电子技术——基础增益单元

电子技术——基础增益单元

本节我们学习模拟IC中的基础增益单元CS与CE放大器，以及主动负载的概念。

恒流源负载的CS与CE放大器

在IC中，放大器的基本增益单元是恒流源负载的CS与CE放大器，如下图所示：

这两个电流和我们之前学过的分立CS与CE放大器很像，唯一的区别是将电流转换电阻 $R_D$ 和 $R_C$ 换成了恒流源。这么做有两个原因：第一，之前在第一节我们就说过，在IC中很难制作大阻值的精密电阻，而且在IC中通过制作晶体管来实现恒流源是相对简单的。第二，通过使用恒流源，我们可以获得比固定电阻更大的阻值（理想是无穷大的）来获得更大的增益。这样的恒流源我们称为 电流源负载 或者是 主动负载 。

在我们进行小信号分析之前，我们必须先分析DC偏置。显然每一个 $Q_1$ 的都被偏置在 $I_D=I$ 和 $I_C=I$ 。但是什么决定了栅极（基极）的DC电压和漏极（集电极）的DC电压呢？通常情况下，这些单元需要外部的负反馈电路来动态调节 $V_{DS}$ 和 $V_{GS}$ （ $V_{CE}$ 和 $V_{BE}$ ）。在以后的章节我们会介绍完整的IC放大器电路。但是现在，我们先假设所有的 $Q_1$ 都工作在饱和区（主动模式）下，以及其DC电压偏置正好处在允许 $I_D=I$ 和 $I_C=I$ 电流通过的情况下。以后为了方便说明，我们无论MOS还是BJT，我们都说是工作在“主动区”。

小信号模型我们可以使用其混合 $\pi$ 的等效电路：

显然我们假设主动负载的电流源是理想的电流源，因此内阻总是无穷大的，实际上的电流源是有有限输出阻抗的，之后我们会进行分析。现在两个电路都工作在负载开路的情况下，在地和晶体管输出直接唯一的电阻是 $r_o$ ，IC不像分立电路那样， $r_o$ 在IC中是起主要作用的电阻，不能忽略。因此，此时的CS与CE放大器获得了最大的增益。

对于MOS来说，我们能够计算出放大器的相关参数：

$$\begin{array}{rl}{R}_{in}& =\infty \\ A_{vo}& =-g_m{r}_o\\ R_o& =r_o\end{array}$$

同样的对于BJT来说，计算出放大器的相关参数：

$$\begin{array}{rl}{R}_{in}& =r_{\pi }\\ A_{vo}& =-g_m{r}_o\\ R_o& =r_o\end{array}$$

无论是MOS还是BJT，此时增益都达到理论最大值 $g_m{r}_o$ 。我们称这个增益为CS或CE放大器的 固有增益 ，并记为 $A_0$ 。

固有增益

对于BJT，我们可以将下面的方程带入固有增益：

$$\begin{array}{rl}{g}_m& =\frac{I_C}{V_T}\\ r_o& =\frac{V_A}{I_C}\end{array}$$

因此BJT的固有增益为：

$$A_0=g_m{r}_o=\frac{V_A}{V_T}$$

因此BJT的固有增益是厄尔利电压与热电压的比值，厄尔利电压是工艺参数，对于普通的BJT在5到35V之间，对于高压工艺的BJT在100到130V之间。热电压是一个物理常量，在室温下为25mV。所以BJT的固有增益在200V/V到5000V/V之间，若在IC中的小尺寸BJT该值还可能更小。需要特意指出的是，在给定工艺的情况下， $A_0$ 与偏置、结截面积无关。

而对于MOS来说 $g_m$ 有三种表达式，我们在这里使用其中两种：

$$\begin{array}{rl}{g}_m& =\frac{I_D}{V_{OV}/2}\\ g_m& =\sqrt{2{\mu }_n{C}_{ox}(W/L)}\sqrt{I_D}\end{array}$$

对于 $r_o$ 我们有：

$$r_o=\frac{V_A}{I_D}=\frac{V_A^{\prime }L}{I_D}$$

带入上述的参数到固有增益为中：

$$A_0=\frac{V_A}{V_{OV}/2}=\frac{2V_A^{\prime }L}{V_{OV}}=\frac{V_A^{\prime }\sqrt{2({\mu }_n{C}_{ox})(WL)}}{\sqrt{I_D}}$$

MOS的固有增益和BJT有很大不同，关于以上公式我们需要做出以下说明：

1. 固有增益的分母是 $V_{OV}/2$ 是设计者指定的值，尽管随着MOS尺寸的缩小， $V_{OV}$ 也在缩小，但是仍在0.15V到0.3V之间，因此 $V_{OV}/2$ 在0.075V到0.15V之间，是 $V_T$ 的3到6倍。
2. 分子是工艺参数 $V_A^{\prime }$ 和元件参数 $L$ 的乘积，同样随着MOS尺寸的缩小，其值也在缩小。
3. 我们想获得更大的增益可以使用更长的MOS以及使用更小的 $V_{OV}$ 偏置。但是这同样存在权衡，之后的章节我们会学到，这样做会降低放大器的带宽。

基于上述分析，IC中的MOS的固有增益通常在10V/V到40V/V之间，要比BJT小得多。

最后一个表达式说明，在给定工艺参数和特定元件的情况下，固有增益与 $\sqrt{I_D}$ 成反比，下图说明了这一点：

我们发现 $I_D$ 越小固有增益越大，在 $I_D$ 极小的时候，固有增益变成一常数。这是因为此时MOS进入亚阈值区，此时的电流关系和BJT相似呈现指数关系，因此与BJT相同，此时的 $A_0$ 是一个与偏置无关的恒定的常数。然而，减小 $I_D$ 来获得更大的 $A_0$ ，代价就是这同样会降低 $g_m$ 并且驱动容性负载的能力降低，最终导致带宽降低。

有限阻抗主动负载的影响

实际上的恒流源负载的一种可能的形式就是之前我们学习过的一种电流镜结构，如下图：

$Q_2$ 是我们PMOS电流镜的输出端，我们在图中忽略了电流镜的输入端，此时根据大信号模型的表达式可以得到：

$$I=\frac{1}{2}({\mu }_n{C}_{ox})(W/L{)}_2[V_{DD}-V_G-|V_{tp}|{]}^2$$

并且：

$$r_{o2}=\frac{|V_{A2}|}{I}$$

此时主动负载的电流源不在是理想的无穷阻抗，而是有限的 $r_{o2}$ 阻抗，如下图所示：

等效的小信号模型为：

此时的开路增益变为：

$$A_{vo}=-g_{m1}(r_{o1}||r_{o2})$$

所以，有限阻抗主动负载的存在，降低了放大器的开路增益，若 $Q_2$ 和 $Q_1$ 完美匹配，也就是厄尔利电压相同，再加上 $I_D$ 相同，最终 $r_{o1}=r_{o2}$ 。这种情况下 $A_{vo}$ 会减半：

$$A_{vo}=-\frac{1}{2}{g}_m{r}_o$$

相同的结论适用于BJT。

提高基础增益单元的增益

现在的问题是如何提高基础增益单元的增益？一个显然的答案是提高放大器和主动负载的输出阻抗。我们想寻找一种电路方案，使得其能通过信号电流 $g_m{v}_i$ 并且将 $r_o$ 提高到一个较大的值上。

下图是我们原来的基础增益单元：

此时若加上我们设想的电路：

图中黑箱是我们设想的电路，这个黑箱允许通过信号电流 $g_m{v}_i$ 但是却将放大器两端的 $r_o$ 变为了 $K{r}_o$ ，即扩大了 $K$ 倍，等效的小信号模型如右图所示，这样做就达到了我们提高放大器输出阻抗，进而提高增益的目标。

因为这个黑箱电路不改变信号电流，但是提升了放大器的阻抗 $r_o$ ，所以也称为 电流缓冲器 。他和电压缓冲器（源极或发射极跟随器）构成对偶元件。

实际上一种电流缓冲器的实现就是我们下一节要学习的共栅（共基）放大器。回想一下，共栅（共基）放大器的电流增益为单位增益，虽然我们之前没有学习过，但是共栅（共基）放大器确实存在传递电阻的特性。