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RSS订阅原创 关于MOS管放大器增益的分析与求解
从地一端开始分析，M3漏端看向地，等效电阻为Req1=ro3，从Vout看向地，此时Req1看作是M2的一个负载电阻，Req2=ro2+(1+gmro2)Req1，从Vin看向地，此时Req2看作是M1的一个负载电阻，Rtot=首先需要牢记几种基本的MOS管和电阻的连接方式，在这些情况下从某端看向地（在小信号中，GND和VDD都相当于接地，因为没有交流小信号电压变化）的小信号等效电阻，将它们当作一个个基本单元，从而我们就可以从地一端出发，去逐步求得任何我们想要的等效电阻。首先看最上面两种单元。
2023-05-20 00:45:09
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原创 反相器链的尺寸优化&&反相器的功耗计算
在这个条件下，考察Vout从低到高CL被充电，Vout再从高到低CL被放电的过程，通过简单的积分计算可以得知，每完成一次这个充放电的过程，都需要。考虑CMOS反相器的驱动能力，所用MOS管的W/L越大，Req越小，驱动能力越大，但同时反相器的输入电容也会增大，延时增大，那么我们采用的方案是设计一个逐级增大的反相器链。如果考虑NMOS和PMOS同时导通的时间，那么需要加上一个直流通路引起的功耗，它和tsc（同时导通的时间）、VDD、Ipeak（直流通路电流大小）、f（开关频率）都成正比。
2023-05-06 21:52:15
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原创 信号与系统_系统频率响应
我个人理解 是，因为我们要研究这个系统对各个频率的响应特性，所以理所当然地我们要把很多不同频率的信号给输入进去，然后看它的输出是什么样子的，那什么样的信号满足“很多不同频率的信号”这一要求呢？特殊地，对于正弦余弦信号来说，它们的输入输出有特殊的关系，大体上信号的底子没变，但是经过系统的加工，各频率会受到不同程度不加权，具体怎么加权，那就由|H(ω)|决定，具体见图中ppt。E=H·R，E是响应，R是激励，H是传递函数，R经过系统传递函数H的色彩加工，被赋予了该系统的频响特性，得到输出E。
2023-05-03 21:29:32
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原创 hello world
过去一天学习了华大九天的EDA（好像叫aether？）工具的一些基本操作，连接学校的linux服务器后在那里面完成，将模电仿真实验重做了一遍。软件的操作还需要自己多尝试学习，在使用中学习，而不是对教程生搬硬套。还学习了notion这个既熟悉又陌生的软件的功能用法，并打算在接下来的一段时间内重新开始频繁使用它。这应该是我的第一篇博客。
2023-05-01 00:27:36
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空空如也
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