电子线路（线性部分）-第三章 场效应管 3.1 MOS场效应管

这是模电知识点清单，罗列出来以便随时进行回忆，希望期末考试顺利通过。

基本名词：清楚概念，掌握原理，*为非重点内容；

基本原理与过程：熟悉现象背后的原理，理解不同物理量之间的关系；

基本公式：熟练掌握与应用；

基本模型：理解掌握模型和原理；

一、基本名词

1.结型场效应管(Junction FET)；

2.金属-氧化物-半导体型场效应管(Mental-Oxide Semiconductor FET)；

3.增强型场效应管(Enhancement MOS)；

4.耗尽型场效应管(Depletion MOS)；

5.N沟道(Channel)；

6.P沟道；

7.源区；

8.漏区；

9.栅极(Gate)；

10.源极(Source)；

11.漏极(Drain)；

12.衬底；

13.截止区；

14.反型层；

15.开启电压；

16.亚阀区；

17.弱反型层区；

18.导电载流子浓度；

19.单位栅面积电容值；

20.变阻区；

21.非饱和区；

22.预夹断；

23.饱和区；

24.放大区；

25.沟道长度调制效应；

26.转移特性曲线族；

27.输出特性曲线族；

28.栅极保护二极管；

29.衬底效应；

30.背栅极；

31.沟道长度；

32.沟道宽度；

33.沟道长度调制系数；

34.宽长比；

35.跨导；

36.输出电阻；

37.放大因子；

38.衬底（背栅）跨导(Body Transconductance)；

39.高频应用下栅和沟道之间的MOS平板电容；

40.栅与源交叠长度；

41.栅源极间电容；

42.栅漏极间电容；

43.源和衬底间的电容；

44.漏区和衬底间的势垒电容；

二、基本原理与过程

1.N沟道EMOS管的结构与符号；

2.P沟道EMOS管的结构与符号；

3.EMOS管的工作原理；

4.为确保载流子在导电沟道中运行，衬底的电位选择；

5.截止区的栅源电压及微观原理；

6.反型层的形成过程；

7.开启电压的影响因素；

8.亚阀区的解释和在其区域工作的缺点；

9.变阻区的栅源电压和漏源电压限定条件及其原理；

10.反型层消失与预夹断的条件；

11.预夹断时漏极电流的形成原理；

12.栅源电压（大于开启电压）一定时漏极电流随漏源电压变化的特性；

13.沟道长度调制效应原理及其对漏极电流的影响；

14.EMOS场效应管的转移特性曲线族和输出特性曲线族的图像和工作区划分；

15.场效应管的击穿区和发生的击穿类型和原理；

16.栅极保护二极管的作用与原理；

17.衬底效应的解释及其影响；

18.衬底与源极之间电压对漏极电流的影响；

19.耗尽型场效应管的结构、符号、工作原理和伏安特性；

20.沟道长度调制系数的影响因素；

21.漏极电流与宽长比的关系；

22.漏极电流的温度特性；

23.饱和区小信号模型的条件

24.源和衬底间的电容；

25.漏区和衬底间的势垒电容；

26.4种MOS管比较；

三、基本公式

1.导电载流子浓度；

2.单位栅面积电容值；

3.工作在非饱和区漏极电流与栅源电压和漏源电压的关系式；

4.工作在饱和区漏极电流与栅源电压的关系式；

5.计及沟道长度调制效应的漏极电流与栅源电压和漏源电压的关系式；

6.饱和区小信号模型漏极电流表达式；

7.跨导和输出电阻公式；

8.衬底（背栅）跨导公式；

9.高频应用下栅和沟道之间的MOS平板电容；

10.栅源极间电容；

11.栅漏极间电容；

四、基本模型

1.大信号模型；

2.看作压控电压源的MOS管；

3.饱和区小信号模型；

4.受控电流源模型；

5.受控电压源模型；

6.计及沟道长度调制效应的电路模型；

7.*BSIM3模型；

参考教材：

《电子线路（线性部分）》冯军，谢嘉奎.第4-6版