二极管基础

一、半导体

1.常用的半导体材料:元素半导体，如硅、锗；化合物半导体，如砷化镓。

2.半导体共价键结构

 3.本征半导体

①完全纯净、结构完整；重要物理特性:电导率(电阻率的倒数)与材料内单位体积中所含电荷载流子数目成正比。

②在室温下，被束缚的价电子会获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，也就是本征激发。

 4.空穴(一种半导体区别于导体的重要特性)

①空穴移动方向与电子相反

②空穴越多，半导体中载流子数目越多，电流越大

③ni=pi(自由电子=空穴)

5.载流子

温度升高，载流子越多，导电能力越好，电导率越高

6.P型半导体

 ①P杂志型(受主杂质):能接受电子

②P型半导体中，空穴是导电的主体，为多数载流子，自由电子为少数载流子

③Na(受主原子的浓度)+n(少子电子的浓度)=p(总空穴)

7.N型半导体

 注:施主原子提供的多余的电子易受热激发而成为自由电子

①N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子

②n(总自由电子浓度)=p(少子空穴的浓度)+Nd(施主原子的浓度)

③在一定的温度条件下，由于半导体中本征激发产生的自由电子-空穴对于它们的复合始终处于一种平衡状态(热平衡)

pn=pi(本征材料中空穴浓度)·ni(自由电子浓度)

so:pn=ni的平方

二、PN结

1.漂移

①由于电场作用而导致载流子的运动。(空穴移动与电场方向相同，而电子则相反)

②Vn(电子漂移速度矢量)=-(电子漂移速度矢量与电场方向相反)Un(比例系数)(自由电子的迁移率)·E(电场矢量)

③Vp(空穴漂移速度矢量)=Up(空穴迁移率)·E

2.扩散:基于载流子的浓度差异和随机热运动，载流子会从高浓度区域向低浓度区域扩散，形成扩散电流。

3.PN结的形成

 注:①N型区内电子浓度很高，P型区内空穴浓度很高，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，从而使P区和N区交界处原来呈现电中性遭到破坏。P区失去空穴，留下了带负电的杂质离子；N区失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体离子带电，但不能任意移动，因此不参与导电。它们集中在P、N交界面附近，形成一个空间电荷区(耗尽区)(缺少载流子，电阻率高)，也就是PN结。

②出现空间电荷区后，由于正负离子之间的相互作用，就会形成电场(方向N到P)(阻止载流子扩散)，称为内电场。

③扩散使空间电荷区加宽，电场增强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；漂移是使空间电荷区变窄，电场减弱，使扩散容易进行。当漂移运动和扩散运动相等时，空间电荷区处于动态平衡状态。

4.PN结的单向导通性(基本特性)

①外加正向电压(正向偏置电压)(PN结导通)

 注:外加电场打破PN结的平衡状态，P区的多数载流子空穴和N区的多数载流子电子都向PN结移动，即P区空穴进入PN结，和原来一部分负离子中和，使P区的空间电荷量减少；N区电子进入PN结，中和了部分正离子，使N区的空间电荷量减少，从而导致PN结变窄。也就是耗尽区厚度变薄，电阻减小。

半导体本身的电阻比PN结的阻值小很多，所以大部分的外加电压都落在PN结上，从而使PN结的电场由E0减小到E0-Ef。PN结电场强度减小，有利于P区和N区中多数载流子的扩散运动，形成扩散电流。当外加电压升高时，PN结电场进一步减弱，扩散电流增加。因此电流If是随外加电压极速上升的。

②外加反向电压(反向偏置电压)(PN结截止)

 注:在外电场的作用下，P区的空穴和N区的电子都进一步离开PN结，耗尽区厚度加宽。反向电压使PN结电场由E0增加到E0+Er。PN结电场强度的增加，阻碍了多数载流子的扩散运动，故扩散电流趋近于0。但结电场的增加使N区和P区的少数载流子更容易产生漂移运动，故产生了一个反向的电流，由于少数载流子的浓度低(由温度决定)(与外加电压无关)，数量少，故该电流很微弱。

总结:PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；加反向电压时，电阻值很大，PN结截止，这就是PN结的单向导电性。

③PN结I-V特性的表达式

 注:①当二极管的PN结两端加正向电压时，电压vD为正值，当vD比Vr大几倍时，e的vD/Vr次方远大于1，括号里的1可省略。

②当二极管加反向电压时，vD为负值。若｜vD｜比VT大几倍时，指数项趋近于0，因此iD=-Is。可见当温度一定时，反向饱和电流是个常数Is，不随外加反向电压的大小而变化。

5.PN结的反向击穿

①概念:如果加到PN结两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。发生击穿所需的反向电压VBR为反向击穿电压。PN结电击穿后电流很大，容易使PN结发热。

②原因:当PN结反向电压增加时，空间电荷区电场增加。产生漂移运动的少数载流子通过空间电荷区时，在很强的电场作用下获得足够的动能，与晶体原子发生碰撞，打破了共价键的束缚，形成更多的自由电子-空穴对---碰撞电离。新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样，在强电场的作用下获得足够的动能，继续碰撞电离，再产生电子-空穴对---载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值时，载流子的倍增情况就像雪崩一样，载流子增加得多而且快，使反向电流急剧增大，PN结被击穿---雪崩击穿。(整流二极管)

在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区存在很强的电场，会破坏共价键的束缚，将电子分离出来产生电子-空穴对，电场作用下，电子移向N区，空穴移向P区，会形成较大的反向电流---齐纳击穿。(稳压二极管)

注:①两种电击穿过程可逆，当加在稳压二极管两端的反向电压降低后，管子可恢复到原来的状态。

②热击穿:反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率，热量散不出去，PN结温度上升，从而被烧毁。

6.PN结的电容效应(影响半导体器件的高频特性和开关特性)

①扩散电容

PN结在正向偏置时，积累在P区的电子和N区的空穴随正向电压的增加而很快增加，扩散电容较大。反向偏置时，载流子数目少，扩散电容数值很小，可忽略。

 注:Tt为超量的少数载流子的平均渡越时间或寿命(空穴从进入N区到被自由电子复合或自由电子从进入P区到被空穴复合所用的时间)；ID为结型二极管正向偏置电流；VT为温度电压当量。

 ②势垒电容

 

注:dQ为势垒区每侧存储电荷的微增量，dvD为作用于结型二极管上的电压微增量；CBO为零偏置时的势垒电容，VD为结型二极管工作点上的电压，V0为建立势垒电位，m为结的梯度系数，参杂浓度差别不大时，m=1/3，反之，m=1/2。

总结:PN结的电容效应是扩散电容和势垒电容综合反映。当PN结处于正向偏置时，结电容较大(主要决定于扩散电容)；处于反向偏置时，结电容较小(主要决定于势垒电容)。

三、二极管

1.二极管的结构

①面接触型:PN结面积大，可承受较大电流，但极间电容也大，适用于整流。

②点接触型:PN结面积小，极间电容很小，适用于高频电路和数字电路。

 2.二极管的I-V特性

①正向特性:此时加于二极管的正向电压不大，流过管子的电流却很大，管子呈现的正向电阻很小。但起始部分，正向电压很小，外电场不足以克服PN结的内电场，正向电流几乎为0，二极管呈现出一个大电阻。

②反向特性:P型半导体中的少数载流子——自由电子和N型半导体中的少数载流子——空穴，在反向电压作用下很容易通过PN结，形成反向饱和电流，但少数载流子数目小，所以反向电流很小。

③反向击穿特性

 3.二极管的主要参数

①最大整流电流:管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。电流通过PN结会发热，电流太大，过热会导致PN结烧毁。

②反向击穿电压:管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管单向导电性被破坏，甚至烧毁。

③反向电流:管子未击穿时的反向电流，其值越小，单向导电性越好。温度增加，反向电流会增加明显。

④极间电容:反映PN结电容效应的参数，是扩散电容和势垒电容之和。

⑤反向恢复时间:

 注:IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流

主要原因:扩散电容的影响，二极管加正向电压，PN结两侧存在从对方区域扩散过来的载流子的积累。当外加电压由正向变为反向时，外电场和PN结内电场方向相同，有利于载流子的漂移运动。此时积累在PN结两侧的载流子数量较多，因此反向电流较大。随着时间推移，积累的载流子逐渐消散，反向电流逐渐减小到正常值。

so:扩散电容越小，反向恢复时间越短，工作频率越高。

四、特殊二极管

1.齐纳二极管(稳压二极管)(实现较高电压的稳压)

①杂质浓度高，空间电荷区电荷密度大，so该区域很窄，易形成强电场。

②反向电压加到某一定值时，反向电流急增，产生反向击穿。

 注:①VZ表反向击穿电压(稳定电压)。

②曲线越陡，动态电阻rz越小，稳压性能越好。

③反向电流＜最小值时，稳压特性消失；反向电流＞最大值时，可能会被烧毁。

④稳压管正常工作，都处于反向击穿状态。

⑤稳压值Vz较大时，可忽略rz的影响，即Vz是恒定值。

2.变容二极管(结电容随反向电压的增大而减小)

3.肖特基二极管(金属-半导体结二极管)(表面势垒二极管)

①概念:利用金属与N型半导体接触，在交界面形成势垒的二极管

②特点:

(1)它是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子在PN结附近积累和消散的过程，so电容效应非常小，工作速度快，适合于高频或开关状态应用。

(2)它的耗尽区只存在于N型半导体一侧(金属是良好导体，势垒区全部落在半导体一侧)，相对较薄，so正向导通门坎电压和正向压降都比PN结二极管低，反向击穿电压低，反向漏电流大。

 4.光电二极管(光能转换为电)(光照强，反向电流大)(接收由光缆传来的光信号)

①原因:光照激发出耗尽区更多的少数载流子——电子-空穴对，增大了二极管的反向饱和电流。

 

5.发光二极管(可用于信号变换)

①发光原因:电子和空穴直接复合而放出能量。

 

6.激光二极管(产生相干的单色光信号)

①物理结构:在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，so形成光谐振腔。