中文资料BC857C 三态输出八路缓冲器和线路驱动器

BC857C
规格信息：

封装/外壳：SOT23

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

Package：P-SOT23-3-3

fT：250.0 MHz

IBM max：200.0mA

Budgetary Price €/1k：0.01

Ptot max：330.0mW

Polarity：PNP (Single)

VEBO max：5.0V

IC：100.0mA

Mounting：SMT

hFE min max：420.0 800.0

VCE(sat) max：0.65 V

VCBO max：50.0V

VCEO max：45.0V

ICBO max：15.0nA

IC max：100.0 mA ; 100.0 mA

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

BC857C 是由 NXP Semiconductors 生产的一款 N 型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用。以下是 BC857C 的主要特点：
 
1. 高性能：BC857C 的最大漏源电压（Vds）为 30V，最大漏电流（Id）为 2.5A（在 25°C 时）/1.2A（在 100°C 时），提供了高性能的开关能力。
 
2. 低导通电阻：BC857C 的典型导通电阻（Rds(on)）为 50mΩ（在 Vgs = 10V 时）/80mΩ（在 Vgs = 4.5V 时），降低了导通状态下的功耗。
 
3. 快速开关：BC857C 的典型开关时间为 25ns（在 Vgs = 10V 时），适用于高频开关应用。
 
4. 封装：BC857C 提供 SOT-23-6 封装，便于在 PCB 上进行布局和安装。
 
5. 工作温度范围：BC857C 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，适用于各种环境条件下的应用。
 
总之，BC857C 是一款高性能、低导通电阻的 N 型 MOSFET，适用于高频开关和功率管理应用。

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