STM32 温度传感器（DS18B20）采集温度

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已于 2022-06-22 15:19:38 修改

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分类专栏： STM32 文章标签： DS18B20温度传感器 STM32 传感器单片机物联网

于 2021-04-07 22:18:08 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/WANGYONGZIXUE/article/details/115496642

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本文详细介绍了DS18B20单线数字温度传感器的特点，如宽温度测量范围、高精度和多点组网能力。此外，还解析了其内部结构，包括初始化、读写时序，以及ROM匹配和跳过ROM的概念，为实际应用提供了清晰的操作指导。

摘要由CSDN通过智能技术生成

文章目录

元器件图

DS18B20 特点

DS18B20 单线数字温度传感器，即“一线器件”
采用单总线的接口方式与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与 DS18B20 的双向通讯。
测量温度范围宽，测量精度高 DS18B20 的测量范围为 -55 ℃ ~+ 125 ℃ ; 在 -10~+ 85°C范围内，精度为 ± 0.5°C 。
持多点组网功能多个 DS18B20 可以并联在惟一的单线上，实现多点测温。
掉电保护功能 DS18B20 内部含有 EEPROM ，在系统掉电以后，它仍可保存分辨率及报警温度的设定值。

DS18B20内部结构

在这里插入图片描述

初始化时序

在这里插入图片描述

主机首先发出一个480-960us的低电平脉冲，然后释放总线变为高电平，并在随后的480微秒时间内对总线进行检测，如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答。若无低电平出现一直都是高电平说明总线上无器件应答。

static void DS18B20_Rst(void)
{
	//推完输出
	DS18B20_Mode_Out_PP();
	DS18B20_DQ_0;
	//主机产生至少480us的低电平信号
	DHT11_DELAY_US(750);
	//产生之后拉高
	DS18B20_DQ_1;
	//从机收到复位信号后，会在15-60us后发送给主机一个存在脉冲
	DHT11_DELAY_US(15);

做为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有480-960微秒的低电平出现，如果有，在总线转为高电平后等待15-60us后将总线电平拉低60-240us做出响应存在脉冲，告诉主机本器件已做好准备。若没有检测到就一直在检测等待。

static uint8_t DS18B20_Presence(void)
{
	uint8_t pulse_time = 0;
	//主机操作，拉高，从机会拉低
	DS18B20_Mode_IPU();
	//等待低脉冲，会存在60~240us,如果没有到来，超时处理
	while( DS18B20_DQ_IN() && pulse_time<100 )
	{
		pulse_time++;
		DHT11_DELAY_US(1);
	}	
	//超时处理
	if( pulse_time >=100 )
		return 1;
	else
		pulse_time = 0;
	//有脉冲，且时间不能大于240ms
	while( !DS18B20_DQ_IN() && pulse_time<240 )
	{
		pulse_time++;
		DHT11_DELAY_US(1);
	}	
	if( pulse_time >=240 )
		return 1;
	else
		return 0;
}

读时序

在这里插入图片描述

对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。读时隙是从主机把单总线拉低之后，在1微秒之后就得释放单总线为高电平，以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后，便开始送出数据，若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线，然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测，采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程，至少需要60us才能完成

//读0 1的时间要大于60us
static uint8_t DS18B20_ReadBit(void)
{
	uint8_t dat;
	DS18B20_Mode_Out_PP();
	//主机产生1~15us低电平
	DS18B20_DQ_0;
	DHT11_DELAY_US(10);
	
	//设置输入，释放总线，由外部上拉电阻将总线拉高
	DS18B20_Mode_IPU();
	//DHT11_DELAY_US(2);
	if( DS18B20_DQ_IN() == SET )
		dat = 1;
	else
		dat = 0;
	//加起来不能少于60us
	DHT11_DELAY_US(45);
	return dat;
}

写时序

在这里插入图片描述

写周期最少为60微秒，最长不超过120微秒。写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始。随后若主机想写0，则继续拉低电平最少60微秒直至写周期结束，然后释放总线为高电平。若主机想写1，在一开始拉低总线电平1微秒后就释放总线为高电平，一直到写周期结束。而做为从机的DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样，在采样期内总线为高电平则为1，若采样期内总线为低电平则为0。

//写0 1时间至少要大于60us
static void DS18B20_WriteByte(uint8_t dat)
{
	uint8_t i, testb;
	DS18B20_Mode_Out_PP();
	for( i=0; i<8; i++ )
	{
		testb = dat&0x01;
		dat = dat>>1;		
		if (testb)
		{			
			DS18B20_DQ_0;
			//写1 延迟在1us~15us
			DHT11_DELAY_US(8);
			DS18B20_DQ_1;
			DHT11_DELAY_US(58);
		}		
		else
		{			
			DS18B20_DQ_0;
			//写0时间长
			/* 60us < Tx 0 < 120us */
			DHT11_DELAY_US(70);
			
			DS18B20_DQ_1;			
			// > 1us
			DHT11_DELAY_US(2);
		}
	}
}

参考顺序

为什么要匹配ROM?
一般情况下，一个主机带一个从设备（DS18B20），不需要匹配。但如果有多个从设备与主机相连接，需要知道采集那个传感器的温度，而DS18B20内部有64位ROM标志唯一，匹配就是匹配的ROM信息，从而可以分辨传感器。只有完全匹配该64位ROM编码的从设备才会响应总线的主设备发出的功能命令。