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原创 AP10V02S -20V P沟道增强型MOSFET
可提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。AP10V02S采用先进的沟槽技术。授权代理 恒锐丰科技。
2024-09-29 12:26:55 125
原创 AP120N02D 20V N沟道增强型MOSFET
AP120N02D采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-12 00:17:59 107
原创 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET
AP2222D采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-12 00:17:20 301
原创 AP2300AI 20V N沟道增强型MOSFET
AP2300AI采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-12 00:16:41 117
原创 AP2300BI 20V N沟道增强型MOSFET
AP2300BI采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-12 00:16:03 89
原创 AP2300MI-L 20V N沟道增强型MOSFET
AP2300MI-L采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-12 00:15:30 83
原创 EG3014 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
EG3014 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 10K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通。 静态电流小:4.5mA。
2024-06-08 18:18:06 248
原创 EG2125 600V 带过流保护全桥驱动芯片
EG2125 是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD 控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.8/1.3A,采用 SSOP24 封装。 输出电流能力 IO+/- 0.8A/1.3A。 过流保护功能,高电平关闭 HO、LO 输出。
2024-06-08 18:16:41 185
原创 EG3014S 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
EG3014S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 10K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通。 静态电流小:4.5mA。
2024-06-08 18:13:13 196
原创 EG2129 带过流保护全桥驱动芯片
EG2129 是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.6/1.0A,采用 SSOP24 封装。 过流保护功能,高电平关闭 HO、LO 输出。 适应 5V、3.3V 输入电压。 封装形式:SSOP24。
2024-06-08 18:12:25 202
原创 EG2126 两路半桥驱动电路芯片
EG2126 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了 5V 的 LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,更适合用于全桥拓扑电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO +1.8A/-1.8A,采用 SOP28L 封装。 适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-06-08 18:11:45 303
原创 XPD720 USB Type-VPD/PPS 多协议控制器
XPD720 是 一 款集成 USB Type-C、USB Power Delivery(PD)2.0/3.0 以 及 PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0 快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP 快充协议、三星AFC 快充协议、BC1.2。DCP 以及苹果设备2 .4A 充电规范的多协议端口控制器,为AC-DC 适配器、车载充电器。
2024-06-07 14:32:22 127
原创 EG2183D 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
EG2183D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻, LIN 内建了上拉 5V 高电位,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2.5A,采用 SOP8封装。◼ 适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-06-06 13:17:26 143
原创 EG21814 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
EG21814 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG21814 高端的工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V~20V,静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2.5/3A,采用 SOP14 封装。 封装形式:SOP14。
2024-06-06 13:16:36 218
原创 EG2181 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
EG2181 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2.5A,采用 SOP8 封装。 静态电流小于 5uA,非常适合电池场合。 适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-06-06 13:16:06 248
原创 EG3113 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
EG3113 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻, LIN 内建了上拉 5V高电位,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 1/1.5A,采用 SOP8 封装。 适应 5V、3.3V 输入电压。 内建死区控制电路。
2024-06-06 13:15:30 150
原创 EG2186 高压 600V 半桥驱动芯片
EG2186 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2186 高端的工作电压可达 600V,低端 VCC 的电源电压范围宽 10V~20V,静态功耗小于 200uA。输入通道 HIN 内建了一个 250K 下拉电阻,LIN 内建了一个250K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 4/4A,采用 SOP8 封装。
2024-06-05 15:44:57 153
原创 EG2184 带 SD 功能 MOS 管驱动芯片
EG2184 是一款高性价比的带SD功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻SD内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 1.9/2.3A,采用 SOP8 封装。◼ 低端 VCC 电压范围 10V-20V。◼ DC-DC 电源。
2024-06-05 15:43:19 221
原创 EG2183D 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
EG2183D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻, LIN 内建了上拉 5V 高电位,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2.5A,采用 SOP8封装。◼ 适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-06-05 15:42:35 185
原创 EG21814 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
EG21814 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG21814 高端的工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V~20V,静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2.5/3A,采用 SOP14 封装。 封装形式:SOP14。
2024-06-05 15:39:13 160
原创 EG2181 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
EG2181 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2.5A,采用 SOP8 封装。 静态电流小于 5uA,非常适合电池场合。 适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-06-05 15:38:40 179
原创 EG3002 单通道功MOSFET驱动芯片
EG3002 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。EG3002 电源电压范围宽 3V~30V,静态功耗低仅 2mA,输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚,可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。 宽电压输入范围:+3V - +30V。
2024-06-04 18:20:13 185
原创 EG2304 高压 600V 半桥 MOS 管驱动芯片
EG2304 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。该芯片输入通道 HIN内建了一个 200K 下拉电阻,LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A,采用 SOP8 封装。 低端 VCC 电压范围 10V-25V。 适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-06-04 18:17:40 391
原创 EG2130 带 SD 功能 MOS 管驱动芯片
内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC 中的驱动电路。EG2130 高端的工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V~20V,静态功耗小于 1uA。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻,SD̅̅̅̅内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 1/1.5A,采用 SOP8 封装。 适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-06-04 18:16:54 177
原创 EG2124A 三相独立半桥驱动芯片
EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO +0.8A/-1.2A,采用 TSSOP20 和 QFN24 封装。◼ 低端 VCC 电压范围 7V-20V。◼ 适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-06-04 18:15:50 166
原创 EG2113S 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
EG2113S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2A/2A,采用 SO16(宽体)封装。 适应 5V、3.3V 输入电压。 封装形式:SOP16(宽体)
2024-06-04 18:13:51 426
原创 AP25G10NF 100V N+P沟道增强型MOSFET
AP25G10NF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-03 21:29:19 128
原创 AP25G10GD 100V N+P沟道增强型MOSFET
AP25G10GD采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-03 21:28:41 295
原创 AP15G10GD 00V N+P沟道增强型MOSFET永源微
AP15G10GD采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-03 20:10:18 113
原创 AP8G10NF 100V N+P沟道增强型MOSFET
AP8G06NF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
2024-06-03 20:09:44 112
原创 AP5G10S 100V N+P沟道增强型MOSFET
AP5G10S采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-03 20:08:00 237
原创 AP4G06LI 60V N+P沟道增强型MOSFET
AP4G06LI采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-01 19:52:54 116
原创 AP50G06GD 60V N+P沟道增强型MOSFET
AP50G06GD采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-01 19:52:01 105
原创 AP40G06NF 60V N+P沟道增强型MOSFET
AP40G06NF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-01 19:51:19 125
原创 AP20G06DF 60V N+P沟道增强型MOSFET
AP20G06DF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-01 19:49:32 124
原创 AP20G06GD 60V N+P沟道增强型MOSFET
AP20G06GD采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-06-01 19:48:49 133
原创 NP60N04 N沟道分裂栅沟槽增强模式MOSFE
NP60N04采用分体式栅槽技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。二者都导通和开关功率损耗最小化由于RDS(ON)和问题。该设备是高频开关的理想选择。 优秀的栅极电荷x RDS(ON)产品(FOM) 导通电阻极低RDS(on) 非常适合高频开关和同步整流。 150°C工作温度。 100%UIS测试。 DC/DC转换器。
2024-05-31 14:35:42 113
原创 AP10G06S 60V N+P沟道增强型MOSFET
AP10G06S采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。
2024-05-31 14:34:57 392
原创 AP10G06NF 60V N+P沟道增强型MOSFET
AP10G006N采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。
2024-05-31 14:33:11 123
原创 AP8G06S 60V N+P沟道增强型MOSFET
AP8G06S采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。电池保护或其他开关应用。
2024-05-31 14:32:38 245
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