STM32内部FLASH读写-通用

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分享STM32 FLASH 擦除(以及防止误擦除程序代码)、写入

作者:黄宾山 来源:本站原创

编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   
stm32库版本:我用的是3.5.0
一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料。
  对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程:
  FLASH解锁
  清除相关标志位
  擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便)
  写入FLASH
  锁定FLASH
实例:
#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小
#define WRITE_START_ADDR   ((uint32_t)0x08008000)//写入的起始地址
#define WRITE_END_ADDR      ((uint32_t)0x0800C000)//结束地址
uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除计数,写入地址
uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要写入的数据
uint32_t NbrOfPage = 0x00;//记录要擦除的页数
volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成标志*/
void main()
{
  /*解锁FLASH*/
 FLASH_Unlock();
  /*计算需要擦除FLASH页的个数 */
 NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
  /* 清除所有挂起标志位 */
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);       
  /* 擦除FLASH 页*/
 for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
    {
      FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
    }
  /* 写入FLASH  */
 Address = WRITE_START_ADDR;
 while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
    {
      FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
      Address = Address + 4;
    }
/* 锁定FLASH  */
 FLASH_Lock();
}
二、FLASH 擦除(以及防止误擦除程序代码)
1、擦除函数
FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要()里面的数是flash第xx页中对应的任何一个地址!就是擦除xx页全部内容!

防止误擦除有用程序代码的方法
方法一:首先要计算程序代码有多少,把FLASH存取地址设置在程序代码以外的地方,这样就不会破坏用户程序。原则上从0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空间都可以作为存储使用。如果代码量占了 0x3000, 那么存储在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空间就不会破坏程序了。
方法二:先在程序中定义一个const 类型的常量数组,并指定其存储位置(方便找到写入、读取位置),这样编译器就会分配你指定的空间将常量数组存入FLASH中。当你做擦除。读写操作时,只要在这个常量数组所在的地址范围就好。
  const uint8_t table[10] __at(0x08010000) = {0x55} ;
  MDK3.03A开始就支持关键字 __at() 。
  需要加#include

方法三:在程序中定义一个const 类型的常量数组,无需指定其存储位置。只要定义一个32位的变量存储这个数组的FLASH区地址就行。

  uint32_t address;//STM32的地址是32位的
  const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};
  address = (uint32_t) imageBuffer;/*用强制类型转换的方式,可以把FLASH中存储的imageBuffer[1024]的地址读到RAM中的变量address 里,方便找到写入、读取位置*/

方法四:利用写保护的方式(没研究明白)

三、FLASH写入
  FLASH的写入地址必须是偶数(FLASH机制决定的FLASH写入的时候只能是偶数地址写入,必须写入半字或字,也就是2个字节或是4字节的内容)




四、FLASH 读取方法
  *(uint32_t *)0x8000000;//读一个字
  *(uint8_t *)0x8000000;//读一个字节;
  *(uint16_t *)0x8000000;//读半字;  
  举例:
  uint8_t data;
  data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是读取FLASH中地址0x8000000处的数据
五、几个有用的子函数
/*
功能:向指定地址写入数据
参数说明:addr 写入的FLASH页的地址
          p    被写入变量的地址(数组中的必须是uint8_t类型,元素个数必须是偶数
          Byte_Num 被写入变量的字节数(必须是偶数
*/
  void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
  {
          uint32_t HalfWord;
          Byte_Num = Byte_Num/2;
          FLASH_Unlock();
          FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
          FLASH_ErasePage(addr);
          while(Byte_Num --)
          {
                  HalfWord=*(p++);
                  HalfWord|=*(p++)<<8;
                  FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);
                  addr += 2;
          }
          FLASH_Lock();
  }
  例:
  uint8_t data[100];
  FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);/*数组data的数据被写入FLASH中*/
/*
功能:从指定地址读取数据
参数说明:addr 从FLASH中读取的地址
          p    读取后要存入变量的地址(数组中的必须是uint8_t类型
          Byte_Num 要读出的字节数
*/
  void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
  {
    while(Byte_Num--)
    {
     *(p++)=*((uint8_t*)addr++);
    }
  }
  例:
  uint8_t data[101];
  FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);/*FLASH中的数据被读入数组data中*/



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