三极管基础知识

一、三极管的分类

1.按材料分:硅管、锗管

①硅管的电流增加速度＞锗管(导通之后)

②硅管的漏电流小雨锗管

③硅管的反向耐压＞锗管

④锗管的导通电压＜硅管(同样电流)

2.按工作频率分:超高频管、高频管、低频管

①ft:特征频率，表征晶体管在高频时放大能力(电流放大系数下降到1时的频率)

3.按功率分:小功率——＜500mW、中功率——500mW-1W、大功率——＞1W

①功率大的三极管，结电容大，频率低

4.按结构分:npn、pnp(构造方式不一样，电路中的用法也不一样)

二、三极管的电路符号

1.贴片三极管和插件三极管引脚顺序不同

2.不要拿着插件的原理图库模型加载一个贴片的PCB封装

 三、三极管的加工工艺

贴片工艺和插件工艺

四、三极管的原理

1.NPN型

 给基极加一定的电流，来控制C极更大的电流(小电流控制大电流)，所以三极管是一个流控型器件，利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。

Uc(集电极)＞Ub(基极)＞Ue(发射极)；导通电压=Ub-Ue

2.PNP型

 Ue(发射极)＞Ub(基极)＞Uc(集电极)；导通电压=Ue-Ub

五、三极管的数据手册

1.Vcbo——发射极开路，集电极、基极的击穿电压，超过Vcbo管子就会损坏

2.Vceo——基极开路，集电极、发射极的击穿电压，超过Vceo也会损坏

3.Vebo——集电极开路，发射极、基极的击穿电压(基极为负)，超过Vebo也损坏

4.Ib——基极电流

5.Ic——集电极电流，超过最大电流也会坏

 6.Icex——发射极接地，集电极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

7.Icbo——基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

8.Iebo——基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压Veb条件下，发射极和基极之间的反向截止电流

9.β-1——直流放大倍数＝Ic/Ib

10.β-2——交流放大倍数＝ΔIc/ΔIb

11.Pc——耗散功率

12.随着频率的升高三极管的放大能力下降，Ft(特征频率)——晶体管在高频时放大能力下降到1多一个参量，F＞Ft时三极管失去电流放大能力，电路将不能工作。

六、三极管的四种状态

1.倒置状态——集电结正偏，发射结反偏

2.截止状态——三极管未导通/发射极反偏

3.放大状态——发射结正偏，集电结反偏(Ic=β*Ib)

4.临界饱和导通状态——发射结正偏，集电结0偏

5.饱和导通状态——发射结正偏，集电结正偏(Ic不受Ib的控制)

6.三极管工作状态由基极电流(Ib)控制，①Ib＝0，则工作在截止区；②0＜Ib*β＜饱和电流，则工作在放大区；③Ib*β＞饱和电流，则工作在饱和区。

注:Ic(饱和电流)最大＝10mA，若β=200，Ib＝10mA/200=0.05mA，这时候就是临界饱和导通状态，如果Ib＝1mA，Ic远远＞10mA，这时候就是饱和状态。饱和导通深度——在Ic增大时，hFE会减小，所以应让三极管进入深度饱和Ib＞＞Ic(max)/hFE。

7.饱和的条件:①集电极和电源之间有电阻存在，且越大越容易管子饱和；②基极电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉的很低，从而出现b较c电压高的情况。也就是把10V和R1看作是一个提供10mA电流的源，三极管看作是一个负载，负载电流需求比较大，就会把电压拉低。

8.影响饱和的因素:①集电极电阻越大越容易饱和；②管子的放大倍数越大越容易饱和；③集电极电流越大越容易饱和。

9.饱和后的现象:①基极的电压＞集电极的电压；②集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右 

 注:Ib给1mA时，Vbe就是0.75V，A点的电压被二极管钳位了，只要饱和导通，A点就是0.75V，但有电阻存在，给的电流大了，电压会高一点，Ic是10mA的时候，饱和导通，最大值就是0.3V。

七、三极管的开关速度

 注:C3是一个输入电容，C2是输出电容

1.延时时间Td——对C1和C3充电的时间常数，两个电容越大，充电时间越长，减小发射结和集电结的面积以减小结电容；减小基极反向电压，使发射结尽快能够进行正偏；增大基极电流，增加对电容充电的速度(但饱和深度会增加)

 2.上升时间Tr——从截止达到临界饱和需要的时间，增大基极电流，增大对电容充电的速度(但饱和深度会增加)

3.存储时间Ts——从饱和导通状态退出到临界饱和导通状态所需要的时间，基极输入电流脉冲幅度不要过大，增大基极抽取电流也减小存储时间

4.下降时间Tf——从临界饱和退出到截止的时间

 

 开通时间Ton=Td+Tr(t0-t2)(截止状态→放大状态→临界饱和导通状态)，关断后，要从饱和状态退出到临界饱和导通状态的时间，也就是存储时间是t3-t4；关断时间Toff=Tf+Ts(临界饱和导通状态→放大状态→截止状态)

5.结电容对三极管的影响:①影响开关速度；②在一定程度上起到滤波的作用。

6.增加开关速度

 给一个电压时，电容的容抗是小的，会有一瞬间的大电流从电容经过，增加了开关速度；当关断时，电容是一个左正右负，通过给PN结上加一个反向的电压，加快关断速度。

7.温度对三极管的影响

①对β的影响，β随温度的升高而增大，Ib不变，Ic就会增大

②对Icbo的影响，温度升高，Icbo增大

③雪崩击穿电压都具有正温度系数，温度升高，Vcbo、Vceo都会增加

④对输入特性曲线影响，温度升高，Vbe减小

⑤对静态工作点的影响，β、导通电压、Ic的变化都会导致静态工作点发生变化，温度升高，Q点升高，温度降低，Q点降低。

⑥温度越高，功率越低

⑦温度越高，Vce越大

8.三极管的输入输出特性曲线

八、工作在两态，饱和导通状态下:截止状态、饱和导通状态

1.N管

①非正常状态下

注:正常工作左边会有个5V的电压，如果没有加电压，输入不确定，基极相当于是高阻态，由输入的信号决定，如果有干扰信号的话，就会干扰三极管导通或者进入到放大区。假设是由一个单片机来控制的，IO口在上电和掉电的过程中，有些是非确定的状态，可能就会在高低高低之间来回跳。解决这个问题需要加一个下拉电阻。

②解决办法

 输入的信号不确定时，三极管的工作状态就由偏置电阻R3(0V)(一般取2K)决定。当输入一个方波信号，为低时，A点就是截止的，为高时，工作在饱和状态下，A点电压就是二极管导通电压0.75V。假设是1mA的饱和导通电流，(5V-0.7V)/1mA=4.3K，所以R1取4.7K。让饱和深度更深一点，R1也可以取3.3K，I总=(5V-0.7V)/3.3K=1.3mA。R3会进行分流I3=0.75V/2K=0.375mA，Ib=I总-I3≈1mA。

③检测开关有没有按下去

 若开关断开，则单片机采集到3.3V；开关闭合，则采集到0V。闭合时，R1和R3会对5V进行分压，基极就是2V，足以让二极管导通。三极管是有结电容的，没有下拉电阻，开关断开后，结电容的电继续给三极管供电，会有延迟，如果有下拉电阻，就可以从R3来放电。

总结:加下拉电阻的好处:①让三极管工作在一个确定的状态；②提高导通阈值，在一定程度防止干扰；对结电容放电，在一定程度上加速关断

2.P管

  注:R1用来限流(基极电流)，R2是上拉电阻，可以使其偏置至10V，用单片机采样开关状态，R3也是用来限流，单片机一般都是3.3V，所以需要R4来进行分压。三极管关断情况下，R3是没有信号的，这时R4相当于是下拉电阻，控制IO口是一个固定的状态。R2是10K，经过的电流就是1mA。加一个二极管，可以把电压钳位到3.3V+0.7V。

九、工作在放大状态

1.静态工作点(受温度影响)

 注:假设有5V电压输入，VCC到GND就会有电流(Ic)，会有电压Vout，两点拉一条线，与Ib的交点就是静态工作点。静态工作点设置高了，就会趋近于饱和点，饱和之后有一部分的电压放大不了，就会失真；静态工作点设置太低，下边的部分就截止了。

 2.工作在放大状态设计

①如果0＜Ib*β＜饱和电流，则三极管工作在放大区

②放大状态表现:发射结正偏，集电结反偏

③100uA＜Ic＜10mA，β＝200；0.5uA＜Ib＜50uA，β＝200。

3.共射极放大电路

Ibq(静态工作点的电流)＝(Vin-Vbe)/R1

Icq=Ibq*β

Vceq=VCC-Icq*R2

假设VCC=10V，Ic饱和电流=10mA=Icq

Ibq=10mA/200=50uA(max)，Ibq=0.5uA(min)

R2=1K，Ibq=(3V-0.7V)/R1，取一个合适的静态工作点，R1=2.3V/25uA=92K

Vout=Vceq=10V-25uA*200*1000Ω=5V。

输入5V

Ibq=(5-0.7)/92=46.7uA

Ic＝46.7uA*200＝9.34mA

Vce=Vout=(10-9.34)*1K=0.66V

输入1V

Ibq=(1-0.7)/92=3.26uA

Icq=3.26uA*200=652uA

Vcc=Vout=(10-0.652mA)*1K=9.348V

总结:不仅放大了电流，还放大了电压

Ibq=(Vin-Vbe)/R1+(Vcc-Vbe)/R3

Icq=Ibq*β

Vce=VCC-Icq*R2

假设I2=10uA，静态工作点是25uA

R3=10V/10uA=1M，I1=15uA

R1=2.3/15uA=153K

输入5V

Ibq=(5-0.7)/153.3+10uA=38uA

Icq=38uA*200=7.6mA

Vce=(10-7.6mA)*1K=2.4V

输入1V

Ibq=(1-0.7)/153.3+10uA=11.9uA

Icq=11.9uA*200=2.38mA

Vce=10-2.38mA*1K=7.62V

4.共集电极放大电路(射极跟随器)

 Ieq=Ibq*(1+β)

Icq=Ibq*β

Vin=Ibq*R43+Vbe+Ieq*R44

Ibq=(Vin-Vbe)/(R43+(1+β)*R44)；Vbe=0.7V

闭环稳定:温度升高→增益加大→Ic加大→Ibq减小→Ic减小 

VCC=10V

输入5V

最大输出电流:10mA(Ieq)

10mA=Ibq*201，Ibq=49uA

假设R43=510Ω，R44=427Ω

Vout=4.27V

输入1V

Ibq=(1-0.7)/(510+201*427)=3.47uA

Ieq=3.47uA*201=697uA

Vout=0.297V

输入3V

Ibq=5.6mA

Vout=2.39V

总结:①对电流进行放大，对电压没有放大，输入电压跟随。

②直流负反馈作用:Re值越大，反馈越强，Q点越稳定

③稳定原理:温度上升→Ic上升→Ie上升→Ve上升→Ib下降→Ic下降

5.共基极(信号从集电极输出)

 Ieq=Ibq*(1+β)

Vbq≈R2/(R2+R3)*Vcc；Ibq＜＜I1

Ieq=(Vbq-Vbe-Vin)/R1

Vout=Vcc-Ieq*R4

假设VCC=10V，最大输出电流:10mA，R4=1K

Vbq=5V+导通压降≈6V，R2=10K

R3=(10V-6V)/(6V/10K)=6.8K

Vbq=5.95V

I1=600uA

Ieq最大10mA，Ibq=49.7uA

输入1V时电流最大，10mA=(5.95V-0.7V-1V)/R1，R1=425Ω

Vout=10-49.7uA*200*1000=0.06V

输入5V

Ieq=(5.95V-0.7V-5V)/425=588uA

Icq=585uA

Vout=10-1000*0.000585=9.415V

总结:①共基极只对电压进行放大，对电流没有放大

十、三极管应用电路＆参数计算＆选型

1.设计一个开关电路C极输出

 ①基极信号为高时，集电极信号为低

②Ic=2mA  Vce=0.3   P=Vce*i=0.3*0.002=0.0006W

 2.逻辑取反，电平转换

①  A为高时，B为低，Q1打开，B拉到地；A为低时，Q1不通，Q2打开

3.继电器/LED驱动电路

①手动控制开关不方便，故用三极管来实现

②大电压时三极管开关频率过快，金属弹片会被氧化，会导致接触不良

③二极管(续流):三极管关断的时候，线圈里边还有能量(下正上负)，如果没有二极管，能量就会在A点聚集，电压变化就会过快，三极管会损坏。

Ic=5V/62Ω≈70mA；P=IU=80mA×0.3=0.024W；P4=70mA×70mA×10R

Ib=70mA/50=1.4mA

导通阈值:2V；电流:3mA

R3=(5V-2V)/0.003=1K

4.利用P管和N管，设计推挽电路(放大电流，增强驱动能力)

用3.3V的单片机推的话，后边的mos管会受到电压的影响，转成10V可以解决这个问题

①R6设计的小一点，通过的电流大

②前边给的电流是2mA，再×放大倍数100，后边的电流就是100mA，因为mos管有结电容，所以通过R6的电流越来越小，所以要放余量。

③左边为低时，mos的结电容有两个泄放回路。也可以再加一个电阻R8。

④R2左边是2.6V，Q1流过100mA，Q1功率＞Q3，所以Q1比Q3更热。

 5.利用稳压管，三极管，电阻电容等设计一个12V转5V的供电电路(负载最大20mA)(线性电源)

①串联一个电阻后，Q1的功率降低，相当于电阻替三极管承担了一部分功耗，这样三极管选型可以选的小一点。