Chapter 3 Equivalent Circuit Modeling&Losses , Chapter 4 Switch Realization

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本文详细探讨了Boost转换器的稳态等效电路建模，包括无损耗变压器模型、电感铜损和核心损耗、电容电流波形分析，以及半导体导通损耗的纳入。还涉及MOSFET、BJT和二极管等开关元件的实现及其在效率影响中的作用。

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Chapter 3 Steady-State Equivalent Circuit Modeling, Losses, and Efficiency

将开关和电容电感model成无损耗的dc transformer, 电压比为1:M(D)

因此输出电压:
$V=M(D)V_{1}\frac{R}{R+M^{2}(D)R_{1}}$

3.2 Inclusion of Inductor Copper Loss

考虑电感的resistance (copper loss+core loss).

对于boost converter, 列出电感电压和电容电流的在D和1-D期间的波形图.

可得
$\frac{V}{V_{g}}=\frac{1}{1-D}\frac{1}{1+\frac{R_{L}}{D^{'2}R}}$

3.3 Construction of Equivalent Circuit Model

根据电感电压表达式
$\left\langle v_{L} \right\rangle=0=V_{g}-IR_{L}-D'V$
和电容电流表达式
$\left\langle i_{c} \right\rangle=0=D'I-\frac{V}{R}$
利用DC transformer可以构建等效电路模型. 这对以后小信号模型推导很有用. 牢记转换到R端的左侧的电压电流和R的变换比是D`^2.

3.4 How to Obtain the Input Port of the Model

对于Buck, 电感电压和电容电流为

等效电路为

3.5 Example: Inclusion of Semiconductor Conduction Losses in the Boost Converter Model

等效模型为

Chapter 4 Switch Realization

这一章讲开关的实现, 一般是用MOSFET, BJT或者Diode.

请注意体二极管的方向, 开关管是否是正向反向都能导通等.

4.2 Introduction to Power Semiconductors

多子器件 majority-carrier devices, including the MOSFET and Schottky diode.

少子器件 minority-carrier devices, including the diffused-junction p–n diode, the bipolar junction transistor (BJT), the insulated-gate bipolar transistor (IGBT), and the thyristor family (SCR, GTO).

少子器件(BJT, IGBT)是少数载流子移动, 其Ron通常比多子器件更小. 但是其开关速度比多子器件(MOS, SBD)更慢. 因此MOS多用于低电压,开关频率高的场景.

wide-bandgap可以提升耐压和Ron. SiC可以达到600 to 1700 V. GaN达到650V.

Power switch loss就是在器件两端电流和电压的在时间上的积分/Ts.

4.3 The Power Diode

由于少子注入, 功率二极管有反向恢复过程reverse-recovery process, 即diode从开启到关闭, 从P到N的电流先为正, 然后为负电流, 过一阵子才能为零, 关闭diode, 在此期间Vdiode先为VF, 后为负.

在t0时刻, 外围电路例如电感和switch开始改变current, di/dt由外围电路决定. t1开始diode电流为负, 开始反向恢复过程. t4结束. t0-t4 为反向恢复时间reverse recovery time, tr. 负向电流Total charger为recovered charge.

请注意diode的reverse charge很引入较大loss, 因为电流为负, 电压为0.7V(VF), switch上loss会变大.

对于buck效率影响:对于buck, duty ratio越低, diode造成系统效率越低, 直观理解上管开启越久, diode开启越短, loss越小.

对于boost效率影响:对于boost, duty ratio越高, diode造成系统效率越低. 直观理解diode开启越久, loss越大

4.4 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)

MOSFET为多子器件. VDS可以抗高压, 但是Vgs耐压有限(一般小于10V)

GaN FET会形成2DEG (二维电子气). 不会有body-diode. 但是the GaN FET cannot block negative voltage. 即VDS < -Vth时, FET也会导通.

对于half-bridge gate driver, 其结构如下. Rthev代表driver的输出电阻, 为10 ohm级别.

下图展示了实际电流和电压波形, tr为D2 reverse recovery time. 在tvr时间内, 由于Vs(LX)在上升, 给Cgd充电, 电流: igd=Cgd*dvs/dt. 因为driver的电流idr=0, 这股igd电流充Cgs造成Vgs上升. 当Vgs上升到Vth以上会造成Q2误开启, 造成Q1和Q2串通.