺，如图该工程只采用了65nm制程。

3.2 SSI技术优缺点

SSI技术十分适用于对新一代制程工艺的跟进迭代。每当新一代制程工艺问世时，此时的工艺并不成熟，很难保证良率合格；此时SSI技术可以提高良率，克服工艺早期的缺陷，从而更快的跟进迭代，迅速抢占市场。

然而它的缺点也很突出，这由它的结构所决定。片间连线造成的延时会降低芯片的性能，稳定性与开发容易度；此外，FPGA不同功能块的分离，可能会在一些应用中显著影响到工程的性能，同时增加了开发者的开发难度与开发工具的适配难度。

因此SSI能够快速迭代技术，但在开发中可能需要额外考虑芯片的划分布局，方能充分利用新制程的优势。

4.Intel的EMIB技术及FPGA异构化趋势

4.1 EMIB技术原理

EMIB(嵌入式多硅片互联桥接)技术是Intel公司的3D-FPGA技术。不同于SSI技术引入硅中介层统一实现硅片间的互联，EMIB技术在各个硅片之间直接进行连接，这大大降低了系统设计的复杂性.如图将SSI与EMIB技术相比较，EMIB省去了硅中介层的引入，直接在基底中实现各硅片I/O的连接，即硅桥(Silicon Bridge)。

4.2 EMIB技术特点

从图上可以看出，EMIB一方面规避了中介层的引入，从而避免了信号通过硅中介层产生的延时；另一方面省去了在中介层的大量布局走线，大大减少了系统设计的复杂性。这项技术在制程工艺成熟之后，呈现出了比较大的优势。

4.3 FPGA异构与EMIB的应用

所谓异构，即多种大型处理器，如FPGA,CPU,ARM,DSP,AI引擎等，集成于一个系统，充分利用各大型处理器优势的技术，这是集成电路未来发展的关键趋势。

而对于这个趋势，各个大型处理器之间的连接与协同便是该技术的关键。EMIB不仅可以应用于FPGA各子模块的连接，同时也能应用于FPGA与其他电路的连接。如图所示，这是Intel的Stratix10系列FPGA结构图，FPGA通过EMIB技术与其它处理器相连接协同工作。

4.4 EMIB技术的缺陷

相较于SSI技术的优势，EMIB在每代工艺发布初期时，由于良率低的缘故，很难及时跟进先进技术，从而在技术革新的早期不具备优势。此外，EMIB两端的器件可能存在一定差异，例如FPGA与HBM的收发器电气特性和制作工艺有所差别，这可能会导致一系列问题，例如两端发热不均等。

5.总结与预告

这一篇文章我们探讨了传统FPGA架构在提升集成度和性能时的工艺瓶颈，从而详细介绍了3D-FPGA技术的发展。我们重点分析了Xilinx的SSI和Intel的EMIB技术，SSI通过硅中阶层实现互联，适合快速迭代但存在性能和开发难度问题；EMIB则直接互联，简化设计并支持异构集成，但在工艺初期良率较低。除此之外，我们着重强调了FPGA异构化趋势及其在未来集成电路发展中的重要性。

3D-FPGA是FPGA发展的一大方向，而另一大方向便是”异构化“。下一篇我们将了解XIlinx和Intel最先进的FPGA芯片架构：ACAP与Agilex，从这两种芯片中我们能看到”异构化“趋势的现实依据，以及未来FPGA开发方式的变革方向。