中文资料EL357N(C)(TA)-G 光电耦合器

EL357N(C)(TA)-G
规格信息：

通道数：1

电压-隔离：3750Vrms

电流传输比（最小值）：200% @ 5mA

电流传输比（最大值）：400% @ 5mA

上升/下降时间（典型值）：3µs，4µs

输入类型：DC

输出类型：晶体管

电压-输出（最大值）：80V

电压-正向（Vf）（典型值）：1.2V

电流-DC正向（If）：50mA

Vce饱和值（最大值）：200mV

工作温度：-55°C ~ 110°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-SOP

无铅情况/RoHs：否

EL357N(C)(TA)-G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高精度运算放大器。它具有低失调电压、低输入偏置电流和高共模抑制比等特点，适用于各种高精度测量和信号处理应用。以下是 EL357N(C)(TA)-G 的主要特点：
 
1. 高精度：EL357N(C)(TA)-G 的失调电压低至100μV，输入偏置电流低至0.1pA，使得它在高精度测量和信号处理应用中表现出色。
 
2. 高共模抑制比：EL357N(C)(TA)-G 的共模抑制比高达120dB，能够有效地抑制共模干扰信号，提高系统的抗干扰能力。
 
3. 高增益带宽积：EL357N(C)(TA)-G 的增益带宽积高达100MHz，具有较高的频率响应特性，适用于高速信号处理应用。
 
4. 低功耗：EL357N(C)(TA)-G 的典型功耗为每通道1.2mW，降低了对系统功耗的影响。
 
5. 封装：EL357N(C)(TA)-G 提供多种封装形式，如SOIC、MSOP等，便于在PCB上布局和安装。
 
总之，EL357N(C)(TA)-G 是一款高精度运算放大器，适用于各种高精度测量和信号处理应用。

EL357N(C)(TA)-G相关类型PDF文件材料
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