计算机组成原理实验3——存储器实验报告

实验名称		存储器实验		实验室	组成原理与系统结构

一、实验目的：

(1)掌握静态随机存储器RAM的工作特性。

(2)掌握静态随机存储器RAM的读写方法。

二、实验要求：

(1)做好实验预习，熟悉MEMORY 6116芯片各引脚的功能和连接方式，熟悉其他实验元器件的功能特性和使用方法，看懂电路图。

(2)按照实验内容与步骤的要求，认真仔细地完成实验。

(3)写出实验报告。

三、实验环境：

操作系统：Microsoft Windows 7 旗舰版

 6.1.7601 Service Pack 1 Build 7601

实验平台：多思组成原理虚拟平台dsvlab1.0

浏览器：Internet Explorer11   11.0.9600.18665

（5分）

• 实验原理：

实验所用的半导体静态存储器电路如图1所示。数据开关(SW7~SW0)用于设置读写地址和欲写入存储器的数据，经三态门74LS245与总线相连，通过总线把地址发送至AR,或把欲写入的数据发送至存储器芯片。静态存储器由一片6116 (2Kx8) 构成，但地址输入引脚A8~A10接地，因此实际存储容量为256字节，其余地址引脚A0~A7与AR相连，读和写的地址均由AR给出。6116 的数据引脚为输入、输出双向引脚，与总线相连，既可从总线输入欲写的数据，也可以通过总线输出数据到数据灯显示。共使用了两组显示灯，一组显示从存储器读出的数据，另--组显示存储单元的地址。

6116有三根控制线，CE(——)为片选线，OE(——) 为读线，WE(——)为写线，三者的有效电平均为低电平。当片选信号有效时，OE(——)=0 时进行读操作，WE(——)=0进行写操作。本实验将OE接地，在此情况下，当CE(——)=0、WE(——)=1时进行读操作;当CE(——)=0、WE(——) =0时进行写操作。由于6116的WE(——) .信号是由WE控制信号与P1进行与非运算得来的，因此，WE=1时为写操作，其写时间与P1脉冲宽度一致。

读数据时，在数据开关上设置好要读的存储单元地址，并打开三态门74LS245，LDAR置1，发出一个P2脉冲，将地址送入6116，设置6116为读操作，即可读出数据并在数据灯上显示。

写数据时，先在数据开关上设置好要写的存储单元地址，并打开三态门74LS245，LDAR置1，发出一个P2脉冲，将地址送入6116，然后在数据开关上设置好要写的数据，确保三态门打开，设置6116为写操作，发出一个P1脉冲，即可将数据写入。

图 1随机存储器实验原理图

五、实验内容与步骤：

（1）运行虚拟实验系统，从左边的实验设备列表选取所需组件拖到工作区中，按照图1所示组建实验电路，得到如图2所示的实验电路。注意：图2中没有使用总线，元器件通过两两之间连线实现彼此连接。当然，实验时也可以选用总线来连接器件。

图 2存储器虚拟实验电路

（2）进行电路预设置。

1）将74LS273的MR(——)