模拟电子电路基础——CS放大器的归纳与应用

最新推荐文章于 2024-04-29 08:48:58 发布

ChengWYang

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分类专栏：模拟电子电路文章标签：电学

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CS放大器（Common-Source Amplifier）

CS放大器，即共源极放大器。共源极，指输入信号和输出信号都参考的源极。所以，CS放大器指输入信号的参考和输出信号的参考均为MOS管源极的放大器。

注* 以下内容均以NEMOS为例

CS组态

CS组态，即共源组态电路结构，如下图

由上图，当NEMOS工作在饱和区时我们可以联立方程：

$I_{D}=\frac{1}{2}k_{n}^{'}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{t})^{2}$

$V_{DS}=V_{DD}-R_{D}I_{D}$

即可得到NEMOS工作在饱和区时 $V_{GS}$ 、 $V_{DS}$ 、 $I_{D}$ 之间的关系。

若NEMOS工作在饱和区则有一下条件：

$V_{DS}>V_{GS}-V_{t}$

$V_{GS}>V_{t}$

接下来我们通过Tina仿真来看一下 $V_{GS}$ 与 $V_{DS}$ 之间的关系。

首先我们先通过查阅器件的相关信息得到 $V_{t}$ ，W，L

然后我们先来简单的计算一下NEMOS管进入饱和区的条件：

$v_{GS}>3.128V$

$R_{D}\frac{1}{2}k_{n}^{'}\frac{W}{L}(v_{GS}-V_{t})^{2}+(v_{GS}-V_{t})<V_{DD}$

由上述仿真结果可以看到，随着RD的变大，饱和区工作状态电压区间逐渐变小，相应的曲线越接近直线，斜率也越大。随着曲线趋近于直线， $V_{O}$ 与 $V_{GS}$ 之间将可以用线性模型替代，在小信号条件下，可视为放大器。

但是由于其电路特性，对于不用型号的MOS管该系统的稳定性（相同 $V_{GS}$ 激励下相应的 $I_{D}$ 变化）较大，在实际应用中通用性较差所以我们引入分压式偏置电路模型

其显著的有点在于其 $V_{GS}$ 与 $I_{D}$ 之间除了NEMOS管饱和区电流-电压关系方程约束外，还受到该电路结构的约束，即：

$V_{G}=V_{GS}+I_{D}R_{S}$

$V_{G}=V_{DD}\times \frac{R_{G2}}{R_{G1}+R_{G2}}$

由于当 $R_{G1}$ 、 $R_{G2}$ 、 $V_{DD}$ 确定时， $V_{G}$ 是一个定值， $V_{GS}$ 与 $I_{D}$ 在饱和区电流-电压关系程中为正相关的关系，当受到电路结构约束后大大影响其变化范围。

待解决问题

1.在Tina仿真软件中，如何查看NEMOS器件的 $k_{n}^{'}$

2.在Tina仿真软件中我们以2N6755为例，可以看到其沟道长度L达到1.1m，远远大于其实际器件，如何解释其内部结构

3.在CS放大器的分析中对于交流信号我们通常将电容短路处理，对于直流信号我们通常将电容开路处理，那么在实际设计过程中我们将如何选取耦合电容与旁路电容

4.我们在讨论分压式偏置电路时，使用 $V_{G}=V_{GS}+I_{D}R_{S}$ 与 $I_{D}=\frac{1}{2}k_{n}^{'}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{t})^{2}$ 进行求解，那么相应有 $V_{DS}=V_{DD}-I_{D}R_{D}-I_{D}R_{S}$ ，判断其工作在饱和区工作为什么不考虑 $V_{DS}>V_{GS}-V{t}$

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模拟电子电路基础——CS放大器的归纳与应用

CS放大器（Common-Source Amplifier）CS放大器，即共源极放大器。共源极，指输入信号和输出信号都参考的源极。所以，CS放大器指输入信号的参考和输出信号的参考均为MOS管源极的放大器。注* 以下内容均以NEMOS为例CS组态CS组态，即共源组态电路结构，如下图由上图，当NEMOS工作在饱和区时我们可以联立方程：即可得到NEMOS工作在饱和区时、、之间的关系。若NEMOS工作在饱和区则有一下条件：接下来我们通过Tina仿真来看一下..
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