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在正向偏置下,当二极管的正向电压超过其阈值电压(通常为0.6-0.7伏特,具体取决于二极管材料和制造工艺),二极管会开始导通。此时,钳位电压是指二极管导通时的电压。
在反向偏置下,当二极管的反向电压超过其反向击穿电压时,二极管会发生击穿,并开始导通。此时,钳位电压是指二极管发生击穿时的电压。
4.在手机芯片里的模块,哪些是可以编程的,哪些是不能编程的?
答:在手机芯片中,有些模块是可以编程的,而有些是设计之后就写死的,无法进行编程修改。以下是常见的可编程和不可编程模块示例:
可编程模块:
- CPU(中央处理器):CPU是芯片的核心,通过编程可以执行各种指令集和算法来处理数据和运行应用程序。
- FPGA(现场可编程逻辑阵列):FPGA是一种可编程硬件,可以通过编程自定义电路结构和逻辑功能。
- DSP(数字信号处理器):DSP是专门针对数字信号处理的处理器,可以通过编程修改其算法和参数。
- ISP(图像信号处理器):ISP可以通过编程进行配置和算法调整,以优化图像处理效果和功能。
- 协处理器(Coprocessor):协处理器通常具有一定的编程能力,可以通过编程进行任务分配和协助CPU处理特定任务。
- 射频模块(RF Module):射频模块可以通过软件控制和编程来调整频率、增益等参数。
不可编程模块:
- GPU(图形处理器):GPU通常是固定功能的,不能进行编程修改,其设计和性能在硬件层面固定。
- 网络调制解调器(Modem):调制解调器是专门设计用于处理移动通信网络的硬件模块,功能和性能一般为硬件决定。
- 内存控制器(Memory Controller):内存控制器是用于管理存储器访问和数据传输的硬件模块,其功能一般为硬件设计决定。
- I/O 控制器(I/O Controller):I/O 控制器负责管理输入输出接口,其功能和接口类型由硬件设计决定。
- 电源管理单元(PMU):PMU是负责管理芯片功耗和电源供应的硬件模块,其功能一般为硬件设计确定。
需要注意的是,具体芯片的设计和功能可能会有所不同。不同型号和厂商的芯片可能会有不同的可编程和不可编程模块。
5.一个LDO芯片MIC3910X。
答:MIC3910X有三种,分别是MIC39100、MIC39101、MIC39102,其中MIC39100和MIC39101是固定输出,只不过MIC39101比MIC39100多了一个EN引脚,能控制LDO是否运行。命名规则如下:
datasheet最重要的application infomation
6.一个肖特基二极管SD0805S020S1R0
答:命名规则如下。
在肖特基二极管(Schottky diode)的规格参数中,常见的参数包括:
VRRM(Reverse Voltage Rating):反向电压额定值,表示二极管可以承受的最大反向电压。超过这个值可能会引发二极管击穿。
IF(Forward Current):正向电流,指二极管在正向导通时所能通过的最大电流。
IFSM(Forward Surge Current):正向浪涌电流,表示二极管可以短时间内承受的瞬态或浪涌电流。通常在指定的时间范围内,超过这个额定值的电流可能会损坏二极管。
IRRM(Reverse Leakage Current):流过处于反向工作的pn结的电流称为反向漏电流。
Vf(Forward Voltage Drop):正向电压降,指二极管在正向导通时产生的电压降。肖特基二极管相较于普通二极管拥有较低的电压降,常见在几百毫伏之间。
7.一个TVS二极管/ESD抑制器 P4SMAJ16ADF
答:
TVS二极管(Transient Voltage Suppression diode)是一种专门用于保护电路免受瞬态过电压(例如静电放电、雷电冲击等)影响的二极管。它能够迅速响应并将过电压导向地,以保护被保护器件不受过电压的损害。
以下是TVS二极管常见的参数及其含义:
- VRWM(Working Peak Reverse Voltage):正常工作峰值反向电压,表示TVS二极管可以承受的最高反向电压,超过该值可能导致二极管击穿。
- VBR(Breakdown Voltage):击穿电压,是指在反向偏置下,当电压超过该值时,TVS二极管会出现击穿,加速导通电流,将过电压导向地。击穿电压是TVS二极管设计中的重要参数。
- IPP(Peak Pulse Current):峰值脉冲电流,表示TVS二极管能够瞬间承受的最大电流。当TVS二极管遭受瞬态过电压时,电流会迅速上升到该峰值,TVS二极管通过导通,将过电压导向地。
其他常见的参数还包括响应时间、电阻和功率耗散等。
TVS二极管可用于各种电子设备和系统中,以保护敏感的集成电路、传感器、通信设备等不受过电压损害。
在选择和应用TVS二极管时,确保其VRWM值大于系统的最高工作电压,并需要匹配适当的VBR、IPP值以保护被保护器件不受过电压的危害。
左侧是肖特基二极管反向保护,防止瞬态值(有一个0.43V左右的压降),右侧是TVS二极管,当输入的DC电压大于16V(尤其是达到17.8V~19.7V之间)会被反向击穿,放置损伤电路。
8.电容并联接地作用?
在LDO(低压差线性稳压器)芯片的输入处放置电容并联接地是为了提供稳定的输入电压,并在输入电压瞬时变化时提供滤波和抑制噪声的功能。这些电容通常被称为输入电容或者输入滤波电容。
以下是一些可能的原因和功能:
- 噪声滤波:输入电容可以滤波掉输入电源中的高频噪声。这些噪声可能来自于电源线路中的干扰信号、开关电源的开关频率等。输入电容能够吸收和抑制这些噪声,使其不会传递到LDO芯片的输入端。
- 稳定输入电压:输入电容能够在电源电压瞬时变化时提供额外的电荷存储,并通过放电来稳定输入电压。当电源电压瞬间下降或者上升时,输入电容能够提供瞬时的电流,使得输入电压变化更为平滑,将输入电压的纹波(ripple)降至最低。
- 改善动态响应:通过放置输入电容,LDO芯片能够更快地响应瞬时的负载变化。输入电容能够快速提供额外的电荷供给,以满足负载的瞬时需求,并减小输入电压的变化。
在具体的电路设计中,选择适当的输入电容值和数量取决于多种因素,包括输入电源的电压稳定性要求、抑制噪声的频率范围、LDO芯片的工作频率等。通常会根据经验和设计指南来选择合适的电容值,并进行必要的参数调整和优化。
9.在电源旁边放置一个磁珠是干什么的?
在电源旁边放置一个磁珠,通常是为了抑制高频噪声干扰,提高电路的抗干扰性能和电磁兼容性。
磁珠,也称为磁环或者磁芯,是一种由磁性材料制成的环形元件。它具有高频噪声滤波和抑制的特性,通过利用磁性材料的磁导率和磁饱和特性,可以对高频信号进行有效的隔离和衰减。
具体来说,放置磁珠的作用包括:
- 抑制高频噪声:在电源线或信号线上通过串联一个磁珠,可以通过磁耦合效应抑制高频噪声的传播。磁珠能够吸收和衰减高频噪声,帮助减少噪声对电路的干扰,提高信号的纯净性。
- 过滤电源回路:磁珠还可用于电源滤波,特别是在开关电源等高频电路中。通过串联磁珠,可以将高频噪声回路从电源回路隔离,防止噪声通过电源线传播到其他部分。
- 实现电磁兼容性(EMC):磁珠还可以在电路设计中用于满足电磁兼容性要求。通过降低高频干扰信号的传播和干扰,可以减少电磁辐射和受到其他电磁场的干扰,从而提高系统的电磁兼容性。
需要注意的是,选择合适的磁珠型号和参数,包括磁导率、频率响应范围、磁阻等,应根据具体的应用需求和设计指南进行。不同的电源线和信号线,以及不同的频率范围和噪声特性,可能需要不同的磁珠来实现最佳的滤波效果和干扰抑制能力。
10.PCB各层。
答:
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