FQPF5N60C
规格信息:
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:4.5 A
Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:33 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:16.3 mm
长度:10.67 mm
系列:FQPF5N60C
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:4.7 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:4.7 S
下降时间:46 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:42 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:38 ns
典型接通延迟时间:10 ns
零件号别名:FQPF5N60C_NL
单位重量:2.270 g
4F6-3A250V是一款电解电容器,主要用于在电子设备中存储电荷和滤波。电容器的基本工作原理是利用两个导体之间的电场来存储电荷。电解电容器具有较高的电容值和较低的成本,因此在各类电子产品和电气设备中得到广泛应用。
主要特点:
1. 额定电压:250V AC(交流)。
2. 额定电流:3A。
3. 电容量:4F6(4.6微法)。
4. 类型:电解电容器。
5. 绝缘介质:通常为聚丙烯或聚酯薄膜。
6. 封装形式:轴向引脚封装,体积较小,便于安装。
7. 应用领域:广泛应用于家电、电源、音响、通信设备等领域。
在电路中,4F6-3A250V电解电容器主要用于交流电源滤波、信号耦合、去耦、谐振等场合。由于其具有较高的电容值和较低的成本,因此在需要较大电容值的场合具有较好的应用前景。在使用时,请确保工作电压和电流不超过电容器的额定值,以避免发生安全隐患。
FQPF5N60C相关类型PDF文件资料
FQPF5N60
FQPF5N50CFTU
FQPF5N50CF
FQPF5N50C
FQPF5N50
FQPF5N40
FQPF5N30
FQPF5N20L
FQPF5N20
FQPF5N15
FQPF58N08
FQPF55N10
FQPF50N06L
FQPF50N06
FQPF4P40
FQPF4P25
FQPF4N90CT
FQPF4N90C
FQPF4N90
FQPF4N80
FQPF4N60C
FQPF4N60
FQPF4N50
FQPF4N25
FQPF4N20L
FQPF4N20
FQPF47P06YDTU
FQPF47P06
FQPF46N15
FQPF45N15V2
FQPF45N03L
FQPF44N10
FQPF44N08T
FQPF44N08
FQPF3P50