3.1 实验目的
1) 掌握静态随机存储器RAM的工作特性。
2) 掌握静态随机存储器RAM的读写方法。
3.2 实验要求
1) 做好实验预习,熟悉MEMORY 6116芯片各引脚的功能和连接方式,熟悉其它实验元器件的功能特性和使用方法,看懂电路图。
2) 按照实验内容与步骤的要求,认真仔细地完成实验。
3.3 实验电路
1. 运行虚拟实验系统,绘制实验电路,实验电路截图如下:
本实验使用的主要元器件有:2K×8 静态随机存储器6116,8位数据锁存器74LS273 ( 本 实验用作地址寄存器 AR), 三态输出的8组总线收发器74LS245, 与非门、与门、开关、指 示灯等。
图1为本实验所用的存储器原理图,图中尾端带加粗标记的信号为控制信号,其余为数 据信号或地址信号。实验电路中涉及的控制信号如下:
3.4 实验原理
3.5 实验内容与步骤
实验图如下:
1. 进行电路预设置。
1) 将74LS273的MR置1,AR不清零;
2) CE=1,RAM6116未片选;
3) SW-BUS=1,三态门关闭。
2. 打开电源开关。
3. 存储器写操作。向01~03存储单元分别写入十六进制数据11H、12H、13H,具体操作步骤如下:(以向01号单元写入11H为例)
1)将SW7-SW0置为00000001,SW-BUS =0,打开三态门,将地址送入BUS;
2)LDAR=1,发出P2单脉冲信号,在P2的上升沿将BUS上的地址存入AR,可通过观察AR所连接的地址灯来查看地址,SW-BUS= 1关闭三态门;
3) CE=0,WE=1,6116写操作准备;
CE和OE都是低电平有效,现在写操作已经完成。
6116的数据已经变成了00010001
我们现在可以开始读操作,工具-存储器芯片读写-选择6116芯片,我们可以看见第二个值是我们刚刚写入的数据。
4)将SW7-SW0置为00010001,SW-BUS =0,打开三态门,将数据送入BUS;
5) 发出P1单脉冲信号,在P1的上升沿将BUS上的数据00010001写入RAM的01地址;
点击下面箭头所指的区域(先点273,再点RAM),就可以保存传的数据,显示灯就亮了。
6)CE=1,6116暂停工作,SW-BUS =1关闭三态门。
4. 存储器读操作。依次读出01~03单元中的内容,观察上述单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作步骤如下:(以从01号单元读出数据11H为例)
1) 将SW7-SW0置为00000001,SW-BUS =0,打开三态门,将地址送入BUS;
2) LDAR=1,发出P2单脉冲信号,在P2的上升沿将BUS上的地址存入AR中,可通过观察AR所连接的地址灯来查看地址,SW-BUS =1关闭三态门;
3) CE=0,WE=0,6116进行读操作,观察数据灯是否为先前写入的00010001。
4) CE=1,6116暂停工作。