c51单片机和DS18B20温度传感器

前言

温度传感器在现代电子领域中起着至关重要的作用，它能够将温度这一物理量转换成电信号进行测量和监控。 在51单片机系统中，通过合适的温度传感器模块，我们可以实现对环境温度的检测和控制，为各类应用提供稳定的工作环境保障。

目录

一、选择使用的温度传感器型号

二、使用温度传感器具体步骤

三、温度传感器特点

一、选择使用的温度传感器型号

对于C51单片机与电机温度传感器的连接，首先需要明确你使用的温度传感器型号。这里以常用的DS18B20温度传感器为例，给出一种可能的连接方式：
（1）连接DS18B20的VCC和GND到单片机的5V和GND。
（2）将DS18B20的DQ引脚连接到单片机的某个GPIO口，例如P1^0。
（3）编写C51单片机程序，通过GPIO口控制DS18B20进行温度测量。

二、使用温度传感器具体步骤

使用具体步骤如下：
（1）复位DS18B20：通过单片机向DS18B20发送复位脉冲，将DQ引脚拉低并保持一段时间，然后释放DQ引脚。
（2）匹配序列号：如果总线上有多个DS18B20，需要发送ROM指令0x55，匹配每个DS18B20独有的64位序列号。如果总线上只有一个DS18B20，可以直接发送ROM指令0xcc跳过序列号匹配。
（3）发送RAM指令：向DS18B20发送RAM指令0x44，启动DS18B20进行温度测量。
（4）等待温度测量完成：等待一段时间，直到DS18B20完成温度测量。
（5）读取温度数据：向DS18B20发送读RAM指令0xBE，然后从DQ引脚读取温度数据。
（6）计算温度值：根据读取的温度数据计算实际温度值。

需要注意的是，具体的实现方式可能因单片机的型号和编程语言而有所不同。同时，DS18B20需要供电才能工作，如果单片机没有足够的电源，可能还需要额外供电。此外，对于不同的电机型号和工作环境，可能还需要选择不同类型的温度传感器。 

三、温度传感器特点

DS18B20 是由 DALLAS 半导体公司推出的一种的“一线总线（单总线）”接口的温度传感器。与传统的热敏电阻等测温元件相比，它是一种新型的体积小、适用电压宽、与微处理器接口简单的数字化温度传感器。

特点：
1、适应电压范围更宽，电压范围：3.0～5.5V，在寄生电源方式下可由数据线供电。
2、独特的单线接口方式，DS18B20 在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与 DS18B20 的双向通讯。
3、DS18B20 支持多点组网功能，多个 DS18B20 可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温。
4、DS18B20 在使用中不需要任何外围元件，全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内。
5、温范围－55℃～+125℃，在-10～+85℃时精度为±0.5℃
6、可编程的分辨率为 9～12 位，对应的可分辨温度分别为 0.5℃、0.25℃、0.125℃ 和 0.0625℃，可实现高精度测温。
7、在 9 位分辨率时最多在 93.75ms 内把温度转换为数字，12 位分辨率时最多在 750ms 内把温度值转换为数字，速度更快。
8、测量结果直接输出数字温度信号，以"一根总线"串行传送给 CPU，同时可传送 CRC 校验码，具有极强的抗干扰纠错能力。
9、负压特性：电源极性接反时，芯片不会因发热而烧毁，但不能正常工作。

外部实物图：

从 DS18B20 外观图可以看到，当我们正对传感器切面（传感器型号字符那一面）时，传感器的管脚顺序是从左到右排列。管脚 1 为 GND，管脚 2 为数据DQ，管脚 3 为 VDD。
如果把传感器插反，那么电源将短路，传感器就会发烫，很容易损坏，所以一定要注意传感器方向。

内部结构图：

 ROM 中的 64 位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该 DS18B20 的地址序列号。光刻 ROM 的作用是使每一个 DS18B20 都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个 DS18B20 的目的。
DS18B20 温度传感器的内部存储器包括一个高速的暂存器 RAM 和一个非易失性的可电擦除的 EEPROM,后者存放高温度和低温度触发器 TH、TL 和配置寄存器。

配置寄存器结构：

 配置寄存器是配置不同的位数来确定温度和数字的转化，低五位一直都是"1"，TM 是测试模式位，用于设置 DS18B20 在工作模式还是在测试模式。在 DS18B20 出厂时该位被设置为 0，用户不需要去改动。R1 和
R0 用来设置 DS18B20 的精度（分辨率），可设置为 9，10，11 或 12 位，对应的分辨率温度是 0.5℃，0.25℃，0.125℃和 0.0625℃。在初始状态下默认的精度是 12 位，即 R0=1、 R1=1。

四、代码

以下是使用Keil编写的DS18B20温度传感器的单片机代码及注释：

#include <reg52.h>  
  
sbit DQ = P1^0; //定义DQ引脚  
  
void delay(unsigned int i) //延时函数  
{  
    while(i--);  
}  
  
void reset() //复位函数  
{  
    DQ = 0;  
    delay(5); //延时5ms  
    DQ = 1;  
}  
  
unsigned char read_byte() //读取一个字节数据  
{  
    unsigned char i, data = 0;  
    for(i=0; i<8; i++) //循环8次，每次读取一位数据  
    {  
        DQ = 0; //拉低数据线  
        delay(5); //延时，保证数据稳定传输  
        DQ = 1; //拉高数据线，准备读取下一位数据  
        data <<= 1; //左移一位，准备存储数据  
        if(DQ) data |= 0x01; //如果DQ为高电平，则将最低位设置为1  
    }  
    return data;  
}  
  
void main()   
{  
    unsigned char temperature;  
    reset(); //复位DS18B20  
    delay(10); //延时，等待DS18B20响应复位脉冲  
    DQ = 0; //拉低数据线，匹配序列号（如果总线上只有一个DS18B20，可以跳过此步骤）  
    delay(40); //延时，等待DS18B20响应匹配序列号  
    DQ = 1; //释放数据线，发送ROM指令0xcc（如果总线上只有一个DS18B20）或RAM指令0x44（如果总线上有多个DS18B20）  
    delay(10); //延时，等待DS18B20响应指令  
    temperature = read_byte(); //读取温度数据的高字节  
    delay(50); //延时，等待DS18B20完成温度测量  
    temperature <<= 8; //左移8位，准备存储温度数据的低字节  
    temperature |= read_byte(); //读取温度数据的低字节  
    //根据读取的温度数据计算实际温度值，并进行相应的处理（例如控制电机的工作状态）  
}