AP10V02S -20V P沟道增强型MOSFET

于 2024-09-29 12:26:55 发布
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描述：

AP10V02S采用先进的沟槽技术

可提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作

该器件适用于电池保护或其他开关应用。

特征：

VDS = -20V ID =-10A

RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=-4.5V (Type：24mΩ)

应用：

电池保护

负载开关

不间断电源

恒锐丰科技HRF
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