烧录器DediWare General使用方法

本文详细介绍了NAND Flash烧录器的外观、软件图标及操作步骤,包括读取、写入和校验数据。首先,设置Flash型号并读取内容,然后加载bin文件,进行空片检查和数据写入。在烧写过程中,采用mode0模式确保数据一致性。最后,校验数据并可选地对比原始bin文件,确保烧录无误。批量写入Flash时,遵循读ID、空片检查、写入和校验的流程。

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示例Flash型号:

GD5F1GQ5REYIG

1、烧录器外观软件图标

1.1 外观如下

通过USB直连电脑,USB有供电口。

在这里插入图片描述

1.2 软件图标如下

在这里插入图片描述

2、烧录器操作方法

备注:

必须对同型号的Flash操作。

假如从Flash A型号读取出的数据,烧写到Flash B中,通常B无法正常工作。

2.1 读取Flash内容

(1)设置Flash型号

在这里插入图片描述

设置正确后点击OK界面如下:

在这里插入图片描述

(2)点击Read ID,测试是否可以正确读取

如果失败会显示红色,并提示Failed

在这里插入图片描述

(3)开始读取数据

在这里插入图片描述

弹窗右边chip部分为chip中读取出来的数据。

点击【save Memory From】保存,地址范围默认即可。

在这里插入图片描述

点击【是】

在这里插入图片描述

弹窗选择路径,填写文件名,这里取名为【GD5F1GQ5REYIG_Customers_Factory.bin】

在这里插入图片描述

会有Save memory is on-going之类的提示,等待保存完成即可。

至此,Flash数据读取完成。

备注:可以使用二进制操作文件打开保存好的bin,以查阅数据是否正确保存。

2.2 烧写bin文件到Flash

先准备好bin文件,通过上述步骤配置好操作环境,read一下ID,确保可以正确识别Flash,然后开始下述步骤:

(1)加载bin文件到buffer中

(a.)Read bin文件

在这里插入图片描述

(b.)选择镜像路径&选中Spare Area UseFile

在这里插入图片描述

(c.)使用mode0模式
注意:经过反复多次验证,这里选择mode0可以正常工作,并且无论hard copy还是skip bad block,烧进nand再读出来的数据是完全相同的。而选择mode3时,hard copy和skip bad block两种方式烧进nand之后立马读出来数据不一样,具体原因待进一步研究。
总之,经多次验证选择mode0无误,功能完全OK。
在这里插入图片描述

(d.)点击Buffer可以看到bin文件数据已经加载进去了

在这里插入图片描述

(2)空片检查

或者直接erase也可以。

在这里插入图片描述

如果flash不空,则显示如下,此时最好执行一次erase flash,将片子擦空。

在这里插入图片描述

(3)点击program就开始写入数据了

可以看到写的过程中,处于busy状态,最下面绿色的是进度条,右边绿色的写入状态,写入失败的话会显示红色。

写完以后,会由【BUSY】变成【PASS】状态。

在这里插入图片描述

(4)校验数据

最后一步,校验数据。等待校验通过,结束。

在这里插入图片描述

至此,Flash烧写结束。

(5)可选:将Flash数据读出来并和原来的bin文件比较

最后可以将Flash里面的数据读出来,和之前的bin文件进行比较,完全一样:

在这里插入图片描述

2.3 批量写Flash步骤

基于上一步骤,写完一个FLash以后,缓冲器已经有数据了,则可以通过如下4个步骤批量写Flash:

  • 1、读ID(确保可以正确操作)
  • 2、Blank检查/空片检查(确保flash为空,若不为空需要Erase擦空从而保证写入数据干净)
  • 3、Program(写Flash)
  • 4、Verify(校验)

如下图:

在这里插入图片描述

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