探索双阱对单粒子翻转和单粒子闩锁的影响-MEDICI器件仿真

最新推荐文章于 2024-11-06 11:05:01 发布

2402_82964571林

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分类专栏：抗辐照文章标签：算法

本文链接：https://blog.csdn.net/2402_82964571/article/details/138471831

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文章详细讨论了CMOS器件中，特别是带有双阱结构时，单粒子翻转和单粒子闩锁现象的影响。通过改变P阱的注入剂量，研究了这些效应对输出电压和电流的影响，并提供了相应的仿真源代码。

摘要由CSDN通过智能技术生成

1. CMOS器件网格、偏置电压、输入输出

2. 双阱对单粒子翻转和单粒子闩锁的影响

3. 仿真源代码

1. CMOS器件网格、偏置电压、输入输出

除硅片厚度改为300 μm外，器件的其他参数与https://blog.csdn.net/2402_82964571/article/details/137190371?spm=1001.2014.3001.5501相同。

PMOS的衬底和源极加5 V电压，NMOS的衬底和源极接地，PMOS和NMOS的栅极输入5 V的恒定电压，PMOS和NMOS的漏极为输出。

器件初始网格如下。

2. 双阱对单粒子翻转和单粒子闩锁的影响

在NMOS一侧加入一个P阱，其宽度为2.2 μm，深度为2.7 μm，扩散特征长度为0.2 μm。这样，该CMOS器件中具有双阱。

(1) 单个氩离子由PMOS漏极注入

改变P阱的注入剂量，得到输出电压和流出PMOS漏极的电流如下图：

─── 无P阱 ─── P阱注入剂量为 $6.17\times 10^{11}\ \mathrm{cm}^{-2}$ ─── P阱注入剂量为 $6.17\times 10^{12}\ \mathrm{cm}^{-2}$ ─── P阱注入剂量为 $6.17\times 10^{13}\ \mathrm{cm}^{-2}$ ─── P阱注入剂量为 $6.17\times 10^{14}\ \mathrm{cm}^{-2}$

从图中看出，NMOS中P阱的注入剂量越大，单粒子翻转持续的时间越长且造成的输出电压越大，单粒子闩锁基本不受影响。故CMOS器件中的双阱对器件的抗单粒子翻转加固不利。

(2) 单个氩离子由NMOS的漏极注入

对单个氩离子由NMOS漏极注入的情况进行仿真。

改变P阱的注入剂量，得到输出电压和流入PMOS漏极的电流如下图：

从图中看出，双阱会加强辐照对输出电压和漏极电流造成的扰动。

3. 仿真源代码

TITLE CMOStest

MESH SMOOTH=1
X.MESH WIDTH=5.0 H1=0.125
Y.MESH N=1 L=-0.0125
Y.MESH N=2 L=0
Y.MESH N=3 L=0.01875
Y.MESH N=4 L=0.1
Y.MESH DEPTH=2.0 H1=0.125 H2=0.5
Y.MESH DEPTH=298 H1=1
ELIMIN COLUMNS Y.MIN=3.5
ELIMIN COLUMNS Y.MIN=6
ELIMIN COLUMNS Y.MIN=10

SPREAD LEFT WIDTH=0.4 UP=1 LO=2 THICK=.1 ENC=2
SPREAD RIGHT WIDTH=0.9 UP=1 LO=2 THICK=.1 ENC=2
SPREAD LEFT WIDTH=6 UP=3 LO=4 Y.LO=0.1

REGION SILICON 
REGION OXIDE IY.MAX=3
REGION OXIDE X.MIN=2 X.MAX=2.9 Y.MAX=2.7

ELECTR NAME=NB BOTTOM
ELECTR NAME=NS X.MIN=0.0 X.MAX=0.4 IY.MAX=3
ELECTR NAME=NG X.MIN=0.5 X.MAX=1.0 TOP
ELECTR NAME=ND X.MIN=1.1 X.MAX=1.5 IY.MAX=3
ELECTR NAME=PD X.MIN=3.0 X.MAX=3.4 IY.MAX=3
ELECTR NAME=PG X.MIN=3.5 X.MAX=4.0 TOP
ELECTR NAME=PS X.MIN=4.1 X.MAX=4.4 IY.MAX=3
ELECTR NAME=PB X.MIN=4.6 X.MAX=5.0 IY.MAX=3

PROFILE P-TYPE N.PEAK=6.25E14 UNIFORM
PROFILE P-TYPE N.PEAK=7E15 Y.CHAR=0.2
PROFILE P-TYPE DOSE=6.17E12 X.MIN=0 WIDTH=2.2 Y.JUNC=2.7 XY.RAT=0.2
PROFILE N-TYPE DOSE=3E15 Y.JUNC=.125 X.MIN=0.0 WIDTH=0.4 XY.RAT=0.2
PROFILE N-TYPE DOSE=3E15 Y.JUNC=.125 X.MIN=1.1 WIDTH=0.4 XY.RAT=0.2

PROFILE N-TYPE DOSE=6.17E12 X.MIN=2.8 WIDTH=2.2 Y.JUNC=2.7 XY.RAT=0.2
PROFILE N-TYPE DOSE=3E15 Y.JUNC=.125 X.MIN=4.6 WIDTH=0.4 XY.RAT=0.2 
PROFILE P-TYPE DOSE=1.13E15 Y.JUNC=.125 X.MIN=3.0 WIDTH=.4 XY.RAT=0.2
PROFILE P-TYPE DOSE=1.13E15 Y.JUNC=.125 X.MIN=4.1 WIDTH=.4 XY.RAT=0.2

INTERFAC QF=1E10
PLOT.2D GRID TITLE="Initial Grid" Y.MIN=-0.0125 Y.MAX=3.0 FILL SCALE 

SAVE MESH OUT.FILE=CMOSINV W.MODELS
START CIRCUIT

VDD 3 0 5
VIN 1 0 5
 PCMOS 1=NG 1=PG 2=ND 2=PD 3=PS 3=PB 0=NS 0=NB
+ FILE=CMOSINV WIDTH=5.0

.NODESET V(1)=3 V(2)=0 V(3)=3

FINISH CIRCUIT
 SYMBOLIC GUMMEL CARRIERS=0
METHOD DAMPED
SOLVE
SYMBOLIC NEWTON CARRIERS=2
SOLVE

PHOTOGEN X.START=3.2 X.END=3.2 Y.START=0.0 Y.END=3.0
+ R.CHAR=0.2 T0=3.0E-12 TC=1.5E-12 IN.FILE=/home/medici/medici_2003.6.0/examples/mde6let
+ PC.UNIT GAUSS

LOG OUT.FILE=PTGLOG
METHOD TOL.TIME=2e-2
SOLVE TSTEP=0.5E-12 TSTOP=1E-7

PLOT.1D X.AX=TIME Y.AX=VC(2) TOP=5 BOT=0 LEFT=0.5E-12 RIGHT=1E-7 X.LOG POINTS SYMB=1
+ TITLE="Waveforms: SEU"
PLOT.1D X.AX=TIME Y.AX=I(PCMOS.PD) TOP=0.08 BOT=0 LEFT=0.5E-12 RIGHT=1E-7 X.LOG POINTS
+ TITLE="Drain current" ABSOLUTE