铨力授权一级代理 AP6009S N-通道功率MOSFET

于 2024-10-11 20:19:16 发布
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版权

描述：

AP6009S采用先进的沟槽技术和设计

提供优异的Rosrom，具有低的栅极电荷

它可用于各种应用

特征：

60V,9A

RDS（ON）<18mΩ＠VGS=10V (TYP:14mΩ)

RDS（ON）<21mΩ＠VGS=4.5V (TYP:17.5mΩ)

超低 Rdson 高密度单元设计

完全表征雪崩电压和电流

低栅极到漏极电荷以降低开关损耗

应用：

电源开关应用

负载开关

恒锐丰科技专业电源芯片
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