ad+硬件每日学习十个知识点（2）23(1)

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在正向偏置下，当二极管的正向电压超过其阈值电压（通常为0.6-0.7伏特，具体取决于二极管材料和制造工艺），二极管会开始导通。此时，钳位电压是指二极管导通时的电压。

在反向偏置下，当二极管的反向电压超过其反向击穿电压时，二极管会发生击穿，并开始导通。此时，钳位电压是指二极管发生击穿时的电压。

4.在手机芯片里的模块，哪些是可以编程的，哪些是不能编程的？

答：在手机芯片中，有些模块是可以编程的，而有些是设计之后就写死的，无法进行编程修改。以下是常见的可编程和不可编程模块示例：

可编程模块：

1. CPU（中央处理器）：CPU是芯片的核心，通过编程可以执行各种指令集和算法来处理数据和运行应用程序。
2. FPGA（现场可编程逻辑阵列）：FPGA是一种可编程硬件，可以通过编程自定义电路结构和逻辑功能。
3. DSP（数字信号处理器）：DSP是专门针对数字信号处理的处理器，可以通过编程修改其算法和参数。
4. ISP（图像信号处理器）：ISP可以通过编程进行配置和算法调整，以优化图像处理效果和功能。
5. 协处理器（Coprocessor）：协处理器通常具有一定的编程能力，可以通过编程进行任务分配和协助CPU处理特定任务。
6. 射频模块（RF Module）：射频模块可以通过软件控制和编程来调整频率、增益等参数。

不可编程模块：

1. GPU（图形处理器）：GPU通常是固定功能的，不能进行编程修改，其设计和性能在硬件层面固定。
2. 网络调制解调器（Modem）：调制解调器是专门设计用于处理移动通信网络的硬件模块，功能和性能一般为硬件决定。
3. 内存控制器（Memory Controller）：内存控制器是用于管理存储器访问和数据传输的硬件模块，其功能一般为硬件设计决定。
4. I/O 控制器（I/O Controller）：I/O 控制器负责管理输入输出接口，其功能和接口类型由硬件设计决定。
5. 电源管理单元（PMU）：PMU是负责管理芯片功耗和电源供应的硬件模块，其功能一般为硬件设计确定。

需要注意的是，具体芯片的设计和功能可能会有所不同。不同型号和厂商的芯片可能会有不同的可编程和不可编程模块。

5.一个LDO芯片MIC3910X。

答：MIC3910X有三种，分别是MIC39100、MIC39101、MIC39102，其中MIC39100和MIC39101是固定输出，只不过MIC39101比MIC39100多了一个EN引脚，能控制LDO是否运行。命名规则如下：

datasheet最重要的application infomation

6.一个肖特基二极管SD0805S020S1R0

答：命名规则如下。


在肖特基二极管（Schottky diode）的规格参数中，常见的参数包括：

VRRM（Reverse Voltage Rating）：反向电压额定值，表示二极管可以承受的最大反向电压。超过这个值可能会引发二极管击穿。

IF（Forward Current）：正向电流，指二极管在正向导通时所能通过的最大电流。

IFSM（Forward Surge Current）：正向浪涌电流，表示二极管可以短时间内承受的瞬态或浪涌电流。通常在指定的时间范围内，超过这个额定值的电流可能会损坏二极管。

IRRM（Reverse Leakage Current）：流过处于反向工作的pn结的电流称为反向漏电流。

Vf（Forward Voltage Drop）：正向电压降，指二极管在正向导通时产生的电压降。肖特基二极管相较于普通二极管拥有较低的电压降，常见在几百毫伏之间。

7.一个TVS二极管/ESD抑制器 P4SMAJ16ADF

答：
TVS二极管（Transient Voltage Suppression diode）是一种专门用于保护电路免受瞬态过电压（例如静电放电、雷电冲击等）影响的二极管。它能够迅速响应并将过电压导向地，以保护被保护器件不受过电压的损害。

以下是TVS二极管常见的参数及其含义：

1. VRWM（Working Peak Reverse Voltage）：正常工作峰值反向电压，表示TVS二极管可以承受的最高反向电压，超过该值可能导致二极管击穿。
2. VBR（Breakdown Voltage）：击穿电压，是指在反向偏置下，当电压超过该值时，TVS二极管会出现击穿，加速导通电流，将过电压导向地。击穿电压是TVS二极管设计中的重要参数。
3. IPP（Peak Pulse Current）：峰值脉冲电流，表示TVS二极管能够瞬间承受的最大电流。当TVS二极管遭受瞬态过电压时，电流会迅速上升到该峰值，TVS二极管通过导通，将过电压导向地。

其他常见的参数还包括响应时间、电阻和功率耗散等。

TVS二极管可用于各种电子设备和系统中，以保护敏感的集成电路、传感器、通信设备等不受过电压损害。

在选择和应用TVS二极管时，确保其VRWM值大于系统的最高工作电压，并需要匹配适当的VBR、IPP值以保护被保护器件不受过电压的危害。



左侧是肖特基二极管反向保护，防止瞬态值（有一个0.43V左右的压降），右侧是TVS二极管，当输入的DC电压大于16V（尤其是达到17.8V~19.7V之间）会被反向击穿，放置损伤电路。

8.电容并联接地作用？

在LDO（低压差线性稳压器）芯片的输入处放置电容并联接地是为了提供稳定的输入电压，并在输入电压瞬时变化时提供滤波和抑制噪声的功能。这些电容通常被称为输入电容或者输入滤波电容。

以下是一些可能的原因和功能：

1. 噪声滤波：输入电容可以滤波掉输入电源中的高频噪声。这些噪声可能来自于电源线路中的干扰信号、开关电源的开关频率等。输入电容能够吸收和抑制这些噪声，使其不会传递到LDO芯片的输入端。
2. 稳定输入电压：输入电容能够在电源电压瞬时变化时提供额外的电荷存储，并通过放电来稳定输入电压。当电源电压瞬间下降或者上升时，输入电容能够提供瞬时的电流，使得输入电压变化更为平滑，将输入电压的纹波（ripple）降至最低。
3. 改善动态响应：通过放置输入电容，LDO芯片能够更快地响应瞬时的负载变化。输入电容能够快速提供额外的电荷供给，以满足负载的瞬时需求，并减小输入电压的变化。

在具体的电路设计中，选择适当的输入电容值和数量取决于多种因素，包括输入电源的电压稳定性要求、抑制噪声的频率范围、LDO芯片的工作频率等。通常会根据经验和设计指南来选择合适的电容值，并进行必要的参数调整和优化。

9.在电源旁边放置一个磁珠是干什么的？

在电源旁边放置一个磁珠，通常是为了抑制高频噪声干扰，提高电路的抗干扰性能和电磁兼容性。

磁珠，也称为磁环或者磁芯，是一种由磁性材料制成的环形元件。它具有高频噪声滤波和抑制的特性，通过利用磁性材料的磁导率和磁饱和特性，可以对高频信号进行有效的隔离和衰减。

具体来说，放置磁珠的作用包括：

1. 抑制高频噪声：在电源线或信号线上通过串联一个磁珠，可以通过磁耦合效应抑制高频噪声的传播。磁珠能够吸收和衰减高频噪声，帮助减少噪声对电路的干扰，提高信号的纯净性。
2. 过滤电源回路：磁珠还可用于电源滤波，特别是在开关电源等高频电路中。通过串联磁珠，可以将高频噪声回路从电源回路隔离，防止噪声通过电源线传播到其他部分。
3. 实现电磁兼容性（EMC）：磁珠还可以在电路设计中用于满足电磁兼容性要求。通过降低高频干扰信号的传播和干扰，可以减少电磁辐射和受到其他电磁场的干扰，从而提高系统的电磁兼容性。

需要注意的是，选择合适的磁珠型号和参数，包括磁导率、频率响应范围、磁阻等，应根据具体的应用需求和设计指南进行。不同的电源线和信号线，以及不同的频率范围和噪声特性，可能需要不同的磁珠来实现最佳的滤波效果和干扰抑制能力。

10.PCB各层。

答：

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