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RSS订阅原创 中文资料G6K-2P-DC5 欧姆龙继电器
1. 电子产品：这可能是一款电子产品的型号，比如手机、电脑或者其他电子设备的一部分。2. 工业部件：它也可能是工业设备或机械部件的型号，比如泵、电机或其他控制设备。触点额定值:300 mA at 125 VAC, 1 A at 30 VDC。零件号别名:G6K-2PDC5 G6K2PDC5 G6K2PDC5NC。继电器触点形式:2 Form C (DPDT-NO, NC)触点形式:DPDT (2 Form C)线圈类型:Non-Latching。触点材料:Silver (Ag)触点电流额定值:1 A。
2024-04-19 09:30:13
548
原创 中文资料CH340G SB总线转接芯片
它能够将USB接口转换为一个或多个通用串行接口（UART），使得USB设备能够与串口设备进行通信。这款芯片广泛应用于各种USB转串口线缆、模块和开发板上，以提供PC或其他设备与微控制器、传感器、嵌入式系统等之间的通讯接口。由于其可靠性和易用性，CH340G 在电子爱好者和专业开发者中得到了广泛的使用，尤其在需要将古老的串口设备连接到现代的USB接口上的场合。- 支持虚拟COM端口（VCP）驱动程序，简化USB到串口的通信配置。- 可配置为多个独立的串口，每个串口支持自定义波特率。电源电压3.3V, 5V。
2024-04-19 09:12:56
367
原创 中文资料BA10339F SOP14 贴片 模拟比较器
BA10339F 可应用于各种音频、视频和数据传输系统，如音响设备、电视、计算机等。典型单电源电压12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V, 5 V, 9 V。1. 高性能模拟开关：具有高带宽和低导通电阻特性，实现高速、高效的数据传输。2. 工作电压范围：支持2.7V至5.5V的工作电压范围，兼容多种电源系统。典型双电源电压±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V。4. 封装形式：采用小型的QFN封装，节省板上空间，便于安装。尺寸8.7 x 4.4 x 1.39mm。
2024-04-18 15:36:46
221
原创 中文资料AGQ2004H 拆机正品松下继电器
该芯片支持10GBASE-T以太网标准，能够在铜缆上实现高达10Gbps的数据传输速率。3. 高级流量管理：支持优先级队列、流量整形、拥塞控制等高级流量管理功能，确保数据传输的高效和稳定。2. 兼容性：向下兼容1000BASE-T和100BASE-TX以太网标准，方便对接现有网络设备。1. 高速数据传输：支持10GBASE-T以太网标准，提供高达10Gbps的数据传输速率。6. 封装形式：采用小型的QFP或BGA封装，节省板上空间，便于安装。继电器触点形式:2 Form C (DPDT-NO, NC)
2024-04-18 14:59:56
856
原创 中文资料XC7A35T-2FGG484I 微控制器可编程IC
XC7A35T-2FGG484I 可应用于各种复杂应用场景，如通信基站、数据中心、工业控制、图像处理等。3. 高速串行通信接口：支持PCIe、10Gbps以太网、Serial RapidIO等高速串行通信协议，实现高速数据传输。2. 逻辑资源：包含组合逻辑、时钟管理、分布式RAM、嵌入式乘法器等丰富的逻辑资源，满足复杂数字信号处理需求。5. 低功耗设计：采用节能技术，如动态电源管理、低功耗逻辑单元等，降低系统功耗。6. 封装形式：采用先进的BGA封装，减小了封装尺寸，提高了集成度。
2024-04-18 14:24:20
274
原创 中文资料W25Q32JVSSIQ FLASH闪存芯片
该器件采用先进的Flash存储技术，具有高读取速度和高耐久性，适用于各种数据存储应用，如嵌入式系统、工业控制、消费电子等。其高速读取性能和高耐久性使其成为追求高数据传输速率和高可靠性的存储系统设计的理想选择。2. 高达32MB的存储容量：提供充足的存储空间，满足各种数据存储需求。6. 封装形式：采用小型的QFP或DFN封装，节省板上空间，便于安装。4. 耐久性：可进行100万次的编程/擦除操作，具有较长的使用寿命。电源电压-最小:2.7 V。电源电压-最大:3.6 V。最小工作温度:- 40 C。
2024-04-18 14:02:04
257
原创 中文资料STM32F103ZET6 微控制器单片机IC
该微控制器具有丰富的外设接口和高处理能力，适用于各种嵌入式应用，如工业控制、医疗设备、消费电子等。3. 多种外设接口：集成USART、SPI、I2C、USB、CAN等多种通信接口，以及ADC、DAC、PWM等模拟和数字外设。4. 高级安全特性：支持AES、RSA等加密算法，以及安全启动和安全固件更新功能，保障系统安全。外设：DMA，电机控制 PWM，PDR，POR，PVD，PWM，温度传感器，WDT。连接性：CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB。
2024-04-18 13:47:14
552
原创 中文资料MPU-6050 三轴加速度传感器陀螺仪
MPU-6050可以应用于各种需要进行运动追踪和姿态控制的场合，如智能手机、平板电脑、游戏机、无人机、机器人等。1. 集成三轴加速度计和三轴陀螺仪：能够测量物体在三个方向上的加速度和角速度，实现六自由度（6DoF）的运动追踪。2. 微电子机械系统（MEMS）技术：采用微型化工艺，减小了尺寸和重量，降低了功耗。6. 封装形式：采用小型的QFP封装，减小了安装空间，提高了集成度。电源电压-最小:2.375 V。电源电压-最大:3.46 V。最小工作温度:- 40 C。传感器类型:6-axis。
2024-04-18 12:03:15
238
原创 中文资料IS62WV51216BLL-55TLI 存储芯片
IS62WV51216BLL-55TLI 是由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产的一款高性能、低功耗的移动设备专用存储器产品。这是一款同步动态随机存取存储器（SDRAM），具有16位数据宽度和512Mbit（64MB）的存储容量。IS62WV51216BLL-55TLI 适用于各种移动设备，如智能手机、平板电脑、数码相机等，为其提供高速、大容量的内存解决方案。3. 512Mbit（64MB）存储容量：提供了足够的存储空间，满足移动设备的各种数据存储需求。
2024-04-18 11:44:23
917
原创 中文资料IRFB4227PBF 电桥驱动器驱动芯片
IRFB4227PBF 是由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的一款功率半导体器件，它是一种高性能N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻、高耐压和高速开关特性，适用于各种高效率和高频率的电源转换和驱动应用。3. 低导通电阻：典型的导通电阻值为0.42Ω（最大值为0.55Ω），在高电流应用中可实现低损耗和高效率。5. 封装形式：TO-252-3L（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于高功率应用。Vgs - 栅极-源极电压:30 V。
2024-04-18 11:28:45
863
原创 中文资料IR2103STRPBF 电桥驱动器驱动芯片
IR2103STRPBF 可广泛应用于各种电机驱动和电源转换领域，如工业自动化、机器人、新能源汽车、家电等。5. 内部保护功能：包括过流保护、过热保护和短路保护，确保了器件在恶劣条件下的稳定性和可靠性。1. 集成驱动器、MOSFET和保护功能：简化了电路设计，降低了系统成本和尺寸。4. StriX封装：紧凑的封装设计，减小了器件体积，提高了散热性能。类型:High Side, Low Side。最大关闭延迟时间:220 ns。最大开启延迟时间:820 ns。封装 / 箱体:SOIC-8。
2024-04-18 11:16:43
408
原创 中文资料VTB1113H 硅光电二极管
1. 高品质因数：VTB1113H具有较低的直流电阻和较高的感值，使得其品质因数（Q值）较高，可实现高效的信号传输和能量转换。总之，VTB1113H是一款高性能的贴片功率电感器，适用于各种电子和电气系统的设计，如开关电源、滤波器、谐振电路等。5. 工作温度范围广：该功率电感器的工作温度范围为-40°C至+125°C，适用于各种环境条件下的应用。3. 低损耗：VTB1113H采用先进的材料和技术制造，具有较低的损耗，可在高频下稳定工作。封装/外壳径向，带透镜的金属罐，TO-46-2。有效面积1.60mm²。
2024-04-18 10:22:12
194
原创 中文资料NTCLE100E3103HB0 热敏电阻
总之，NTCLE100E3103HB0是一款具有低正向电压降和高速开关特性的肖特基二极管，适用于各种电子和电气系统的设计，如开关电源、稳压器、逆变器等。5. 封装形式多样：NTCLE100E3103HB0提供多种封装形式，如DO-214AA、SOD-123FL等，以满足不同应用需求。2. 低正向电压降：NTCLE100E3103HB0的典型正向电压降(Vf)为0.35 V，可降低系统功耗。3. 高速开关：该肖特基二极管的反向恢复时间(trr)较短，开关性能优良，适用于高频应用。类别：传感器，变送器。
2024-04-18 10:11:20
865
原创 中文资料MP1584EN-LF-Z 贴片SOP8
3. 输出电压可调：MP1584EN-LF-Z的输出电压可通过外部电阻分压器进行调节，可实现从0.6 V至输入电压之间的任意输出电压。1. 高效率同步降压稳压器：MP1584EN-LF-Z采用先进的同步整流技术，可实现高达95%的转换效率，降低系统功耗。6. 封装形式多样：MP1584EN-LF-Z提供多种封装形式，如MSOP-8、TSSOP-16等，以满足不同应用需求。总之，MP1584EN-LF-Z是一款高性能、高效率、宽输入电压范围的同步降压稳压器，适用于各种电子和电气系统的设计。
2024-04-18 10:03:20
289
原创 中文资料LM4040DIM3-10.0 电压基准芯片
总之，LM4040DIM3-10.0是一款高精度、低温度漂移的固定电压基准源，适用于各种电子和电气系统的设计，如数据转换器、传感器、基准电压发生器等。1. 高精度电压基准源：LM4040DIM3-10.0提供10.0 V的固定输出电压，具有很高的电压稳定性和精度，典型值为±0.01%。5. 封装形式多样：LM4040DIM3-10.0提供多种封装形式，如SOT-23、SC70等，以满足不同应用需求。2. 低温度漂移：该电压基准源的温度系数典型值为25 ppm/°C，可在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出。
2024-04-18 09:46:32
967
原创 中文资料FDN359BN MOS场效应管全系列现货供应
5. 封装形式多样：FDN359BN提供多种封装形式，如TO-220、TO-263、D2PAK等，以满足不同应用需求。3. 低导通电阻：FDN359BN的典型导通电阻(Rds(on))仅为17 mΩ，可实现高效能和低功耗的电路设计。总之，FDN359BN是一款高性能、高耐压、低导通电阻的N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种电子和电气系统的设计。1. 高性能N沟道FET：FDN359BN采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻、高速开关性能和高耐压等特点。Vgs - 栅极-源极电压:20 V。
2024-04-18 09:37:52
310
原创 中文资料CD4051BM 多路复用器
CD4051BM的主要功能是对一组输入信号进行选择和切换，将选定的信号传输到输出端。1. 8通道模拟多路复用器/多路分解器：该IC可以连接8个输入信号，并根据地址输入选择其中一个输入信号传输到输出端。总之，CD4051BM是一款高性能、多功能的模拟多路复用器/多路分解器IC，适用于各种电子和电气系统的设计。3. 工作电压范围宽：CD4051BM的工作电压范围为4 V至18 V，适用于多种电源供电系统。4. 耐高压特性：该IC的输入和输出端口具有较高的耐压能力，可承受高达28 V的电压。
2024-04-18 09:27:39
620
原创 中文资料BC857C 三态输出八路缓冲器和线路驱动器
它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用。2. 低导通电阻：BC857C 的典型导通电阻（Rds(on)）为 50mΩ（在 Vgs = 10V 时）/80mΩ（在 Vgs = 4.5V 时），降低了导通状态下的功耗。1. 高性能：BC857C 的最大漏源电压（Vds）为 30V，最大漏电流（Id）为 2.5A（在 25°C 时）/1.2A（在 100°C 时），提供了高性能的开关能力。3. 快速开关：BC857C 的典型开关时间为 25ns（在 Vgs = 10V 时），适用于高频开关应用。
2024-04-17 14:43:35
495
原创 中文资料TMP102AIDRLR 温度传感器芯片
1. 高精度温度测量：TMP102AIDRLR 的温度测量精度为 ±0.5°C，在 -40°C 至 125°C 的温度范围内提供稳定的温度测量性能。5. 工作温度范围：TMP102AIDRLR 可在 -40°C 至 125°C 的温度范围内稳定工作，适用于各种环境条件下的温度监测应用。4. 封装：TMP102AIDRLR 提供小型的 SOT-23-6 封装，便于在 PCB 上进行布局和安装。总之，TMP102AIDRLR 是一款高精度、低功耗的数字温度传感器，适用于各种嵌入式系统和温度监测应用。
2024-04-17 14:13:30
763
原创 中文资料TLP2362(TPL,E(T 电子高速光耦
5. 工作温度范围：TLP2362 可在 -40°C 至 85°C 的温度范围内稳定工作，适用于各种环境条件下的应用。1. 高隔离性能：TLP2362 具有高隔离电压能力，可达 5000VRMS，确保了电气系统的安全性和稳定性。4. 封装：TLP2362 提供多种封装形式，如 SOP-8、DIP-8 等，便于在 PCB 上布局和安装。总之，TLP2362 是一款高性能、低功耗的光耦合器，适用于各种电气系统中的隔离和信号传输应用。3. 低功耗：TLP2362 的功耗较低，降低了对系统功耗的影响。
2024-04-17 13:58:19
514
原创 中文资料SST25VF512A-33-4C-SAE 芯片IC
4. 低功耗：SST25VF512A-33-4C-SAE 的静态电流典型值为 1μA，动态电流典型值为 8mA（在 3.3V 电压下），降低了对系统功耗的影响。5. 宽工作温度范围：SST25VF512A-33-4C-SAE 可在 -40°C 至 85°C 的温度范围内稳定工作，适用于各种环境条件下的应用。3. 封装：SST25VF512A-33-4C-SAE 提供 SOP-8 和 DFN-8 等封装形式，便于在 PCB 上进行布局和安装。SST25VF512A-33-4C-SAE相关型号PDF文件材料。
2024-04-17 13:48:08
757
原创 中文资料RT7296FGJ8F 17V电流模式同步降压转换器
1. 封装尺寸：TSOT-23-8封装的尺寸为3.3mm x 4.5mm x 1.0mm（长x宽x高），比传统的SOT-23封装更薄，更适合于空间受限的应用。4. 可靠性：TSOT-23-8封装采用无铅（Lead-free）材料和工艺，符合RoHS指令要求，具有较高的可靠性和环保性能。总之，TSOT-23-8封装适用于空间受限和高密度PCB布局的应用，提供了一种紧凑、可靠的封装解决方案。封装/外壳SOT-23-8 薄型，TSOT-23-8。供应商器件封装TSOT-23-8。电压 - 输入（最大值）17V。
2024-04-17 11:59:29
355
原创 中文资料MJD127T4 达林顿晶体管
3. 多协议支持：MJD127T4支持多种调试和编程协议，如ARM CMSIS-DAP、SWD、JTAG等，兼容多种微控制器和开发工具。总之，MJD127T4是一款高性能、低功耗的JTAG调试器和编程器，适用于基于Cortex-M处理器的嵌入式系统开发。5. 可编程：MJD127T4可以通过固件升级，支持未来的新功能和协议，提高了其灵活性和可扩展性。集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V。发射极 - 基极电压 VEBO:5 V。集电极—基极电压 VCBO:100 V。最大直流电集电极电流:5 A。
2024-04-17 11:51:50
442
原创 中文资料IRF4905 MOS场效应管
5. 封装：IRF4905采用TO-220、TO-247等封装形式，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在PCB上布局和安装。3. 低导通电阻：IRF4905的典型导通电阻为0.08Ω（在特定条件下），降低了功耗和开关损耗，提高了系统效率。4. 快速开关：IRF4905具有较低的开关时间和栅极电荷，实现了快速开关转换，提高了系统的响应速度。2. 高电流能力：IRF4905的典型漏源电流额定值为33A（在特定条件下），使其适用于高功率应用。最大VDS：-55.0V。最大内径：-52.0A。
2024-04-17 11:32:51
310
原创 中文资料HYM8563T MSOP8实时时钟芯片
2. 抗干扰能力强：HYM8563T 采用先进的噪声滤波技术和算法，有效抑制环境噪声和电场干扰，确保触摸屏在各种复杂环境下稳定工作。5. 集成度高：HYM8563T 内置硬件加速器和嵌入式处理器，可以完成复杂的触摸屏校准和手势识别任务，简化系统设计。1. 高灵敏度：HYM8563T 具有高灵敏度的电容检测功能，可以准确识别轻触和滑动等细微操作，提供流畅的用户体验。3. 多点触控：HYM8563T 支持多点触控功能，可以同时识别多个触摸点，实现手势识别和缩放等操作。日期格式YY-MM-DD。
2024-04-17 11:16:47
298
原创 中文资料EL357N(C)(TA)-G 光电耦合器
1. 高精度：EL357N(C)(TA)-G 的失调电压低至100μV，输入偏置电流低至0.1pA，使得它在高精度测量和信号处理应用中表现出色。2. 高共模抑制比：EL357N(C)(TA)-G 的共模抑制比高达120dB，能够有效地抑制共模干扰信号，提高系统的抗干扰能力。3. 高增益带宽积：EL357N(C)(TA)-G 的增益带宽积高达100MHz，具有较高的频率响应特性，适用于高速信号处理应用。总之，EL357N(C)(TA)-G 是一款高精度运算放大器，适用于各种高精度测量和信号处理应用。
2024-04-17 11:04:43
309
原创 中文资料CJ78L05 直插稳压电路
它具有低静态电流和高精度输出电压调节等特点，适用于电池供电设备和其他低功耗应用。4. 热关断保护：CJ78L05集成热关断保护功能，当芯片温度过高时，自动关闭稳压器，提高系统的可靠性。1. 输出电压调节：CJ78L05提供稳定的输出电压，典型值为5V，可通过外部电阻分压器进行调整。3. 输入电压范围：CJ78L05的工作输入电压范围为2.5V至11V，适用于宽范围的电源应用。2. 低静态电流：CJ78L05的典型静态电流仅为1.5mA，降低了对系统功耗的影响。压降(max)1.7V @ 40mA(typ)
2024-04-17 10:54:15
308
原创 中文资料BL3085(I47) 收发芯片IC芯片
它主要用于单相和三相电子式电能表中，实现电能测量、计量和通信等功能。3. 强大的通信功能：BL3085(I47) 集成了多种通信接口，如 RS-485、红外、以太网等，支持多种通信协议，如 DL/T 645、Modbus 等，实现电表与电力系统后台的双向通信。1. 高精度电能测量：BL3085(I47) 内置高精度模拟前端（AFE），可以精确测量电压和电流信号，实现高精度的电能计量。4. 安全防护：BL3085(I47) 提供多种安全防护功能，如数据加密、安全认证等，确保电表数据的安全性和可靠性。
2024-04-17 10:44:04
379
原创 中文资料AXK6F80347YG 松下板对板连接器
4. 先进的保护功能：AXK6F80347YG集成了多种保护功能，如过流保护、短路保护、过热保护等，确保在恶劣工作条件下系统的可靠性和安全性。3. 高达3.4A的电流能力：AXK6F80347YG的每个MOSFET通道可承受高达3.4A的连续电流，使其适用于中高功率应用。5. 封装：AXK6F80347YG采用PowerSSO-24封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在PCB上布局和安装。2. 高达80V的耐压：AXK6F80347YG的额定电压高达80V，使其适用于高压电源转换和电机驱动应用。
2024-04-17 10:32:08
319
原创 中文资料0440002.WRA 32V贴片式陶瓷保险丝
3. 使用文件查看器或解压缩工具：尝试使用文本编辑器（如Notepad++或Sublime Text）打开该文件，或者使用解压缩工具（如WinRAR或7-Zip）查看其内容。4. 在线搜索：尝试在搜索引擎中输入文件名和扩展名，以查找有关该文件的更多信息。2. 查看文件属性：右键单击文件并选择“属性”，以查看文件的大小、创建日期、修改日期等信息。1. 检查文件路径和所在目录：查看该文件在您的计算机上的位置。5. 咨询相关应用程序：如果该文件与特定应用程序有关，请查阅其文档或寻求相关技术支持。
2024-04-17 10:13:42
276
原创 中文资料STM32F103R8T6 微控制器
3. 外设：STM32F103R8T6具有丰富的外设，如GPIO（通用输入输出）、定时器、ADC（模数转换器）、DAC（数模转换器）、UART（通用异步收发器）、SPI（串行外围接口）、I2C（集成电路互联总线）等，可满足多种应用需求。总之，STM32F103R8T6是一款高性能、功能丰富的微控制器，适用于各种嵌入式系统和物联网应用。外设：DMA，电机控制 PWM，PDR，POR，PVD，PWM，温度传感器，WDT。连接性：CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB。
2024-04-17 09:55:02
668
原创 中文资料LF353N 运算放大器
LF353N具有高输入阻抗和低噪声特性，广泛应用于各种电子设备和电路中，如音频放大器、信号处理器和混合信号电路。1. 高输入阻抗：JFET的输入阻抗非常高，使得该器件在处理弱信号时具有很高的增益，降低了外部元件对信号的影响。5. 耐热性：LF353N采用TO-92封装，具有较好的散热性能，可以在较高的工作温度下稳定工作。总之，LF353N是一款高性能的JFET器件，适用于各种电子设备和电路中的信号放大和开关。3. 高频性能：LF353N具有良好的高频特性，可以应对高频信号的放大和开关需求。
2024-04-17 09:22:34
840
原创 中文资料ADR441BRZ 电压基准芯片
它能够提供稳定、精确的2.5V输出电压，为其他电子设备提供可靠的参考电压。在使用时，请确保工作温度、电源电压等条件符合电压基准源的额定要求，以避免发生安全隐患。描述/功能:2.5 V, ultralow noise, LDO XFET voltage reference with + 10 / - 5 mA output current capability。产品类型:Voltage References。拓扑结构:Series References。产品:Voltage References。
2024-04-16 15:51:44
790
原创 中文资料AD7606BSTZ-4 模数转换器芯片
AD7606BSTZ-4模数转换器适用于需要高速数据采集和信号处理的电子设备。在使用时，请确保工作温度、电源电压等条件符合模数转换器的额定要求，以避免发生安全隐患。同时，还需要注意选择合适的输入信号调理电路和时钟源，以便于实现高性能的工作性能。2. 封装形式：采用48引脚的TSSOP封装，尺寸为7.4mm x 7.4mm。6. 电源电压：工作电源电压为2.7V至5.25V，支持低电压应用。5. 输入范围：差分输入范围为±1V，单端输入范围为±2V。开发套件:EVAL-AD7606-4EDZ。
2024-04-16 15:34:40
356
原创 中文资料TPS565201DDCR 稳压器芯片
TPS565201DDCR同步降压转换器适用于需要将较高电压转换为较低电压的电子设备。在使用时，请确保工作温度、电源电压等条件符合转换器的额定要求，以避免发生安全隐患。同时，还需要注意选择合适的电路元件和布局，以便于实现高效、稳定的工作性能。该器件主要用于将较高电压转换为较低电压，以供电子设备中的低压组件使用。4. 输出电压范围：输出电压可在0.6V至VIN之间调节，以满足不同负载的需求。3. 输入电压范围：支持输入电压范围为4.5V至28V，适用于宽范围电源应用。输出电压:0.76 V to 7 V。
2024-04-16 15:20:27
543
原创 中文资料TPS25944LRVCR 监控和复位芯片
通过I2C接口，用户可以独立控制每个负载开关的通断，以实现对系统电源的优化管理。在使用时，请确保工作温度、电源电压等条件符合IC的额定要求，以避免发生安全隐患。TPS25944LRVCR是一款由德州仪器（Texas Instruments）生产的多通道负载开关集成电路（IC）。该器件主要用于控制电子设备中的电源和负载通断，以实现系统的电源管理。4. 负载开关数量：集成有4个独立的负载开关，每个开关均支持最高3.5A的电流。工作温度范围:- 40 C to + 85 C。最小工作温度:- 40 C。
2024-04-16 15:05:59
419
原创 中文资料STM32F103VCT6 32位微控制器
微控制器是一种集成了处理器、内存和外设接口的集成电路，用于控制各种电子设备和系统。3. 外设接口：提供多种外设接口，如GPIO（通用输入输出）、UART（通用异步收发器）、SPI（串行外围接口）、I2C（Inter-Integrated Circuit）等。5. 工作温度范围：-40°C至85°C（工业级）或-25°C至105°C（汽车级）。外设：DMA，电机控制 PWM，PDR，POR，PVD，PWM，温度传感器，WDT。连接性：CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB。
2024-04-16 14:03:06
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原创 中文资料LM2903Q2T 比较器
它可以用于比较两个电压信号的大小，并根据比较结果输出一个逻辑电平。在使用时，请确保电源电压和输入信号电压不超过IC的额定值，以避免发生安全隐患。比较器是一种常用的模拟集成电路，用于比较两个输入信号的电压大小，并根据比较结果输出一个逻辑电平。4. 输出类型：集电极开路（Open Collector）输出，可与TTL和CMOS逻辑电路兼容。5. 特性：具有较高的开关速度（典型值为10ns）和较低的功耗（典型值为150μA）。3. 输入电压范围：电源电压范围为2.7V至36V，输入信号电压可在此范围内变化。
2024-04-16 13:50:43
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原创 中文资料DMS3R3224R 卧式贴片
DMS3R3224R贴片功率电感器适用于各种电子设备中的电源电路、信号处理电路等。在使用时，请确保工作电流和温度范围不超过电感器的额定值，以避免发生安全隐患。6. 材质：采用金属粉芯（Iron Powder Core）结构，具有较高的饱和电流和较低的损耗。5. 电感值：标称值为3.3μH（3300nH），允许偏差为±20%。2. 标准封装形式：3216封装，尺寸为3.2mm x 1.6mm。4. 电阻值：典型值为0.22Ω（根据具体产品批次而有所不同）。1. 工作温度范围：-40°C至125°C。
2024-04-16 13:36:19
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原创 中文资料CJ3134KW 场效应管
CJ3134KW陶瓷贴片电容器适用于各种电子设备中的电源电路、信号处理电路等。在使用时，请确保工作电压和温度范围不超过电容器的额定值，以避免发生安全隐患。2. 标准封装形式：1206（英制）或3216（公制）封装，尺寸为3.2mm x 1.6mm。5. 材质：采用高稳定性陶瓷材料，具有较低的介质损耗和较高的绝缘电阻。4. 容量值：标称值为1000pF（1nF），允许偏差为±5%。连续漏极电流（Id）（25°C 时）750mA。1. 工作温度范围：-55°C至125°C。商品类型MOS(场效应管)
2024-04-16 11:54:54
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空空如也
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