AP40G06NF 60V N+P沟道增强型MOSFET

■产品描述：

AP40G06NF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。

■一般特性：

VDS = 60V ID =42A

RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=10V （Type：11mΩ）

VDS = -60V ID =-38A

RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=-10V （Type：30mΩ）

■产品应用：

无线充电

升压驱动器

无刷电机