计算机组成原理实验3——存储器实验报告

实验名称		存储器实验		实验室	组成原理与系统结构

一、实验目的：

(1)掌握静态随机存储器RAM的工作特性。

(2)掌握静态随机存储器RAM的读写方法。

二、实验要求：

(1)做好实验预习，熟悉MEMORY 6116芯片各引脚的功能和连接方式，熟悉其他实验元器件的功能特性和使用方法，看懂电路图。

(2)按照实验内容与步骤的要求，认真仔细地完成实验。

(3)写出实验报告。

三、实验环境：

操作系统：Microsoft Windows 7 旗舰版

 6.1.7601 Service Pack 1 Build 7601

实验平台：多思组成原理虚拟平台dsvlab1.0

浏览器：Internet Explorer11   11.0.9600.18665

（5分）

• 实验原理：

实验所用的半导体静态存储器电路如图1所示。数据开关(SW7~SW0)用于设置读写地址和欲写入存储器的数据，经三态门74LS245与总线相连，通过总线把地址发送至AR,或把欲写入的数据发送至存储器芯片。静态存储器由一片6116 (2Kx8) 构成，但地址输入引脚A8~A10接地，因此实际存储容量为256字节，其余地址引脚A0~A7与AR相连，读和写的地址均由AR给出。6116 的数据引脚为输入、输出双向引脚，与总线相连，既可从总线输入欲写的数据，也可以通过总线输出数据到数据灯显示。共使用了两组显示灯，一组显示从存储器读出的数据，另--组显示存储单元的地址。

6116有三根控制线，CE(——)为片选线，OE(——) 为读线，WE(——)为写线，三者的有效电平均为低电平。当片选信号有效时，OE(——)=0 时进行读操作，WE(——)=0进行写操作。本实验将OE接地，在此情况下，当CE(——)=0、WE(——)=1时进行读操作;当CE(——)=0、WE(——) =0时进行写操作。由于6116的WE(——) .信号是由WE控制信号与P1进行与非运算得来的，因此，WE=1时为写操作，其写时间与P1脉冲宽度一致。

读数据时，在数据开关上设置好要读的存储单元地址，并打开三态门74LS245，LDAR置1，发出一个P2脉冲，将地址送入6116，设置6116为读操作，即可读出数据并在数据灯上显示。

写数据时，先在数据开关上设置好要写的存储单元地址，并打开三态门74LS245，LDAR置1，发出一个P2脉冲，将地址送入6116，然后在数据开关上设置好要写的数据，确保三态门打开，设置6116为写操作，发出一个P1脉冲，即可将数据写入。

图 1随机存储器实验原理图

五、实验内容与步骤：

（1）运行虚拟实验系统，从左边的实验设备列表选取所需组件拖到工作区中，按照图1所示组建实验电路，得到如图2所示的实验电路。注意：图2中没有使用总线，元器件通过两两之间连线实现彼此连接。当然，实验时也可以选用总线来连接器件。

图 2存储器虚拟实验电路

（2）进行电路预设置。

1）将74LS273的MR(——)置1，AR不清零；

2)CE(——)=1,RAM6116 未片选;

3）SW-BUS(——————)=1，三态门关闭。

（3）打开电源开关。

(4)存储器写操作。向01H、02H、03H、04H、05H存储单元分别写入十六进制数据11H、12H、13H、 14H、15H,具体操作步骤如下(以向01号单元写入11H为例):

1)将sw7~Sw0置为00000，SW - BUS(————————)=0,打开三态门，将地址送入BUS;

2) LDAR=1,发出P2单脉冲信号，在P2的上升沿将BUS上的地址存入AR，可通过观察AR所连接的地址灯来查看地址，SW - BUS(————————)=1关闭三态门;

1. CE=0, WE=1, 6116写操作准备(注意:此时WE =1,因而会读出此地址原有数据);
2. 将sw7~sw0置为0010001，SW- BUS(————————)=0，打开三态门，将数据送入BUS;

5)发出P1单脉冲信号,在P1的上升沿将BUS上的数据0010001写入RAM的00地址;6) CE=1，6116暂停工作，SW- BUS(————————)=1关闭三态门。

提示:可以使用“工具”莱单中的“存储器芯片设置”实时查看存储器芯片中的数据.注意本虚拟实验系统的6116芯片中预存了一些代码和数据。

1. 存储器读操作。依次读出01H、02H、 03H、04H、05H 单元中的内容，观察上述单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作步骤如下(以从01号单元读出数据11H为例):

1)将SW7~ SW0置为0000001，SW- BUS(————————)=0,打开三态门，将地址送入BUS; .

2) LDAR=1,发出P2单脉冲信号,在P2的上升沿将BUS.上的地址存入AR中，可通过观察AR所连接的地址灯来查看地址，SW-BUS(————————) =1 关闭三态门;

3) CE=0，WE=0, 6116 进行读操作，观察数据灯是否为先前写入的00010001。

4) CE=1， 6116 暂停工作。

（15分）

• 实验记录：

1.实验数据1，将输入信号设置为:LDAR=1,SW=02H;CE=0,WE=1,SW=CCH;数据读出：CE=0,WE=1,DBUS=CCH,芯片内容：11001100；，如图3图4所示：

图 3实验截图1

图 4实验截图1

             

2.实验数据2，将输入信号设置为:LDAR=1,SW=01H;CE=0,WE=1,SW=FFH;数据读出：CE=0,WE=1,DBUS=FFH,芯片内容：11111111；，如图5图6所示：

图 5实验截图2

图 6实验截图2

3.实验数据3，将输入信号设置为:LDAR=1,SW=04H;CE=0,WE=1,SW=BBH;数据读出：CE=0,WE=1,DBUS=BBH,芯片内容：10111011；，如图7图8所示：

图 7实验截图3

图 8实验截图3

x.实验结果汇总

表1 储存器实验数据汇总表

序号	地址锁存		数据写入			数据读出
	LDAR	SW	CE(——)	WE	SW	CE(——)	WE	DBUS	芯片内容
1	1	02H	0	1	CCH	0	1	CCH	11001100
2	1	01H	0	1	FFH	0	1	FFH	11111111
3	1	04H	0	1	BBH	0	1	BBH	10111011

七、结果分析：

根据实验数据汇总表进行分析，得出结果，并判断是否正确，如不正确，分析原因。

实验数据结果全部正确。

如果实验数据不正确，原因可能是以下：

（1）接线问题：

在实验过程中，接线错误可能导致数据传送出现问题，从而影响实验数据的准确性。

（2）时序与操作错误：

实验中应注意时序与操作台单元的开关状态，不恰当的操作时序或开关档位设置可能导致数据出错。

八、问题与思考：

1.静态半导体存储器与动态半导体存储器的主要区别是什么?

静态半导体存储器与动态半导体存储器的主要区别可以从以下几个方面进行归纳：

（1）存储方式不同：

静态半导体存储器（SRAM）的内部由多个反相器组成，可以直接存储数据，每个位元通常由至少6个晶体管构成。

动态半导体存储器（DRAM）则是通过电容器来存储电荷，数据在电容器中储存，并需要不断刷新才能保持存储状态。

（2）制造工艺不同：

静态半导体的制造工艺相对简单，只需要少量的晶体管便可以实现存储功能。

动态半导体的制造工艺较为复杂，需要在每个电容器中嵌入一对电极，并需要一个额外的内部刷新电路。

（3）性能特点不同：

静态半导体存储器的存取速度相对较快，但存储密度较小，集成度低，通常用于高性能计算机模块、高速缓存和高性能处理器。

动态半导体存储器虽然存取速度较慢，但具有更高的存储密度，集成度高，且价格相对较低，更适合用于普通计算机内存和其他应用场景。

（4）数据保持能力：

静态半导体存储器在不停电且不写入新数据的情况下，信息能长时间保持不变。

动态半导体存储器则需要定期刷新电容器中的电荷以保持存储的数据，否则电荷会逐渐流失。

综上所述，静态半导体存储器和动态半导体存储器在存储方式、制造工艺、性能特点以及数据保持能力方面存在显著差异。这些差异使得它们在不同的应用场景中各有优势。

2.由两片6116 (2K*8)怎样扩展成(2K*16)或(4K*8)的存储器?怎样连线?

（1）将两片6116并排放置，将它们的地址线A0-A10和控制线连接在一起。

（2）将两片6116的数据线D0-D7分别连接到一个8位数据总线上。

（3）如果要扩展成2k16的存储器，将两片6116的地址线A11连接到一个地址线A11上。

（4）如果要扩展成4k*8的存储器，将两片6116的地址线A11连接到一个地址线A10上，然后将另一个地址线A11连接到一个地址选择器

（例如74LS138）的输入端，将地址选择器的输出端连接到两片6116的片选引脚上。

（5）最后，将两片6116的电源和地线连接在一起即可。

3.查阅6116芯片的数据手册，在CE=0、 OE=0、 WE=1 的条件下，当输入的地址信息变化时，输出的数据是否会相应变化?是否有延迟?

在CE=0（片选有效）、OE=0（输出使能关闭）和WE=1（写使能开启）的条件下，6116芯片处于写入模式。在这种模式下，输入的地址信息是用来指定写入数据的位置，而不是用来读取数据。因此，当输入的地址信息变化时，输出的数据不会相应变化。这是因为芯片此时并不从指定的地址读取数据以输出，而是准备在该地址写入数据。

一般来说，在半导体存储器中进行写操作时，确实会存在一定的延迟，这包括地址解码时间、数据写入时间等。具体的延迟时间取决于芯片的具体型号和制造工艺，以及工作电压和温度等条件。

综上所述，对于6116芯片，在CE=0、OE=0、WE=1的条件下，当输入的地址信息变化时，输出的数据不会相应变化，因为此时芯片处于写入模式。关于延迟问题，通常写操作会存在一定的延迟。