华羿微一级代理 HYG011N04NS1B6 N-沟道增强型MOSFET

最新推荐文章于 2024-10-11 20:24:36 发布
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版权

特征：

 

40V/310A

 

RDS(ON)= 0.9mΩ(typ.)@VGS = 10V

 

100% 雪崩测试

 

100% DVDS

 

可靠且坚固

 

提供无卤素和绿色设备（符合 RoHS）

 

应用：

 

电动工具

 

锂电池保护

恒锐丰科技专业电源芯片
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无卤素和绿色设备可用（符合 RoHS 标准)
华羿微一级代理 HYG023N04NS1B 单N沟道增强型MOSFET
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卤素设备可用（符合RoHS标准）100%经过雪崩测试。
华羿微一级代理 HYG004N03LS1B6 N-沟道增强型MOSFET
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无卤素和绿色设备可用（符合 RoHS 标准）
华羿微一级代理 HYG090N04LS1 N-通道增强型MOSFET
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提供无卤素和绿色设备（符合 RoHS 标准）
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无卤素和绿色设备可用（符合RoHS标准）
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提供无卤素和绿色设备（符合 RoHS 标准）
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20N06L-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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