- 博客(17)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 ④sentaurus仿真finfet——Finfet工艺建模例程学习
AdvancedCalibration, AdvancedCalibrationMechanics: 调用高级校准模块，这些命令通常用于加载更精确的物理模型参数库，特别是针对力学行为的校准。source mechParams.fps: 从外部文件 mechParams.fps中加载预先定义好的力学参数（如材料的弹性模量、泊松比等）。pdbSet Math flow 3D ILS.tolrel 1e-11: 设置三维求解器中迭代线性求解器（ILS）的相对容差为极小的值（1e-11），以确保力学计算的高精度。
2026-01-15 18:42:20
309
原创 ③sentaurus仿真finfet——bulk-finfet器件建模
本文介绍了三栅MOSFET和FinFET器件的三维建模方法。对于三栅MOSFET，详细说明了通过SDE工具构建3D FinFET结构的步骤，包括坐标设定、基本结构组成（源极、漏极、沟道等）的创建流程，以及接触定义和材料设置。同时阐述了使用Sentaurus软件进行器件特性分析的方法。在FinFET部分，重点描述了ABA模式下的制造工艺，包括多晶硅梯形区域构建、绝缘层氧化铪材料沉积、沟道掺杂处理，以及源漏极的梯形结构制作和边缘倒角化工艺。文章通过具体坐标和材料参数展示了两种器件的完整建模过程。
2026-01-15 18:42:15
963
原创 深入理解mosfet⑦——小尺寸mosfet的阈值电压修正，roll-off、up，NEW，DIBL，亚阈值特性，热载流子效应
MOSFET尺寸缩小时会引发多种效应：短沟道效应导致阈值电压下降，反常短沟道效应则使阈值电压上升；窄沟道效应使阈值电压增加；DIBL现象使阈值电压随漏源电压升高而降低；短沟道器件亚阈值特性恶化，易出现亚表面穿通；热载流子效应加剧。这些效应需通过工艺改进如浅漏结、STI隔离、halo注入、LDD结构等措施来抑制。
2026-01-02 21:24:36
1335
原创 深入理解mosfet④，mosfet的击穿特性、频率特性、开关特性、cmos技术
本文主要分析了MOSFET的击穿机制、频率特性和开关特性。在击穿方面，讨论了漏源击穿（包括雪崩击穿和沟道击穿）、栅击穿的原理及影响因素。频率特性部分阐述了寄生电容效应、跨导截止频率的计算方法及提高频率特性的途径。开关特性则分析了充放电时间常数的影响因素，并指出CMOS技术能显著改善开关性能。全文系统性地探讨了MOSFET器件在多物理场作用下的工作特性，为器件设计和优化提供了理论基础。
2025-12-31 18:01:24
827
原创 深入理解mosfet⑥，非理想因素——体电荷变化效应、非零漏电导（沟长调制）、串联电阻、跨导极值
GCA假设了y方向电场几乎不变，也就是y方向电场对载流子浓度没有影响，即只有费米能级在沟道不同位置发生分裂，而能带结构一直不变，实际上当VDS较大的时候，GCA就不再成立了，这时候QB是y的函数。漏端空间电荷区宽度更大，重新计算反型层电子，漏端QB增大，所以反型层电子比理想情况下更小。最后得到IDS公式，发现没有确定的VT。
2025-12-29 21:21:40
234
原创 深入理解mosfet⑤，非理想因素——亚阈值电流、迁移率变化、GIDL
摘要：本文分析了MOSFET中的亚阈值电流特性及其影响因素。亚阈值区存在弱反型状态下的扩散电流，其计算公式与表面势呈指数关系，亚阈值摆幅存在60mV下限。迁移率受沟道电场影响会下降，导致跨导变化。GIDL效应在栅漏交叠处产生隧穿电流，可通过优化工艺和结构（如LDD）来抑制。研究结果为MOSFET特性优化提供了理论依据。
2025-12-29 21:10:45
826
原创 深入理解mosfet②--mosfet的电容电压特性，cv关系曲线以及影响因素
这部分参考刘恩科半导体物理第八章，一维情况下表面空间电荷区泊松方程可以写成其中，,p型衬底沿体内向表面电势升高，载流子浓度为，当x无限大时候，由电中性可以得到，泊松方程可以化简为两边同×dV再对-E算积分，就可以得到表面电场，表达式为，式中，根据高斯定理做包络面，，由于Cs=dQ/dV。
2025-12-26 21:13:27
762
原创 深入理解mosfet①--mosfet基本结构，工作状态，主要参数，阈值电压影响因素，衬底偏置效应，三维能带和电势
mosfet基本结构，工作状态与阈值电压
2025-12-25 20:31:07
403
原创 ②sentaurus仿真mosfet工艺，sprocess与sdevice基础命令学习（毕业设计，课程设计）
本文详细介绍了90nm NMOS器件的工艺建模与电学性能仿真过程。在工艺建模部分，采用50nm网格划分硅衬底，通过离子注入、退火、LDD注入、halo注入等步骤形成p阱和漏极结构，并使用氧化硅/氮化硅侧墙工艺。电学仿真部分调用Sentaurus TCAD工具，设置四电极结构，考虑载流子迁移率、复合等物理效应，求解泊松方程和载流子连续性方程。最终完成了从工艺实现到器件特性分析的全流程仿真，为90nm MOSFET的优化设计提供了完整的技术方案。
2025-12-24 15:35:01
407
原创 ①sentaurus仿真mosfet和pnj，sde与sdevice基础命令学习（课程设计，毕业设计）
sentaurus仿真二极管和nmos，基于sde进行器件建模，通过sdevice仿真器件的电学性能
2025-12-23 01:45:28
941
原创 SOI MOSFET器件结构设计和性能仿真（课程设计、毕业设计）
但是实际电场强度很大的时候，随着温度增大，si的声学波散射增大，迁移率下降，漂移速度达到饱和，这时候的载流子称为热载流子。高温下，导带和价带间的带隙会缩小，从而影响MOS管的导通特性。实际沟道是理想沟道长度上再减去ΔL，所以由于沟道长度调制，实际的饱和区电流是在理论值上叠加一段，而且这个叠加的值随VD增大而增大，这就出现了饱和区电流大于零的斜率。从公式可以看到，理想公式中栅极电压，阈值电压沟道宽长比，un电子迁移率，栅氧化层厚度，P衬底掺杂，sio2-si界面电荷这些因素都会影响饱和区电流。
2025-05-28 15:56:24
1520
2
原创 silvaco TCAD仿真三极管BJT(课程设计、毕业设计)
1.学会根据工艺和电学参数要求设计双极型晶体管结构（有埋层）2.学习设计一个双极型晶体管的工艺流程3.学会使用TCAD实现所设计的双极型晶体
2025-05-23 16:32:17
4259
原创 Windows版silvaco2018下载安装
19、选择文件路径为E:\silvaco\_Getintopc.com_Silvaco_TCAD_2018x64\Silvaco_TCAD_2018x64\Crack\License_Getintopc.com.lic。14、进入E:\silvaco\_Getintopc.com_Silvaco_TCAD_2018x64\Silvaco_TCAD_2018x64\Crack。9、进入E:\silvaco\install\Shortcuts，右击管理员运行Start Server，输入任意密码。
2025-04-27 12:25:11
1424
1
原创 课设笔记2-silvaco仿真mosfet，输出FDSOImosfet器件结构，仿真mosfet的输出特性和转移特性曲线，讨论饱和区漏极电流的影响因素
silvaco仿真mosfet，输出FDSOI器件结构，仿真mosfet的输出特性和转移特性曲线，讨论饱和区漏极电流的影响因素，分析一些非理想因素对输出特性曲线的影响。
2025-04-24 14:41:18
5681
13
原创 课设笔记1-silvaco仿真BJT，分析共基极共射极输出特性、击穿特性，电场分布与能带
使用silvaco的Athena和atlas仿真满足特定工艺和电学参数的BJT双极性晶体管，分析共基极共射极输出特性、击穿特性，电场分布与能带，
2025-04-20 02:49:50
4073
4
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人