关于MOS管放大器增益的分析与求解

放大器的增益求解方法多样灵活，这里介绍一种利用小信号等效电阻&分压原理表示增益方法。

首先需要牢记几种基本的MOS管和电阻的连接方式，在这些情况下从某端看向地（在小信号中，GND和VDD都相当于接地，因为没有交流小信号电压变化）的小信号等效电阻，将它们当作一个个基本单元，从而我们就可以从地一端出发，去逐步求得任何我们想要的等效电阻。做完这些之后 ，往往很容易去表示增益。

我们要记的几种单元如下图所示，我一共总结了5种，其实它们之间存在一些包含关系，再砍的话可以砍到3种（把最上面两个砍掉）。

 首先看最上面两种单元。左边是从一个MOS管的漏极看向地，等效电阻为ro，是高阻；右边是从MOS管源极看向地，等效电阻为，忽略体效应，为（这个比较常用），从数量级上来看，是1/gm的数量级，是低阻。

中间两种单元，相比上面两种，就是在地一端接了负载，等效电阻已经在图中展示了。

最下面一种，没有加负载，是二极管连接，等效电阻是低阻。

现在用一例题来讲解我今天要说的分析增益的方法，求解下图放大器的增益，忽略体效应。

 增益为A=Vout/Vin，如果我们分析出所有的小信号等效电阻，那么根据分压原理，就可以用电阻来表示两点电压之比。从地一端开始分析，M3漏端看向地，等效电阻为Req1=ro3，从Vout看向地，此时Req1看作是M2的一个负载电阻，Req2=ro2+(1+gmro2)Req1，从Vin看向地，此时Req2看作是M1的一个负载电阻，Rtot=。所以，根据分压原理，A=Vout/Vin=Req2/Rtot，这样就得到了这个放大器的增益。