APG120N12NF 120V N沟道增强型MOSFET恒锐丰科技

■产品描述:

APG120N12NF采用先进的SGT II技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。

■一般特性:

VDS=120V ID=120A

RDS(ON)<6.8mΩ@VGS=10V(类型:6.0mΩ)

■产品应用:

手机快充、无刷电机、家电控制板

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