STM32--DS18B20温度传感器相关（1）单个DS18B20实现温度采集

一、前言

参考资料：

• DS18B20 Datasheet
• 正点原子DS18B20数字温度传感器实验源码
• 野火DS18B20数字温度传感器实验源码

硬件环境：
正点原子 STM32F407 探索者

开发环境：
KEIL5

代码下载链接：
https://download.csdn.net/download/Constantine1954/18836298

二、DS18B20相关简介

DS18B20的相关资料网上还是比较全的，这里只做简单介绍。

一、特点
1.DS18B20是单总线温度传感器，与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与 DS18B20 的双向通讯。单总线具有经济性好，抗干扰能力强，适合于恶劣环境的现场温度测量。
2.测温范围：-55℃-+125℃，在-10℃~+85℃范围内精度为±0.5℃。
3.工作电压为3~5.5V。
4.分辨率可通过程序设定 9~12 位（默认分辨率为12位），分辨率及报警温度设定保存在EEPROM中，掉电保存。
5.多个DS18B20可以并联在一条总线上，实现多点测温。

二、简介

1. 内部结构图：
   
   DS18B20内部主要包括，64位ROM、2字节温度输出寄存器、1字节上下警报寄存器（TH和TL）和1字节配置寄存器。
   ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码，即本文代码中提到的ID号。每个DS18B20的64位序列号均不相同，这样就可以实现一根总线挂接多个DS18B20的目的。
   64位ROM的排列是：前8位是产品家族码，接着48位是DS18B20的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码。
   DS18B20控制引脚需要一个上拉电阻，并通过开漏模式连接到总线。

2. 内部构成
   高速暂存存储器由9个字节组成，分为温度的低八位数据0、温度的高8位数据1、高温阈值2、低温阈值3、配置寄存器4、保留5、保留6、保留7和CRC校验8。
   器件断电时，EEPROM寄存器中的数据保留，上电后，EEPROM数据被重新加载到相应的寄存器位置，也可以使用命令随时将数据从EEPROM重新加载到暂存器中。
   

3. 温度寄存器
   
   温度数据为两字节，传输顺序为先低字节，后高字节。
   对应关系如下：
   
   温度传感器的分辨率可由用户配置为9、10、11或12位，分别对应0.5℃、0.25 ℃、0.125℃和0.0625℃的增量。

4. 高低温报警寄存器
   
   BIT7为符号位，S=0为正数，S=1为负数。
   由于TH和TL是8位寄存器，所以在TH和TL比较中只使用温度寄存器的第11位到第4位。
   执行温度转换后，将温度值与用户定义的两个报警触发值进行比较，如果被测温度低于或等于TL值，或高于或等于TH值，则在DS18B20内部生成报警条件，并设置报警标志。主设备可以通过发出一个[0XEC]命令来检查总线上所有DS18B20的报警标志状态。
   TH和TL寄存器是非易失性的（EEPROM），当设备断电时，它们将保留数据。可以通过内存部分暂存器的字节2和字节3访问TH和TL。

5. 配置寄存器
   
   8位配置寄存器，通过修改BIT5(R0)和BIT6(R1)来设置温度转换的分辨率，上电后默认分辨率为12位（R0=1,R1=1）。
   对应关系如下：修改分辨率时需注意转换时间。
   

三、时序

所有的单总线器件都要求采用严格的信号时序。
DS18B20共有6种信号类型：
1）复位脉冲
2）应答脉冲
3）写0
4）写1
5）读0
6）读1
除应答脉冲外均由主机发出同步信号。

1. 复位脉冲和应答脉冲（初始化序列）
   单总线上的所有通信都是以初始化序列开始的，时序图如下：
   
   1）主机输出低电平，保持低电平时间至少480us，以产生复位脉冲。
   2）接着主机释放总线，4.7K的上拉电阻将总线拉高，延时15-60us，进入接受模式。
   3）然后从机DS18B20拉低总线60-240us，以产生低电平的应答脉冲。

/*
模块功能：复位DS18B20
返回值：无
*/
 void DS18B20_Rst(void)	   
{
                    
	DS18B20_IO_OUT(); //SET PG11 OUTPUT
  DS18B20_DQ_OUT=0; //拉低DQ
  delay_us(750);    //拉低750us
  DS18B20_DQ_OUT=1; //DQ=1 
	delay_us(15);     //15US
}

/*
模块功能：等待DS18B20的回应
返回值：返回1:未检测到DS18B20的存在
       返回0:存在
备注：这里没有对DS18B20响应复位信号失败和释放总线失败的返回值做区分
*/

u8 DS18B20_Check(void) 	   
{
      
	u8 retry=0;
	DS18B20_IO_IN();//SET PG11 INPUT	 
    while (DS18B20_DQ_IN&&retry<240)//检测DS18B20是否拉低总线 （60~240 us 响应复位信号）
	{
   
		retry++;
		delay_us(1);
	};	 
	if(retry>=240)return 1;
	else retry=0;  
    while (!DS18B20_DQ_IN&&retry<240)//检测DS18B20是否释放总线 （60~240 us）
	{
   
		retry++;
		delay_us(1);
	};
	if(retry>=240)return 1;	    
	return 0;
}

2. 写时序
   所有写时序至少需要60us，且两次独立写时序之间至少需要1us的恢复时间。2种写时序均起始于主机拉低总线。
   写1时序：主机输出低电平，延时2us，释放总线，延时60us。
   写0时序：主机输出低电平，延时60us，释放总线，延时2us。
   

/*
模块功能：写1位到DS18B20
返回值：无
*/
void DS18B20_Write_Bit(u8 dat)
{
   
	DS18B20_IO_OUT();
	if (dat)
	{
   
		DS18B20_DQ_OUT=0;// Write 1
		delay_us(2);
		DS18B20_DQ_OUT=1;
		delay_us(60);
	}
	else
	{
   
		DS18B20_DQ_OUT=0;// Write 0
		delay_us(60);
		DS18B20_DQ_OUT=1;
		delay_us(2);
	}
}

/*
模块功能：写1个字节到DS18B20
返回值：无
*/
void DS18B20_Write_Byte(u8 dat)     
 {
                
    u8 j;
    u8 testb;
	  DS18B20_IO_OUT();//SET PG11 OUTPUT;
    for (j=1;j<=8;j++) 
	{
   
        testb=dat&0x01;
        dat=dat>>1;
        if (testb) 
        {
   
            DS18B20_DQ_OUT=0;// Write 1
            delay_us(2)