输入文件卡片综述
本章给出输入卡一览表,并指出什么时候需要这些卡。对表中有关符号说明如下:
N表示中子问题;G表示光子问题;NG表示中子/光子耦合问题;R表示对指定的MODE要求此卡;O表示根据用户需要选择使用;X表示不可使用;a表示临界计算要求的卡。
表中包括两种缺省方式:
(l)若在已给卡上某特定项有缺省值,应在该卡相应位置上列出此缺省值。
(2)当卡片不在输入文件中列出时,往往具有缺省含义,此时缺省处理以“””号标出。
表4-1输入卡一览表
序号 助记名 数据卡名称、内容 缺省值 运行方式 页码
(1-5列) N N,P P
一般类别
1 message: 信息块,空行结束 O O O 6
2 标题卡 R R R 8
3 栅元卡,空行结束 R R R 9
4 曲面卡,空行结束 R R R 11
5 数据卡,空行结束 R R R 15
6 C 注释卡 O O O 8
问题类型卡
7 MODE 运行方式 N R R R 16
栅元参数卡
8 IMP 重要性,使用权窗此卡省略 R R R 16
9 VOL 栅元体积 0 O O O 16
10 AREA 曲面面积 0 O O O 16
11 PWT 光子产生的权 -1 X O X 17
12 EXT 指数变换 0 O O O 17
13 VECT 向量输入卡 没有 O O O 17
14 FCT 强迫碰撞 0 O O O 17
15 WWE 权窗能量 没有 O O O 18
16 WWN 权窗边界,使用imp此卡省略 R R R 18
17 WWP 权窗参量 5 3 5 0 0 O O O 18
18 WWG 权窗产生器 没有 O O O 19
19 WWGE 权窗产生能量 一个能量区间 O O O 19
20 PDn 探测器贡献卡 1 O O O 19
21 DXC 球几何贡献卡 1 O O O 19
重复结构栅元卡
22 U Universe卡 没有 O O O
23 TRCL 栅元变换卡 没有 O O O
24 LAT 栅格类型卡 没有 O O O
25 FILL 填充卡 没有 O O O
坐标转换卡
26 Tan 坐标变换卡, MAP=1 O O O 21
源指定卡
27 SDEF 通用源卡 见表3-1 O O O
28 SIn 源信息 SIn H I1 I2 … Ik O O O
29 SPn 源概率 SPn D P1 P2 … Pk O O O
30 SBn 源偏倚 SBn D B1 B2 … Bk O O O 22
31 DSn 相关源 Dsn H J1 J2 … Jk O O O 23
32 SCn 源注释 没有 O O O 24
33 SSW 写面源 SYM=0 PTY=0 O O O 24
34 SSR 读面源 OLD NEM COL m=0 O O O 24
35 KCODE 临界源 a a X 25
36 KSRC 临界计算的源点 O O X 26
MGOPT 多群特征卡 无 无 1 0 1 1000 O O O
57 PIKMT 光子产生偏倚卡 O O O
记数指定卡
37 Fna 记数类型 n=5时, R0=0 O O O 27
38 FCn 记数注释 没有 O O O 29
39 En 记数能量分点 很大 O O O 29
40 Tn 记数时间分点 很大 O O O 29
41 Cn 记数余弦分点 1 O O O 30
42 FQn 记数量打印层次 F D U S M C E O O O 30
T
43 FMn 记数乘子 1 O O O 30
44 DEn/DFn 剂量能量/函数卡 log-log O O O 32
45 Emn 记数能量乘子 1 O O O 32
46 TMn 记数时间乘子 1 O O O 32
47 CMn 记数余弦乘子 1 O O O 32
48 CFn 记数栅元标志 O O O 33
49 SFn 记数曲面标志 O O O 33
50 FSn 记数分段 1 O O O 33
51 SDn 记数分段的体积/面积 0 O O O 34
52 FUn TALLYX输入 1 1 last last 1 last last O O O
last
53 TFn 记数涨落 O O O 35
54 DD 探测器/DXTRAN诊断 0.1 1000 O O O 35
55 DXT 用于 DXTRAN参量 0 0 0 O O O 36
56 FTn 记数特殊处理 O O O
材料指定卡
58 Mm 材料成分指定 O O O 37
59 DRXS 离散反应截面指定 连续截面 O O X 38
60 TOTNU 总裂变 O O X 38
61 NONU 关闭裂变 O O X 38
62 AWTAB 原子量 O O O 38
63 XSn 截面文件 O O O 38
64 VOID 取消材料 O O O 39
粒子能量和热卡
65 PHSY:N 中子能量物理截断 很大 0 O O X 39
66 PHSY:P 光子能量物理截断 100 X O O 39
67 ESPLT 能量分裂和赌 无裂和赌 O O O 40
68 TMP 自由气体热温度 2.53×10-8 O O X 40
69 THTME 自由气体热温度时间 0 O O X 40
70 MTn S(α,β)材料 O O X 40
问题截断
71 CUT:N 中子截断 很大 0 -.5 -.25 swtm O O X 41
72 CUTP 光子截断 很大 .001 -.5 -.25 swtm X O O 41
73 NPS 粒子总历史数 O O O 42
74 CTME 机时时限 O O O 42
用户数据数组
75 IDUM 整型数组 0 O O O 42
76 RDUM 实型数组 0 O O O 42
外围卡
77 PRDMP 打印及转储周期 END 15M O O O 42
78 LOST 丢失粒子截止限 10 10 O O O 43
79 DBCN 调试参量 0 0 0 0 0 0 0 0 00 0 O O O 43
80 FILES 生成用户又件 O O O 44
81 PRINT 打印控制 短输出 44
·附录1 截面数据目录表
MCNP3B配备了多种截面库,内容较为齐全,来源广泛,规模庞大。为了方便用户,我们给出三个中子库(BMCCS1,ENDL851,D9l)的截面数据目录。如果用户需要其他几个库的数据,可根据核素目录文件SPECS给出的标识符到相应的库中查找。另外,在每个库中,各核的标识行也说明了该核的来源和对截面作处理时所考虑的温度。中子的能量范围从 10-11MeV到 20MeV。
下面给出下表中各符号意义的说明:
ZAID:核素的标识符,其形式为 ZZZAAA.nnC或 ZZZAAA.nnD
ZZZ是核的原子序数;AAA是质量数(对天然元素 AAA= 0 0 0);nn是中子截面组评价标识号;C表示连续能量形式的截面数据;D表示离散能量形式的截面数据。
TEMP:表示对截面作处理时所考虑的温度(oK)
中子截面目录表