多思计组实验实验三、存储器读写实验

本次实验旨在掌握6116静态随机存储器的读写方法和时序特征。实验内容包括使用数据开关设置读写地址和数据,通过74LS273、74LS245等元件实现地址和数据的传输。实验步骤详细描述了如何向RAM的特定单元写入和读取数据,并要求分析读写操作的时序。此外,还讨论了如何扩展6116以创建更大的存储器系统。
摘要由CSDN通过智能技术生成

实验三、存储器读写实验

一、实验目的

1.掌握静态随机存储器RAM的工作特性。

2.掌握静态随机存储器RAM的读写方法和时序特征。

二、预习要求:

1.阅读多思实验平台帮助文档,安装多思实验平台单机版;

2.预习实验电路图,熟悉实验中所用芯片各引脚的功能和连接方法

一. 实验目的 1. 了解存储器的组成结构,原理读写控制方法 2. 了解主存储器工作过程中各信号的时序关系 3. 了解挂总线的逻辑器件的特征 4. 了解和掌握总线传送的逻辑实现方法 二. 实验原理 1.基本操作:读写操作 读操作是从指定的存储单元读取信息的过程;写操作是将信息写入存储器指定的存储单元的过程 2.读写操作过程 首先要由地址总线给出地址信号,选择要进行读写操作的存储单元,然后,做写操作时,先从数据总线输入要存储在该单元的数据,通过控制总线发出相应的写使能和写控制信号,这时,数据保存在该单元中;做读操作时,只要通过总线发出相应的读控制信号。该数据就出现在总线上了 3. 总线传送 计算机的工作过程,实际上也就是信息的传送和处理过程,而信息的传送在计算机里面频度极高,采用总线传送必不可少,它可减少传输线路、节省器件、提高传送能力和可靠性。总线传送器件中大量使用的是三态门。三态门(ST门)主要用在应用于多个门输出共享数据总线,为避免多个门输出同时占用数据总线,这些门的使能信号(EN)中只允许有一个为有效电平(如低电平),由于三态门的输出是推拉式的低阻输出,且不需接上拉(负载)电阻,所以开关速度比OC门快,常用三态门作为输出缓冲器。其中74LS244是专用做挂总线用的三态门器件之一。
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