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RSS订阅原创 铨力授权一级代理 AP6009S N-通道功率MOSFET
提供优异的Rosrom，具有低的栅极电荷。AP6009S采用先进的沟槽技术和设计。超低 Rdson 高密度单元设计。低栅极到漏极电荷以降低开关损耗。完全表征雪崩电压和电流。
2024-10-11 20:19:16
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原创 EG1151 四开关升降压型开关电源芯片
EG1151 是一款四开关降压-升压型 DC-DC 电源管理芯片。内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能。能根据输入和输出电压的具体关系和不同负载条件采取相应的控制策略。在输入电压的整个波动范围内提供稳定的电压输出。非常适合宽电压范围大电流需要升降压的，特别是电池供电的电压并不恒定的场合，同时支持对蓄电池充电。宽输入电压范围：7V——150V。高效率，可高达 95%封装形式：QFN32。
2024-10-10 14:34:34
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原创 EG358 双通道运算放大器芯片
EG358 是由两个独立的高增益运算放大器组成。可以是单电源工作，也可以是双电源工作，电源的功耗电流与电源电压大小无关。应用范围包括音频放大器、工业控制、DC 增益部件和所有常规运算放大电路。可单电源或双电源工作。
2024-10-10 14:33:33
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原创 EG1187 非隔离恒压恒流控制芯片
EG1187 是一款高精度恒压恒流控制芯片，适用于 20V-200V 输入电压范围内。EG1187 芯片采用独特的恒压恒流控制技术，不需要环路补偿电容，即可实现优异的恒压恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。EG1187 具有多种保护功能：VDD 欠压保护、VDD 过压保护、逐周期限流保护、短路保护等。集成 200V 功率 MOS 管。集成线电压和负载电压的恒流补偿。PWM/PFM 多模式控制。非隔离 LED 照明驱动。非隔离系统恒压恒流输出。待机功耗<150mW。±4%恒流、恒压精度。
2024-10-10 14:32:39
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原创 EG8010 单相 SPWM 逆变器专用芯片
EG8010 是一款数字化的、功能很完善的自带死区控制的纯正弦波逆变发生器芯片，应用于 DC-DC-AC 两级功率变换架构或 DC-AC 单级工频变压器升压变换架构，外接 12MHz 晶体振荡器，能实现高精度、失真和谐波都很小的纯正弦波 50Hz 或 60Hz 逆变器专用芯片。该芯片采用 CMOS 工艺，内部集成 SPWM 正弦发生器、死区时间控制电路、幅度因子乘法器、软启动电路、保护电路、RS232 串行通讯接口和 12832 串行液晶驱动模块等功能。过压、欠压、过流、过热保护功能。
2024-10-10 14:31:30
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原创 EG1615 谐振型双有源桥（DAB）控制芯片
EG1615 主要的功能由两部分组成，第一部分为逆变升压控制，主要实现将电池的低压直流电压转换为高压直流电压，供后级 DC/AC 逆变所需的高压；EG1615 作逆变升压时，低压侧 H 桥的占空比为 50%，高压侧 H 桥用 MOS 内部的体二极管做整流输出，电压反馈采用了浅闭环稳压模式（即空载最高电压限制，带载开环），有效防止空载时电压过高而导致烧器件等现象，谐振参数由外部的 LC 进行调整，芯片可支持的 PWM 的工作频率为 40K-150KHz，高压侧串入的电流互感器可用于输出短路保护。
2024-10-10 12:20:19
303
原创 EG8060 逆变发电机专用芯片
另外提供了两路 SD，分别为 SD1，和 SD2，SD1 是驱动器 1 HO1 和 LO1 的逐周关断引脚，SD2 是驱动器 2 HO2 和 LO2 的逐周关断引脚，结合MCU 和 SD 功能可实现逆变器的短路保护功能。EG8060 内置了完善的各项保护功能，提供了直流母线过压和欠压保护、交流输出欠压保护、过载报警提示、过载保护指示、过流保护指示、过温保护指示及短路保护指示等。集成四路独立的 MOS 管峰值电流保护电路及内置四路 200mV 基准源的比较器供用户设定保护值。50Hz 纯正弦波固定频率。
2024-10-09 16:11:39
420
原创 EG8030 三相 SPWM 逆变器专用芯片
EG8030 是一款数字化的、功能完善的自带死区控制的三相纯正弦波逆变发生器芯片，可配置的四种工作模式可应用于 DC-DC-AC 两级功率变换架构或 DC-AC 单级工频变压器升压变换架构。并具备完善的采样机构，能够采集电流信号、温度信号、三相电压信号，实施处理，实现输出稳压和各项保护功能。芯片采用 CMOS 工艺，内部集成 SPWM正弦发生器、死区时间控制电路、幅度因子乘法器、软启动电路。过压、欠压、过流、短路、过热保护功能。2.5KHz 载波频率。20KHz 载波频率。10KHz 载波频率。
2024-10-09 16:09:46
166
原创 EG5620 带SD和DT功能MOS管驱动芯片
EG5620 是一款高性价比的带SD功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区可调电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 1.6/2.5A，采用 MSOP10 封装。无铅无卤符合 RHOS 标准。最高频率支持 500KHZ。
2024-10-09 16:08:36
279
原创 EG2129 带过流保护全桥驱动芯片
EG2129 是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。EG2129 高端的工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V～20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.6/1.0A，采用 SSOP24 封装。
2024-10-09 16:07:08
341
原创 EG2136 三相半桥电路驱动芯片
EG2136 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通。高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V。输出电流能力+0.2A/-0.35A。过流保护关断六通道输出。封装形式：SOP28L。
2024-10-09 16:04:58
303
原创 铨力授权一级代理 AP2022S N沟道功率MOSFET
提供优异的Rosow、低栅极电荷和低至1.8 V的栅极电压操作。AP2022S采用先进的沟槽技术。该器件适用于负载开关或PwM应用。高功率和电流处理能力。
2024-10-08 16:00:10
95
原创 EG2125 600V 带过流保护全桥驱动芯片
EG2125 是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD 控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。EG2125 高端的工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V～20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.8/1.3A，采用 SSOP24 封装。
2024-10-08 12:57:10
129
原创 EG1416 低侧单通道驱动芯片
EG1416 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG1416 的电源电压范围宽 4V～20V，静态功耗小于 1uA。当 VCC= 12V 时，EG1416 可提供峰值为 2A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；采用 SOT23-5封装。输出电流能力 IO+/- 2A/2A。当输入引脚悬空时，输出保持在低电平。VCC 电压范围 4V-20V。封装形式：SOT23-5。
2024-10-08 12:56:05
122
原创 EG27519 高速低侧单通道驱动芯片
EG27519 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27519 的电源电压范围宽 4V～20V，外围器件少。该芯片 IN+单输入设计，当 VDD = 12V 时，EG27519 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；输出电流能力 IO+/- 4A/4A。VDD 电压范围 4V-20V。封装形式：SOT23-5。带有 EN 使能功能。
2024-10-08 12:54:46
266
原创 EG27517 高速低侧单通道驱动芯片
EG27517 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27517 的电源电压范围宽 4V～20V，静态功耗小。该芯片双输入设计（可选择反相 IN- 或正相 IN+驱动器配置）当 VDD = 12V 时，EG27517 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；输出电流能力 IO+/- 4A/4A。VDD 电压范围 4V-20V。封装形式：SOT23-5。
2024-10-08 12:53:26
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原创 EG44273 低侧单通道驱动芯片
EG44273 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG44273的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小于1uA。当 VCC= 12V 时，EG44273 可提供峰值为 2A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；采用 SOT23-5封装。输出电流能力 IO+/- 2A/2A。当输入引脚悬空时，输出保持在低电平。VCC 电压范围 4V-20V。封装形式：SOT23-5。
2024-10-08 12:51:56
136
原创 EG3844 高性能电流模式 PWM 控制器
EG3844 是一款高性价比电流模式 PWM 控制器，适合于中、大等功率反激电源方案以及正激电源方案。EG3844 内置抖频功能，具有优良的 EMI 特性。芯片采用绿色节能模式和打嗝模式控制轻负载和零负载。EG3844 内置有完备的保护功能： VCC 欠压保护（UVLO）、VCC 过压保护（VOP）、 逐周期电流限制 、过载保护、过热保护、软启动等。封装形式 SOP8、DIP8。外置电阻可设 PWM 频率。绿色模式和打嗝模式控制。优良的 EMI 特性。
2024-10-07 19:19:39
273
原创 EG1262 宽电压范围电流模式正激控制器
外置 NTC 温度保护功能。外置电阻可设 PWM 频率。宽电压范围高达 38V。优良的 EMI 特性。
2024-10-07 19:17:32
246
原创 EG1252 高性能电流模式 PWM 控制器
EG1252 是一款高性价比电流模式 PWM 控制器，适合于中、大等功率反激电源方案以及正激电源方案。EG1252 内置抖频功能，具有优良的 EMI 特性。芯片采用绿色节能模式和打嗝模式控制轻负载和零负载。EG1252 内置有完备的保护功能： VCC 欠压保护（UVLO）、VCC 过压保护（VOP）、 逐周期电流限制 、输入欠压保护、过载保护、过热保护、软启动等。封装形式 SOP8、DIP8。外置 NTC 温度保护功能。外置电阻可设 PWM 频率。绿色模式和打嗝模式控制。优良的 EMI 特性。
2024-10-07 19:06:56
466
原创 EG27325 带 SD 功能双路驱动芯片
EG27325 是一款高性价比、带SD功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。EG27325 的电源电压范围宽 2.8V～20V，静态功耗小于 1uA。SD 内建了一个 85K 下拉电阻,在 SD 输入悬空时，不影响 OUTA 与 OUTB 的输出；输出电流能力 IO+/- 2/2.5A；输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A。VCC 电压范围 2.8V-20V。适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-10-07 19:05:45
422
原创 EG4427 带 SD 功能双路驱动芯片
EG4427 是一款高性价比、带SD功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。EG4427 的电源电压范围宽 3V～20V，静态功耗小于 1uA。SD 内建了一个 100K 下拉电阻,在 SD 输入悬空时，不影响 OUTA 与 OUTB 的输出；输出电流能力 IO+/- 1.5/1.5A；SD 输入通道高电平有效，关闭 HO、LO 输出。输出电流能力 IO+/- 1.5A/1.5A。适应 5V、3.3V 输入电压。
2024-10-07 18:57:21
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