电子线路（线性部分）-第二章 晶体三极管 2.2 晶体三极管模型

这是模电知识点清单，罗列出来以便随时进行回忆，希望期末考试顺利通过。

基本名词：清楚概念，掌握原理，*为非重点内容；

基本模型：理解掌握模型和原理；

基本原理与过程：熟悉现象背后的原理，理解不同物理量之间的关系；

基本公式：熟练掌握与应用；

一、基本名词

1.*埃伯尔斯-莫尔模型(Ebers-Moll Model)；

2.晶体三极管的共射等效电路模型；

3.发射结的正向导通电压；

4.饱和导通电压(Saturation Turn-on Voltage)；

5.晶体三极管的输入电阻(Input Resistance)；

6.发射结增量结电阻（肖特基电阻）；

7.晶体三极管的互导（或跨导）(Transconductance)；

8.输入特性曲线族(Input Characteristics)；

9.输出特性曲线族(Output Characteristics)；

10.基区宽度调制效应(Base-Width Modulation Effect / Early Effect)；

11.发射结反向击穿电压(Base-Emitter Reverse Breakdown Voltage)；

12.放大区(Active Region)；

13.厄尔利电压(Early Voltage)；

14.截止区(Cutoff Region)；

15.饱和区(Saturation Region)；

16.反向工作区(Reverse Region)；

17.击穿区(Breakdown Region)；

18.穿通击穿(Punch-Through)；

19.集电结反向击穿电压；

20.最大允许集电极电流(Maximum Collector Current)；

21.最大允许集电极耗散功率(Maximum Power Dissipation)；

22.安全区(Safe Operation Area)；

23.*转折点角频率；

24.*特征角频率；

25.*上限角频率

二、基本模型

1.埃伯尔斯-莫尔模型（晶体三极管工作在放大模式下的指数模型）；

2.晶体三极管的共射等效电路模型；

3.放大模式、饱和模式、截止模式下的大信号电路模型

4.小信号电路模型；

5.混合π形模型；

6.考虑基区宽度调制效应后修正的混合π形模型；

三、基本原理与过程

1.*埃伯尔斯-莫尔模型的原理与推导；

2.共射电流放大系数、集电结反向饱和电流、发射结的正向导通电压与温度的关系；

3.饱和导通电压与掺杂浓度的关系；

4.小信号电路模型的解释与使用情景；

5.基极串联电阻和结电容的考虑；

6.输入特性曲线族集发之间电压变化导致曲线的移动情况及其原因；

7.基区宽度调制效应；

8.放大区基区电流确定后曲线随集发之间电压增大而上翘的原因；

9.厄尔利电压与曲线上翘程度的关系；

10.厄尔利电压与基区宽度调制效应的关系；

11.小信号模型中基区宽度调制效应引入的集发之间的电阻；

12.集电极电流和共射电流放大系数之间的关系和原因；

13.截止区的规定；

14.放大区和饱和区的分界线；

15.集电结反向击穿的类型和原理；

16.集电结反向击穿电压与基区电流变化的关系及原因；

17.最大允许集电极电流和最大允许集电极耗散功率的原理；

18.*转折点角频率、特征角频率、上限角频率的实际意义和关系；

四、基本公式

1.*埃伯尔斯-莫尔模型（发射极电流方程、集电极电流方程）；

2.晶体三极管共射放大模式下大信号电路模型中基区电流与发射结电压的指数律关系；

3.共射电流放大系数、集电结反向饱和电流、发射结的正向导通电压与温度的关系；

4.饱和导通电压数值；

5.晶体三极管的输入电阻；

6.发射结增量结电阻（肖特基电阻）；

7.晶体三极管的互导（或跨导）；

8.考虑厄尔利电压集电极电流方程的修正；

9.小信号模型中基区宽度调制效应引入的集发之间的电阻；

10.*转折点角频率；

11.*特征角频率；

12.*上限角频率；

参考教材：

《电子线路（线性部分）》冯军，谢嘉奎.第4-6版