恒锐丰科技HRF-CSDN博客

原创 AP120N02D 20V N沟道增强型MOSFET

AP120N02D采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。

2024-06-12 00:17:59 75

原创 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET

AP2222D采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。

2024-06-12 00:17:20 271

原创 AP2300AI 20V N沟道增强型MOSFET

AP2300AI采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。

2024-06-12 00:16:41 87

原创 AP2300BI 20V N沟道增强型MOSFET

AP2300BI采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。

2024-06-12 00:16:03 66

原创 AP2300MI-L 20V N沟道增强型MOSFET

AP2300MI-L采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。

2024-06-12 00:15:30 60

EG3014 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通。 静态电流小：4.5mA。

2024-06-08 18:18:06 167

原创 EG2125 600V 带过流保护全桥驱动芯片

EG2125 是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD 控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.8/1.3A，采用 SSOP24 封装。 输出电流能力 IO+/- 0.8A/1.3A。 过流保护功能，高电平关闭 HO、LO 输出。

2024-06-08 18:16:41 138

原创 EG3014S 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

EG3014S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通。 静态电流小：4.5mA。

2024-06-08 18:13:13 156

原创 EG2129 带过流保护全桥驱动芯片

EG2129 是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.6/1.0A，采用 SSOP24 封装。 过流保护功能，高电平关闭 HO、LO 输出。 适应 5V、3.3V 输入电压。 封装形式：SSOP24。

2024-06-08 18:12:25 166

原创 EG2126 两路半桥驱动电路芯片

EG2126 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了 5V 的 LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO +1.8A/-1.8A，采用 SOP28L 封装。 适应 5V、3.3V 输入电压。

2024-06-08 18:11:45 203

原创 XPD720 USB Type-VPD/PPS 多协议控制器

XPD720 是一款集成 USB Type-C、USB Power Delivery(PD)2.0/3.0 以及 PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0 快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP 快充协议、三星AFC 快充协议、BC1.2。DCP 以及苹果设备2 .4A 充电规范的多协议端口控制器，为AC-DC 适配器、车载充电器。

2024-06-07 14:32:22 105

原创 EG2183D 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

EG2183D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻， LIN 内建了上拉 5V 高电位,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8封装。◼ 适应 5V、3.3V 输入电压。

2024-06-06 13:17:26 106

原创 EG21814 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

EG21814 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG21814 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V，静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2.5/3A，采用 SOP14 封装。 封装形式：SOP14。

2024-06-06 13:16:36 188

原创 EG2181 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

EG2181 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8 封装。 静态电流小于 5uA，非常适合电池场合。 适应 5V、3.3V 输入电压。

2024-06-06 13:16:06 126

原创 EG3113 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

EG3113 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻， LIN 内建了上拉 5V高电位,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 1/1.5A，采用 SOP8 封装。 适应 5V、3.3V 输入电压。 内建死区控制电路。

2024-06-06 13:15:30 125

原创 EG2186 高压 600V 半桥驱动芯片

EG2186 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2186 高端的工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V～20V，静态功耗小于 200uA。输入通道 HIN 内建了一个 250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 4/4A，采用 SOP8 封装。

2024-06-05 15:44:57 119

原创 EG2184 带 SD 功能 MOS 管驱动芯片

EG2184 是一款高性价比的带SD功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻SD内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 1.9/2.3A，采用 SOP8 封装。◼ 低端 VCC 电压范围 10V-20V。◼ DC-DC 电源。

2024-06-05 15:43:19 191

原创 EG2183D 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

EG2183D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻， LIN 内建了上拉 5V 高电位,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8封装。◼ 适应 5V、3.3V 输入电压。

2024-06-05 15:42:35 167

原创 EG21814 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

EG21814 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG21814 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V，静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2.5/3A，采用 SOP14 封装。 封装形式：SOP14。

2024-06-05 15:39:13 133

原创 EG2181 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

EG2181 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8 封装。 静态电流小于 5uA，非常适合电池场合。 适应 5V、3.3V 输入电压。

2024-06-05 15:38:40 158

原创 EG3002 单通道功MOSFET驱动芯片

EG3002 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。EG3002 电源电压范围宽 3V～30V，静态功耗低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。 宽电压输入范围：+3V - +30V。

2024-06-04 18:20:13 152

原创 EG2304 高压 600V 半桥 MOS 管驱动芯片

EG2304 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。该芯片输入通道 HIN内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。 低端 VCC 电压范围 10V-25V。 适应 5V、3.3V 输入电压。

2024-06-04 18:17:40 363

原创 EG2130 带 SD 功能 MOS 管驱动芯片

内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC 中的驱动电路。EG2130 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V～20V，静态功耗小于 1uA。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD̅̅̅̅内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS管处于关闭状态，输出电流能力 IO+/- 1/1.5A，采用 SOP8 封装。 适应 5V、3.3V 输入电压。

2024-06-04 18:16:54 147

原创 EG2124A 三相独立半桥驱动芯片

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO +0.8A/-1.2A，采用 TSSOP20 和 QFN24 封装。◼ 低端 VCC 电压范围 7V-20V。◼ 适应 5V、3.3V 输入电压。

2024-06-04 18:15:50 143

原创 EG2113S 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

EG2113S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2A/2A，采用 SO16(宽体)封装。 适应 5V、3.3V 输入电压。 封装形式：SOP16(宽体)

2024-06-04 18:13:51 396

空空如也

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